公开(公告)号：CN205666238U

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201620567427.4

申请日：2016-06-14

Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所

Inventor： 谌怡 ,  吕璐 ,  潘海峰 ,  王卫 ,  刘毅 ,  叶茂 ,  杨超 ,  夏连胜 ,  张篁 ,  石金水 ,  章林文 ,  邓建军

IPC: H01L31/02

Abstract: 本实用新型公开了砷化镓光导开关的引线连接结构，解决了现有砷化镓光导开关在引线连接过程中出现尖端焊点、电极与引线的接触电阻较大的问题。本实用新型包括具有开关电极（2）的砷化镓光导开关本体（4），以及连接在开关电极（2）上的引线（5），其特征在于，所述引线（5）通过热风熔化焊锡膏（6）连接在开关电极（2）上。本实用新型具有提高砷化镓光导开关的成品率，降低制作成本，减小电极与引线的接触电阻，使电极与引线连接牢固，不出现尖端焊点等优点。

公开(公告)号：CN203632569U

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201420001338.4

申请日：2014-01-02

Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所

Inventor： 王凌云 ,  刘宏伟 ,  李杰 ,  李喜 ,  章林文 ,  李洪涛 ,  王传伟 ,  袁建强 ,  姜苹 ,  马勋 ,  丁胜

IPC: H02M7/217

Abstract: 本实用新型公开了一种用于材料表面处理的低温等离子电源，包括依次连接的交流变换单元、波形整形单元和材料表面处理单元。本实用新型的有益效果是：本实用新型的波形整形单元采用多原边变压器，能够输出多种前沿脉冲输出，再通过方波发生器的输出方波的调节脉宽，实现了频率0-50kHZ可调、电压0-50kV可调、脉宽1-100μs可调、上升沿300ns-15μs可调的单极性脉冲；本实用新型的输出电压为单极性，使得两个电极板之间放电非常均匀，对工件和电极板基本没有破坏性，保证了工件或材料的完整性，延长了电极板的使用寿命。

公开(公告)号：CN203406796U

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201320509538.6

申请日：2013-08-21

Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所

Inventor： 谌怡 ,  夏连胜 ,  王卫 ,  刘毅 ,  潘海峰 ,  张篁 ,  石金水 ,  章林文 ,  邓建军

IPC: H02M9/00

CPC classification number: Y02B70/1483

Abstract: 本实用新型提供了一种布鲁莱恩脉冲形成线倍压器。所述的倍压器由多个单级平板布鲁莱恩脉冲形成线交叉层叠构成，每个单级平板布鲁莱恩脉冲形成线包括陶瓷固态平板传输线、GaAs光导开关、激光二极管触发系统以及无感电阻负载。所述的数个单级平板布鲁莱恩脉冲形成线紧凑地布局在平台上，构成多级层叠平板布鲁莱恩脉冲形成线倍压器。本实用新型能够获得多倍于单级平板布鲁莱恩脉冲形成线输出电压幅值的脉宽为纳秒量级的短脉冲高压输出，也可以通过多组多级平板布鲁莱恩脉冲形成线倍压器层叠构成多组多级平板布鲁莱恩脉冲形成线倍压器，或者设计级数更多的多级层叠平板布鲁莱恩脉冲形成线可以获得电压幅值更大、峰值功率更高的短脉冲高压。

公开(公告)号：CN205755265U

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201620700215.9

申请日：2016-07-01

Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所

Inventor： 何小中 ,  赵良超 ,  庞健 ,  马超凡 ,  章林文 ,  李雷 ,  邓建军 ,  石金水 ,  刘本玉 ,  张开志 ,  李劲 ,  李晓强 ,  龙继东 ,  魏涛 ,  李洪 ,  李成刚 ,  陈宇航 ,  李勤 ,  王韬 ,  王敏鸿

IPC: H05K9/00

Abstract: 本实用新型公开了一种屏蔽体，包括多个间隔设置的固体屏蔽层，相邻的固体屏蔽层之间设置有液体屏蔽层。屏蔽体由固体屏蔽层和液体屏蔽层组成，则可以预先制造固体屏蔽层，固体屏蔽层体积重量小，便于运输和安装，在将固体屏蔽层运输和安装到位后，即可在相邻的固体屏蔽层之间充入屏蔽液构成液体屏蔽层，如此降低屏蔽体的运输和安装难度。另外，液体屏蔽层能够填充固体屏蔽层之间的间隙，从而能够保障辐射屏蔽性能。本实用新型还公开了一种包含该屏蔽体的屏蔽装置。

公开(公告)号：CN205755022U

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201620582990.9

申请日：2016-06-15

Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所

Inventor： 何小中 ,  赵良超 ,  庞健 ,  马超凡 ,  张开志 ,  邓建军 ,  石金水 ,  刘本玉 ,  章林文 ,  李雷 ,  李劲 ,  杨国君 ,  杨兴林 ,  杨振 ,  荆晓兵 ,  董攀 ,  杨安民 ,  江孝国 ,  唐蜜 ,  龙全红

IPC: H05H13/00 ,  H05H7/00 ,  A61B6/03

Abstract: 本实用新型公开了一种内离子源回旋加速器，包括：相对于一平面上下对称设置的上磁极和下磁极；分别围绕上磁极和下磁极外周面的上线圈和下线圈；多个围绕上线圈布置的上磁轭，多个围绕下线圈布置的下磁轭；位于上磁极和下磁极之间，并与上磁极和下磁极连接的真空盒；上磁极开设有从上至下贯穿上磁极，且与真空盒连通的上通道；贯穿真空盒的壁，且出射端位于真空盒内的离子源；位于上磁极上方的分子泵，分子泵的输入端朝下设置，分子泵的输入端与上通道连通。分子泵的安装方向便于调整，从而能够将分子泵的输入端朝下设置，将分子泵的输入端从上方与上磁极的上通道连通，从而避免了分子泵在运行或维护过程中容易引入杂质的问题。

公开(公告)号：CN204068756U

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201420382670.X

申请日：2014-07-11

Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所

Inventor： 刘毅 ,  夏连胜 ,  谌怡 ,  王卫 ,  张篁 ,  杨安民 ,  刘云龙 ,  潘海峰 ,  章林文 ,  邓建军

IPC: H02M9/00

CPC classification number: Y02B70/1483

Abstract: 本实用新型提供了一种300kV纳秒脉冲发生器。所述的300kV纳秒脉冲发生器由十六个单级平板Blumlein脉冲形成线交叉层叠构成，每个单级平板Blumlein脉冲形成线包括陶瓷固态平板传输线、GaAs光导开关、激光二极管触发系统、高压二极管以及无感陶瓷电阻负载。所述的十六个单级平板Blumlein脉冲形成线紧凑地布局在平台上，构成300kV纳秒脉冲发生器。本实用新型能够获得十六倍于单级平板Blumlein脉冲形成线输出电压幅值的脉宽为纳秒量级的短脉冲高压输出。实现削弱单级Blumlein脉冲形成线间的电路耦合和电磁耦合。

公开(公告)号：CN204014246U

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201420501783.7

申请日：2014-09-02

Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所

Inventor： 李杰 ,  李喜 ,  谢宇彤 ,  章林文 ,  龙继东 ,  董攀 ,  蓝朝晖 ,  杨振 ,  王韬 ,  彭宇飞 ,  郑乐 ,  何佳龙

IPC: H05H1/52

Abstract: 本实用新型涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种多层介质阻挡放电低温等离子体产生装置，包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有2个金属电极，其中一个金属电极连接功率源的高压输出端，另一个金属电极接地，2个金属电极相对的两个端面相互平行，两个金属电极之间设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙。本实用新型的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理薄膜材料，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层薄膜，能够提高单次处理的薄膜的数量和面积；处理效率高。