公开(公告)号：CN101136249B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200710148544.2

申请日：2007-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇国 ,  李真烨

IPC: G11C16/30

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/3454

Abstract: 提供用于操作非易失性半导体存储器件的高电压产生电路和方法，与诸如快闪存储器之类的非易失性存储器一起使用，其用于选择性地产生不同类型的控制电压，以用于非易失性存储器件的各种操作模式。

公开(公告)号：CN1905071B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200610107497.2

申请日：2006-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇国 ,  李真烨

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/0483

Abstract: 对闪存器件进行编程的方法，包括：在位线设置间隔期间，用第一电压对选择线充电，同时施加程序数据到位线；激活块字线以电连接选择线到对应的字线；以及施加大于第一电压的第二电压到所选择的一条选择线。还公开了相关器件。

公开(公告)号：CN1983448A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610064142.X

申请日：2006-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇国 ,  李真烨

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/30

Abstract: 在一个方面，闪存装置中的字线使能方法包括用字线电压驱动对应于所选字线的信号线，并且在编程执行周期期间，逐步地增加连接在所选字线和信号线之间的开关晶体管的栅极电压。

公开(公告)号：CN1905071A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610107497.2

申请日：2006-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇国 ,  李真烨

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/0483

Abstract: 对闪存器件进行编程的方法，包括：在位线设置间隔期间，用第一电压对选择线充电，同时施加程序数据到位线；激活块字线以电连接选择线到对应的字线；以及施加大于第一电压的第二电压到所选择的一条选择线。还公开了相关器件。