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公开(公告)号：CN107022793A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610071451.3
申请日：2016-02-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种红外非线性光学晶体、其制备方法和应用。该红外非线性光学晶体具有如下所示的分子式：A18X21Y6M48，其中，A为Ba、Sr或Pb；X为Zn、Cd或Mn；Y为Ga、In或Al；M为S、Se或Te。该晶体属于三方晶系，空间群为R3。其中的晶体Ba18Zn21Ga6S48是I型相位匹配非线性光学材料，在150～210μm颗粒度范围，其粉末倍频强度和激光损伤阈值分别是商用材料AgGaS2的0.5倍和28倍，其它晶体具有相同或相似的结构和光学等性能，在军事和民用上有着重要的应用前景，可用于光电对抗、资源探测、空间反导和通讯等方面。
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公开(公告)号：CN106653991A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710035154.8
申请日：2017-01-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及三元稀土铜碲晶体材料用作热电材料的用途。该晶体材料分子通式为RECuTe2且空间群为RE为Tb或Dy。该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，在750K时热导率为0.44–0.49W/m·K，电导可达93–120S/cm，塞贝克系数可达226–248μV/K，ZT值为0.95–1.0，可与目前被广泛研究甚至商业化的中温热电材料相媲美。
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公开(公告)号：CN103050618B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201110315433.2
申请日：2011-10-17
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种热电材料及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用无机高温固相一步合成法进行合成。本发明合成的CsxRE2Cu6-xTe6化合物属六方晶系，空间群为P63/m。CsxRE2Cu6-xTe6(RE＝La，Ce，Pr)初步热电性能测试表明该系列化合物有相对高电导率，中等Seebeck系数和相对低热导，其ZT值：0.26(La，614K)，0.17(Ce，660K)和0.23(La，660K)。它们可能具有潜在的热电应用价值。
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公开(公告)号：CN102403445B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110242610.9
申请日：2011-08-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种碲化铋基热电材料Bi38-x(InSb)xTe62及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用一步合成法进行合成。合成条件：在780℃反应2至3天，然后缓慢降温至530℃即获得。本发明中，化合物Bi38-x(InSb)xTe62的特征在于铋碲中碲的名义成分为62%，并在铋位掺杂了少量的In和Sb，其中0.6≤x≤0.8。本发明的优点是：制备方法简单——传统简单的固熔和掺杂方法，直接得到具有高致密度的块体材料，且本发明得到的热电材料Bi38-δ(InSb)δTe62的ZT值在323K时可达到1.108。
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公开(公告)号：CN102191544B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201010116351.0
申请日：2010-03-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种无机非线性光学材料碘硼酸铅晶体及其制备方法和用途，既属于无机化学领域也属于材料科学领域。碘硼酸铅的化学式为Pb2B5O9I，分子量为739.35，属正交晶系，空间群Pnn2，单胞参数为alpha＝90°，beta＝90°，gamma＝90°，Z＝4。碘硼酸铅晶体采用自助熔法一步合成：以氧化铅、碘化铅及氧化硼为原料，摩尔比在PbO∶PbI∶B2O3＝3∶1∶5的基础上将PbO与B2O3过量50-150％作为自助熔剂，混合物置于真空密封的容器中，在700-900℃保温5-48h后以小于10℃/h的速度缓慢降至室温得到终产物碘硼酸铅晶体。该晶体具有优良的非线性光学性能，其粉末倍频效应(SHG)系数为KTP的1.4倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102191544A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010116351.0
申请日：2010-03-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种无机非线性光学材料碘硼酸铅晶体及其制备方法和用途，既属于无机化学领域也属于材料科学领域。碘硼酸铅的化学式为Pb2B5O9I，分子量为739.35，属正交晶系，空间群Pnn2，单胞参数为alpha＝90°，beta＝90°，gamma＝90°，Z＝4。碘硼酸铅晶体采用自助熔法一步合成：以氧化铅、碘化铅及氧化硼为原料，摩尔比在PbO∶PbI∶B2O3＝3∶1∶5的基础上将PbO与B2O3过量50-150％作为自助熔剂，混合物置于真空密封的容器中，在700-900℃保温5-48h后以小于10℃/h的速度缓慢降至室温得到终产物碘硼酸铅晶体。该晶体具有优良的非线性光学性能，其粉末倍频效应(SHG)系数为KTP的1.4倍。
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公开(公告)号：CN105803532B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201410837415.4
申请日：2014-12-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种热电材料，其特征在于，含有CsAg5Te3晶体材料。所述热电材料700K时最佳热电优化值ZT可达1.6，并且具有较高稳定性，可多次循环使用。本申请还公开了一种CsAg5Te3晶体材料的制备方法，以Cs、Ag、Te为原料，采用高温固相法，一步合成CsAg5Te3晶体材料，在大幅缩短合成时间的同时，得到高纯度的产品。
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公开(公告)号：CN105734668B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610182753.8
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ba3P3O10Cl单晶的生长方法，包括：1)采用BaCO3与NH4H2PO4作为原料，经烧结后得到多晶原料；2)将多晶原料与BaCl2、CsCl混合研磨，得到原料混合物，并将原料混合物进行真空密封；3)对真空密封后的所述原料混合物高温加热熔融，之后降温，得到Ba3P3O10Cl单晶。本发明采用合成的多晶原料混合一定比例的BaCl2与CsCl，熔封在密闭的石英管内，采用真空密闭助熔剂坩埚下降法生长，并调整生长过程中的温度等参数，从而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸Ba3P3O10Cl单晶，尺寸约为Φ10×50mm，且在紫外可见光区域透过率可达90％以上。
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公开(公告)号：CN105714372B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610181678.3
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置，包括：炉体；用于支撑所述炉体的炉体支架以及位于所述炉体内的炉膛，所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架上设置有升降装置，以控制位于炉膛内的坩埚托杆的升降，进而控制待加热原料物质在所述高温区与所述低温区之间往复运动移动。该晶体生长装置结构新颖，简单，不仅可以适用于Ba3P3O10Cl单晶的生长，而且还可适用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长，具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN103484939B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201310469418.2
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及红外非线性光学晶体Ba3BSbS6及其制备方法，属于无机非线性光学材料领域。采用高温固相法合成，合成红外非线性光学晶体Ba3BSbS6，属于六方晶系，空间群为化合物Ba3BSbS6在2.05μm激光激发下,其粉末倍频强度为AgGaS2的3倍。
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