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公开(公告)号：CN117214647A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311343806.6
申请日：2023-10-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种电子器件检测方法、装置、设备、存储介质和程序产品。方法包括：确定待测电子器件；所述待测电子器件的背面包括未被损坏的电极结构以及背面暴露区域，所述背面暴露区域的电极结构已损坏；控制预设加压装置向所述电极结构输入偏置电压后，监测所述待测电子器件对应的实时电流；控制激光装置向所述背面暴露区域发射激光，并监测所述实时电流是否发生变化，获得监测结果；根据所述监测结果确定所述背面暴露区域是否存在辐射效应敏感区域。采用本方法能够有效检测功率器件。
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公开(公告)号：CN113077850B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110278942.6
申请日：2021-03-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及电子器件可靠性技术领域，具体公开一种电子材料中α源的识别方法、装置及可读存储介质。方法包括构建α粒子发射能谱数据库；测量目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱；对测量得到的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱，及α粒子发射能谱数据库中的α粒子发射能谱网格化处理；将网格化处理后的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱与网格化处理后的数据库中的α粒子发射能谱逐个比对得到匹配结果；根据匹配结果识别目标电子材料样品中的α源。即可从数据库中匹配出与目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱最接近的能谱，以该能谱在数据库中所对应的α源作为目标电子材料样品中α源的识别结果，识别准确性较高，效率较高。
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公开(公告)号：CN115267467A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210534452.2
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种测试结构及功率器件在线测试装置。所述测试结构包括：多条并联的测试支路，各所述测试支路均包括串联电阻及待测功率器件，所述待测功率器件与位于同一所述测试支路的所述串联电阻串接；供电检测装置，与所述测试支路相连接，用于向所述待测功率器件施加偏置电压，使得所述待测功率器件处于阻断状态，并实时监测干路中的电流。采用本测试结构能够提高试验效率。
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公开(公告)号：CN111693838B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010405988.5
申请日：2020-05-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种纳米场效应晶体管的总剂量辐射试验方法和装置，该试验方法包括如下过程：提供具有统计学意义数量的场效应晶体管器件，进行第一电参数测试，获取其第一阈值电压；对场效应晶体管进行若干次辐射处理至达到预设的总辐射剂量，在每次辐射处理后均进行第二电参数测试；对辐射处理至总辐射剂量后的场效应晶体管进行偏置处理，然后进行第三电参数测试，获得第三阈值电压；根据数据处理所得的缺陷分布值判断所述场效应晶体管器件是否符合产品要求。该试验方法提供了一种针对纳米场效应晶体管的分析方法，其有效解决了纳米场效应晶体管的量子效应及涨落效应导致的波动幅度大，传统技术无法准确分析的问题。
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公开(公告)号：CN114662373A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210137442.5
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/25 , G06F17/18 , G06F11/26 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及一种电子器件的软错误评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取将面源通过降能片组合照射电子器件的情况下，所述电子器件的单粒子翻转截面值组合；通过对体源照射电子器件的情形进行仿真，获得表面粒子通量组合，所述表面粒子通量组合与将面源通过降能片组合照射电子器件的情况下，获得的所述单粒子翻转截面值组合对应；基于所述单粒子翻转截面值组合和所述表面粒子通量组合，确定所述电子器件的软错误率。采用本方法能够提高电子器件的软错误率的评估精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109669804B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201811442659.7
申请日：2018-11-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及用于降低ECC存储器的存储区实际软错误率的方法和装置。提供了一种用于降低ECC存储器的存储区实际软错误率的方法，该方法包括：获取ECC存储器的存储区实际软错误率的函数关系；根据函数关系确定对ECC存储器的存储架构进行拆解的拆解级别k；根据拆解级别k确定对ECC存储器的存储架构进行k级拆解后的存储区的字数和单个字内的位数；根据函数关系和获得的拆解后的存储区的字数和单个字内的位数确定ECC存储器在进行k级拆解后的存储区实际软错误率。上述方法将存储区的单个字拆解为多个字，降低了ECC存储器的软错误率，有效提高了ECC存储器的存储区抗软错误能力，且增强了ECC存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN111737934A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010613760.5
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种功率器件的敏感区域检测方法、计算机设备及存储介质。功率器件的敏感区域检测方法，用于检测功率器件的单粒子烧毁敏感区域，包括：获取功率器件的器件信息；根据器件信息构建仿真模型；将仿真模型中的功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域；基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的仿真区域的过程根据仿真模拟结果判断各仿真区域是否发生单粒子烧毁；如果仿真区域发生单粒子烧毁，则确定该仿真区域为敏感区域。本申请可以有效降低敏感区域的检测成本。
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公开(公告)号：CN111722075A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010611079.7
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种GaN基HEMT器件潜径迹表征用测试结构及表征方法，结构包括底座、导电连接层及扫描探针。底座用于放置GaN基异质结构，GaN基异质结构包括沿远离底座方向依次层叠设置的GaN缓冲层、势垒层以及欧姆接触层，其中，GaN缓冲层和势垒层之间形成有二维电子气，欧姆接触层与二维电子气连通；导电连接层连接底座与欧姆接触层；扫描探针由底座引出，并连接势垒层，以在扫描探针与底座之间形成电回路，扫描探针用于沿势垒层表面扫描并在预设的偏压条件下获取势垒层中潜径迹的表征结果。通过上述测试结构能够快速准确地验证GaN基异质结构的势垒层中是否存在潜径迹，当存在潜径迹，可获取其表征结果，实现对潜径迹的有效表征。
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公开(公告)号：CN110221143A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910461576.0
申请日：2019-05-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供了一种被测器件软错误甄别方法、装置和计算机设备，在出现软错误的情况下，所述方法对被测器件进行器件异常恢复操作，并再次进行软错误检测，根据检测结果确定软错误是否来自于被测器件，从而区分被测器件与其他设备中发生的辐射效应，获得被测器件软错误率，方法简便易行。
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公开(公告)号：CN119652316A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411685661.2
申请日：2024-11-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开提供了一种大气中子辐射试验软错误率确定方法、系统、设备及介质，涉及电子器件辐射效应技术领域，包括配置对数模转换电路DAC器件进行大气中子辐射试验的试验参数，试验参数包括至少一类大气中子的能量值、DAC器件参数和测试设备参数；获取DAC器件在试验过程中的数字输入信号、数字输出信号和模拟输出波形；根据数字输入信号、数字输出信号和模拟输出波形，判定DAC器件在试验过程中是否发生单粒子效应并根据单粒子效应的发生次数确定DAC器件的软错误率。本公开通过设置ADC器件，规避模拟信号远距离传输的衰减和畸变，从而更准确的进行软错误率的评估。
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