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公开(公告)号:CN116028379A
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN202211312797.X
申请日:2022-10-25
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 提供了一种控制器、存储设备和操作该存储设备的方法。所述存储设备包括存储器件和控制器,所述存储器件包括具有不同位密度的多个存储块。所述控制器包括:存储器,用于存储包括多个最近接收的逻辑地址的逻辑地址列表和包括所述逻辑地址列表中包括的每个逻辑地址的热度的热度表;以及处理器,被配置为:接收写入命令、最新逻辑地址和数据,更新所述热度表中的所述最新逻辑地址的热度,将所述最新逻辑地址插入到所述逻辑地址列表中,并且根据所述最新逻辑地址的热度是否超过阈值来控制所述存储器件将所述数据编程到所述多个存储块之一中,所述最新逻辑地址的热度是基于多久之前接收到与所述最新逻辑地址相同的逻辑地址来更新的。
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公开(公告)号:CN115964308A
公开(公告)日:2023-04-14
申请号:CN202211210150.6
申请日:2022-09-30
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 一种存储设备,包括:非易失性存储器,包括被配置为存储第一用户数据的第一存储块;以及控制器,被配置为对第一用户数据执行巡读,其中,该控制器被配置为当第一用户数据需要回收时,增加第一用户数据的回收计数;该控制器被配置为当第一用户数据的回收计数大于回收阈值时,确定第一用户数据为冷数据;该控制器被配置为当第一用户数据被确定为冷数据时,对第一用户数据执行第一回收,并且该非易失性存储器被配置为响应于第一回收,将第一用户数据存储在不同于第一存储块的第二存储块中。
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公开(公告)号:CN115691615A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202210519220.X
申请日:2022-05-12
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 存储装置和被配置为控制存储装置的存储控制器的操作方法。例如,所述存储装置可以包括非易失性存储器和存储控制器。所述非易失性存储器包括第一块和第二块,所述第一块包括各自存储N位数据的第一存储单元,并且所述第二块包括各自存储M位数据的第二存储单元。在对所述第一块的读取回收操作期间,所述存储控制器确定存储在所述第一块中的读取热数据并且将所述读取热数据写入到所述第二块。所述存储控制器可以选择对应于错误位数目等于或大于阈值的第一页面的第一字线,并且将在对应于与所述第一字线相邻的第二字线的页面中存储的数据确定为所述读取热数据。
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公开(公告)号:CN112863579A
公开(公告)日:2021-05-28
申请号:CN202011349291.7
申请日:2020-11-26
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 提供了存储装置及其操作方法。所述存储装置包括非易失性存储器和存储器控制器。非易失性存储器包括均包含多条字线的存储器块。存储器控制器确定所述多条字线中的每条字线的字线强度,基于字线强度调整所述多条字线中的每条字线的状态计数,并且调整所述多条字线中的每条字线的编程参数以减小所述多条字线之间的编程时间变化。
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公开(公告)号:CN110827907A
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201910733387.4
申请日:2019-08-08
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 公开了一种储存设备,包括:非易失性存储器器件,包括存储器块和存储器控制器。存储器块包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器基于第一存储器区域的第一读取电压设置读取块电压。存储器控制器基于变化信息和读取块电压确定第二存储器区域的第二读取电压。
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