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公开(公告)号：CN114496041A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111239284.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备包括至少一个存储器块和控制电路。该至少一个存储器块包括多个单元串，每个单元串包括串选择晶体管、多个存储器单元和接地选择晶体管。该控制电路通过下列方式控制程序操作：在程序循环的位线设置时段期间，将多个单元串的通道预充电至第一电压；在程序循环的程序执行时段期间，将程序电压施加到多个单元串的选定字线；以及在将多个单元串的选定字线和未选定字线的电压恢复到小于接地电压的负电压之后，在程序循环的恢复时段期间，将选定字线和未选定字线的电压恢复到大于接地电压的第二电压。
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公开(公告)号：CN118553292A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410005602.X
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储装置和控制非易失性存储装置的方法。该控制非易失性存储装置的方法包括：基于写入地址确定与写入地址相对应的非易失性存储装置的选定存储单元是否被包括在过擦除群组中；基于选定存储单元被包括在过擦除群组中，执行预编程操作以增大选定存储单元的过擦除状态的阈值电压；以及在预编程操作完成之后，执行数据编程操作以将写入数据存储在选定存储单元中。
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公开(公告)号：CN118538254A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410185758.0
申请日：2024-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C13/00 , G11C16/08 , G11C16/14 , G11C16/30 , G11C16/24
Abstract: 一种存储器件包括：存储单元阵列，包括多个存储块；电压发生器，被配置为生成擦除电压和行线电压，以提供给多个存储块中要对其执行擦除操作的目标块；以及控制逻辑电路，被配置为控制存储单元阵列和电压发生器，其中，在擦除操作期间，在预充电电压被施加到与目标块连接的多条串选择线之后，控制逻辑电路还被配置为向连接到多条串选择线的多条位线提供擦除电压，其中，多条串选择线包括第一串选择线和第二串选择线，其中，第一串选择线与连接到目标块的多条字线的端部之间的第一距离小于第二串选择线与多条字线的端部之间的第二距离，并且其中，连接到第一串选择线的第一晶体管的第一阈值电压高于连接到第二串选择线的第二晶体管的第二阈值电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118298879A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410005838.3
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/08
Abstract: 提供了一种操作存储器装置的方法和存储器装置，所述方法包括：在字线设置时段中将通过电压施加至多条字线；在字线设置时段中在第一时间点将导通电压施加至未选择的地选择线；在字线设置时段中在第二时间点通过将预充电电压施加至公共源极线来增大所述多条字线的电压；在字线设置时段中在第三时间点将截止电压施加至未选择的地选择线；以及在字线设置时段中在第四时间点将地电压施加至公共源极线。
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公开(公告)号：CN116110478A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211397065.5
申请日：2022-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 提供了一种闪存设备。该闪存设备包括：第一存储器单元；第一存储器单元上的第二存储器单元；和第一存储器单元和第二存储器单元之间的第三存储器单元。第一存储器单元、第二存储器单元和第三存储器单元共享通道。第三存储器单元被配置为基于在第一至第k编程循环中提供的通道分离电压来阻挡第一存储器单元和第二存储器单元之间的通道共享。第三存储器单元被配置为基于在第(k+1)编程循环中提供给第三存储器单元的通道连接电压来连接第一存储器单元和第二存储器单元之间的通道共享。
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公开(公告)号：CN111161779A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911083881.7
申请日：2019-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李耀翰
Abstract: 在非易失性存储器装置中的编程的方法中，提供包括在竖直方向上布置的多个堆叠体的存储块，其中存储块包括单元串，单元串中的每一个包括在源极线和位线的每一个之间在竖直方向上串联连接的存储器单元。提供布置在竖直方向上两个相邻的堆叠体之间的边界部分中的多个中间开关晶体管，其中中间开关晶体管执行开关操作以分别控制单元串的电连接。在关于存储块的编程操作期间在控制中间开关晶体管的开关操作的同时，执行升压操作以对多个堆叠体的沟道的电压进行升压。通过控制中间开关晶体管的开关操作，降低编程电压干扰和通过电压干扰。
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