-
公开(公告)号：CN108441964A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810338037.3
申请日：2018-04-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种铁电单晶的制备方法，将含有Ga2S3粉末的原料在真空条件下进行加热，高温保温，然后以0.1～100℃/天的速率降温进行晶体的生长，得到所述Ga2S3单晶。该铁电单晶材料在室温条件下2Hz的测试频率下，剩余极化强度(Pr)为0.18μC/cm2；该材料为二元相，合成简单；热稳定性能好。综合性能优良，是潜在的铁电材料。
-
公开(公告)号：CN105734668A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610182753.8
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ba3P3O10Cl单晶的生长方法，包括：1)采用BaCO3与NH4H2PO4作为原料，经烧结后得到多晶原料；2)将多晶原料与BaCl2、CsCl混合研磨，得到原料混合物，并将原料混合物进行真空密封；3)对真空密封后的所述原料混合物高温加热熔融，之后降温，得到Ba3P3O10Cl单晶。本发明采用合成的多晶原料混合一定比例的BaCl2与CsCl，熔封在密闭的石英管内，采用真空密闭助熔剂坩埚下降法生长，并调整生长过程中的温度等参数，从而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸Ba3P3O10Cl单晶，尺寸约为Φ10×50mm，且在紫外可见光区域透过率可达90％以上。
-
公开(公告)号：CN112663135B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202011377984.7
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法及其生长装置。单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法，包括以下步骤：将含有Ga2S3多晶原料和单斜相Ga2S3籽晶的真空密闭容器在温度梯度区内进行加热恒温；晶体生长后降温，得到所述单斜相Ga2S3晶体；所述Ga2S3多晶原料位于高温区；所述单斜相Ga2S3籽晶位于低温区。该生长方法操作简单，且经济实用，得到了能够符合实用要求的厘米级高质量大尺寸单斜相Ga2S3，且在紫外可见近红外光区域透过率高。
-
公开(公告)号：CN112663135A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011377984.7
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法及其生长装置。单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法，包括以下步骤：将含有Ga2S3多晶原料和单斜相Ga2S3籽晶的真空密闭容器在温度梯度区内进行加热恒温；晶体生长后降温，得到所述单斜相Ga2S3晶体；所述Ga2S3多晶原料位于高温区；所述单斜相Ga2S3籽晶位于低温区。该生长方法操作简单，且经济实用，得到了能够符合实用要求的厘米级高质量大尺寸单斜相Ga2S3，且在紫外可见近红外光区域透过率高。
-
公开(公告)号：CN112522789A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011377983.2
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种单斜相Ga2S3晶体的气相生长方法，包括以下步骤：将含有Ga2S3多晶原料、传输剂和单斜相Ga2S3籽晶的真空密闭容器在温度梯度区内进行加热恒温；晶体生长后降温，得到所述单斜相Ga2S3晶体。该并公开了一种晶体生长装置。本发明采用封闭式化学气相沉积法进行晶体生长，并调整生长过程中的温度等参数，从而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量单斜相Ga2S3晶体，且在紫外可见近红外光区域透过率可达80％以上。该技术具有操作简单，经济，安全和环境友好等优势。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108441964B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810338037.3
申请日：2018-04-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种铁电单晶的制备方法，将含有Ga2S3粉末的原料在真空条件下进行加热，高温保温，然后以0.1～100℃/天的速率降温进行晶体的生长，得到所述Ga2S3单晶。该铁电单晶材料在室温条件下2Hz的测试频率下，剩余极化强度(Pr)为0.18μC/cm2；该材料为二元相，合成简单；热稳定性能好。综合性能优良，是潜在的铁电材料。
-
公开(公告)号：CN105734668B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610182753.8
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ba3P3O10Cl单晶的生长方法，包括：1)采用BaCO3与NH4H2PO4作为原料，经烧结后得到多晶原料；2)将多晶原料与BaCl2、CsCl混合研磨，得到原料混合物，并将原料混合物进行真空密封；3)对真空密封后的所述原料混合物高温加热熔融，之后降温，得到Ba3P3O10Cl单晶。本发明采用合成的多晶原料混合一定比例的BaCl2与CsCl，熔封在密闭的石英管内，采用真空密闭助熔剂坩埚下降法生长，并调整生长过程中的温度等参数，从而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸Ba3P3O10Cl单晶，尺寸约为Φ10×50mm，且在紫外可见光区域透过率可达90％以上。
-
公开(公告)号：CN105714372B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610181678.3
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置，包括：炉体；用于支撑所述炉体的炉体支架以及位于所述炉体内的炉膛，所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架上设置有升降装置，以控制位于炉膛内的坩埚托杆的升降，进而控制待加热原料物质在所述高温区与所述低温区之间往复运动移动。该晶体生长装置结构新颖，简单，不仅可以适用于Ba3P3O10Cl单晶的生长，而且还可适用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长，具有广泛的应用价值。
-
公开(公告)号：CN105714372A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610181678.3
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B11/006 , C30B11/00 , C30B29/10
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置，包括：炉体；用于支撑所述炉体的炉体支架以及位于所述炉体内的炉膛，所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架上设置有升降装置，以控制位于炉膛内的坩埚托杆的升降，进而控制待加热原料物质在所述高温区与所述低温区之间往复运动移动。该晶体生长装置结构新颖，简单，不仅可以适用于Ba3P3O10Cl单晶的生长，而且还可适用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长，具有广泛的应用价值。
-
公开(公告)号：CN114574971A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111591718.9
申请日：2021-12-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种适用于单斜相Ga2S3单晶的可视CVT晶体生长装置与方法，属于单晶生长技术领域。将含有Ga2S3多晶原料和ICl3的真空密闭容器在控温区内进行恒温加热；晶体生长结束后降温，得到所述单斜相Ga2S3单晶。生长装置中设计的观察视窗，可以实时观察晶体生长情况，并设定稳定的上升程序，使得晶体结晶界面始终处在恒定的温度点上，进而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸单斜相Ga2S3单晶，尺寸约为Φ10×20mm。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.032 seconds)
