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公开(公告)号：CN1737221A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510028231.4
申请日：2005-07-28
Applicant: 上海大学
IPC: C30B29/46
Abstract: 本发明涉及一种铅的硫族化合物半导体单晶的生长和制备方法，属于半导体单晶制备工艺技术领域。本发明采用高纯度的金属铅粉和硫族元素S、Se或Te粉按一定摩尔比称取重量，将两者放置于石英管内，石英管内抽真空，真空度达10－4Pa或10－5Pa，放于立式加热炉内加热熔化反应生成铅的硫族化合物PbS、PbSe、或PbTe，然后将其加热至熔点以上20℃，保持熔化状态，再下降至熔点温度，然后开动马达，提拉石英管，以5～7mm/天的速率提拉，达7～10天后，取出直径为25～30mm的半导体单晶。本发明方法实质上是通过熔体蒸发气相淀积而生长制备半导体单晶，并按一定晶面或晶向生长而成的半导体单晶材料。本发明方法所制得的较大尺寸的单晶可用于高集成度探测器或敏感功能器件中。
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公开(公告)号：CN1541963A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200310108398.2
申请日：2003-11-04
Applicant: 上海大学
CPC classification number: C03C3/095
Abstract: 本发明涉及一种磁记录存储器介质用玻璃基片材料及其制备方法，属玻璃材料及制备技术领域。本发明的一种磁记录存储器介质用玻璃基片材料，其组成成分及含量(重量百分比)如下：SiO260－70％、B2O34－9％、Na2O 4.5－6.5％、K2O 0－7％、Li2O 0.1－9％、TiO20－5％、Al2O33－8％、As2O3+Sb2O30.4％、ZnO 0－6.5％、ZrO20－5％；另外还需加入适量的碱土金属、稀土元素氧化物。该基片材料制备方法为：按上述的原料的组成及配比进行称量，研磨混合均匀后放入熔炼炉中，加热到1300～1350℃温度，使其熔化，并保温5～6小时，并搅拌；出炉后，将融化的原料放至专用的成形模具中，其模具温度在400～500℃。当成形后，即进入退火炉中热处理，热处理温度为500－550℃，退火时间不超过8小时。并以4～15℃/min冷却至室温，取出即可。
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公开(公告)号：CN101255603B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200710171806.7
申请日：2007-12-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种在多孔阳极氧化铝模板上电沉积法制备II-VI族半导体材料纳米线的方法。本发明方法具体步骤为：首先将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO3溶液中，搅拌，以形成SO32-、HSeO2+或HTeO2+溶液；配制可溶性镉盐或锌盐溶液，并加入钠盐作为辅助电解质；将上述配制的两种溶液混合，搅拌均匀，形成混合电解液，调节该混合电解液的pH值为1-2.5，搅拌10分钟，形成稳定的电解液溶液；以上述制备的溶液为电解液，在三电极电化学工作站上，以多孔阳极氧化铝模板粘贴的导电玻璃接触为工作电极，钛电极作对电极，以饱和甘汞电极作参比电极，作循环伏安特性，扫描方向从-1V到0V，扫描步长为0.1V/s，建立电沉积时用电流—电压曲线以确定电沉积电位；搅拌下，以上述步骤确定的电沉积电压进行电沉积，直至整个多孔阳极氧化铝模板变成黑色，即得到CdS、CdSe、CdTe或ZnSe半导体材料纳米线。
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公开(公告)号：CN101798511A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010117593.1
申请日：2010-03-04
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种以气相法制备II-VI族水溶性硒化物半导体量子点的方法。该方法具体包括前躯体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明以气体为硒源(如H2Se气体)，通过通入气体，减少了前躯体溶液的杂质成分，所制备的II-VI族水溶性硒化物半导体量子点，粒径分布从1.8～7.5nm，分散均匀，荧光产率高。同时操作简单，成本低，毒性小，可以直接用于生物荧光标识、临床诊断等。
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公开(公告)号：CN101279989B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200810037728.6
申请日：2008-05-20
Applicant: 上海大学
IPC: C07F13/00 , C07D487/22
Abstract: 本发明涉及一种高光电转换效率的锰酞菁双酚A环氧衍生物的制备。该方法主要包括如下步骤：四硝基锰酞菁的合成，通过胺基取代硝基制备四胺基锰酞菁，在此基础上进行双酚A二缩水环氧甘油醚的合成，将双酚A二缩水环氧甘油醚和四胺基锰酞菁反应，得到锰酞菁双酚A环氧衍生物。本发明制备的锰酞菁双酚A环氧衍生物具有成膜性好、光电转换效率高的特点，在有机太阳能电池上有良好应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101567270A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910050884.0
申请日：2009-05-08
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种介孔半导体复合薄膜的准备方法，特别是涉及一种高锌含量介孔ZnO/TiO2复合薄膜的制备方法，属于太阳能电池半导体电极材料制备工艺技术领域。本发明复合薄膜中氧化锌的含量为70~95mol％，氧化钛的含量为5~30mol％，并且以三嵌段共聚物为模板剂，乙酰丙酮为络合剂；模板剂的加入量为1~3％，络合剂乙酰丙酮的加入量为2％；在有机溶剂中模板剂诱导锌的前躯体和钛的前躯体形成有机－无机均匀的介孔结构；在高温烧结下脱除模板剂并使薄膜晶化，最终得到骨架为纳米晶的介孔复合膜。本发明的复合薄膜可用于染料敏化太阳能电池上的电极材料，它具有良好的光电性能。
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公开(公告)号：CN101508416A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910047358.9
申请日：2009-03-11
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种巯基单或多元有机酸表面修饰的II－VI族半导体量子点及其制备方法。该方法具体包括前驱体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明的量子点是以巯基单(或多)元酸包裹的CdX，(X＝S，Se，Te)或ZnX，(X＝S，Se，Te)而形成的量子点，其中巯基单(或多)元酸与CdX或ZnX的摩尔比为2∶1～3∶1；量子点的粒径为2.0－6.0nm。本发明以气体为碲(或硫，硒)源，通过通入H2X(X＝S，Se，Te)，减少了前驱体溶液的杂志成分，并通过巯基单(或多)元酸的优良亲水性，所制备的II－VI族半导体CdX(X＝S，Se，Te)和ZnX(X＝S，Se，Te)等量子点，分散度较好，荧光范围广，量子产率高达80％以上。同时，毒性小，生物相容性佳，操作较易，可用于药物示踪，诊断性标识等。
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公开(公告)号：CN101279989A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810037728.6
申请日：2008-05-20
Applicant: 上海大学
IPC: C07F13/00 , C07D487/22
Abstract: 本发明涉及一种高光电转换效率的锰酞菁双酚A环氧衍生物的制备。该方法主要包括如下步骤：四硝基锰酞菁的合成，通过胺基取代硝基制备四胺基锰酞菁，在此基础上进行双酚A二缩水环氧甘油醚的合成，将双酚A二缩水环氧甘油醚和四胺基锰酞菁反应，得到锰酞菁双酚A环氧衍生物。本发明制备的锰酞菁双酚A环氧衍生物具有成膜性好、光电转换效率高的特点，在有机太阳能电池上有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN101246941A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810034121.2
申请日：2008-02-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种以H2Te气体为碲源的II－VI族半导体CdTe量子点的制备方法。该方法具体包括前躯体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明以H2Te气体为碲源，通过通入H2Te气体，减少了前驱体溶液的杂质成分，所制备的II－VI族半导体CdTe量子点，粒子分布从2.0～6.5nm，分散均匀，荧光产率高。同时，操作简单，成本低，毒性小，可以直接用于生物荧光标识、临床诊断等。
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公开(公告)号：CN2871563Y
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200520043839.X
申请日：2005-07-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本实用新型涉及一种制备铅的硫族化合物半导体单晶的装置，属半导体单晶制备工艺技术领域。本实用新型装置主要包括有外石英管2、内石英管4、立式加热炉10、滑轮11和马达12。外石英管2与底部敞开的内石英管4间焊有接合缝5，以固定内石英管4；外石英管2与底部为盛放原料的熔化反应区(7)；内石英管4的上部设有一收缩的狭细的管颈口1，该管颈口1上可放置一便能定向生长单晶的籽晶体；内石英管4的上部为一单晶生长形成区6；整个石英管总体放置于一四周设有加热元件的立式加热炉10内，立式加热炉上下部各设为低温区8和高温区9；外石英管2上部的收缩狭细管颈部连接有可使石英管总体提升移动的滑轮11及传动马达12。本装置可制备获得较大的铅的硫族化合物半导体单晶。
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