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公开(公告)号：CN111676517A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010450475.6
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明属于无机非线性光学材料技术领域，具体公开了一种非心混阴离子晶体及其制备方法与应用。该晶体具有如下所示的分子式：SrGeOSe2，其晶体结构属于正交晶系，空间群为P212121。该晶体具有优良的二阶非线性光学性质以及大小适中的双折射率，较宽的透光范围，强的红外倍频响应，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的1.3倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的36倍，在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要应用价值，尤其是用于红外探测器和红外激光器。
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公开(公告)号：CN110306242A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910637822.3
申请日：2019-07-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供了一种三元非心硫化物的晶体材料及其制备方法与应用。所述三元非心硫化物的晶体材料的制备方法简单，条件温和，制备得到的三元非心硫化物的晶体材料纯度高，且所述三元非心硫化物的晶体材料具有优良的二阶非线性光学性质，其具有大小适中的双折射率，强的粉末倍频响应以及高的激光损伤阈值，可用于红外探测器、红外激光器、激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等领域。
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公开(公告)号：CN108441955A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810367156.1
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/10 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本发明属于无机非线性光学材料技术领域，具体公开了一种红外非线性光学晶体、其制备方法与用途。该晶体具有如下所示的分子式：Sr5ZnGa6S15，其晶体结构属于正交晶系，空间群为Ama2。该晶体具有优良的二阶非线性光学性质以及大小适中的双折射率，较宽的透光范围，强的红外倍频响应，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的1.2倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的16倍，在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要应用价值，尤其是用于红外探测器和红外激光器。
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公开(公告)号：CN106119969A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610704761.4
申请日：2016-08-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551 , G02F1/37
Abstract: 本发明涉及光学晶体AZn4Ga5S12用作红外非线性光学材料的用途，其中，A为K或Rb。所述光学晶体具有优良的二阶非线性光学性质以及较宽的透光范围，具有强的红外倍频响应和高的激光损伤阈值，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的7～8倍且其激光损伤阈值是AgGaS2的36倍，可用于中红外探测器和激光器。此外，本申请所提供的制备红外非线性光学晶体的方法操作简单，得到的样品具有较高的结晶度和纯度。
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公开(公告)号：CN105552202A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510894693.8
申请日：2015-12-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶体材料、其制备方法及含有该晶体材料的热电材料及其制备方法。该晶体材料分子通式为TmCu3(1-x)Te3，x代表Cu的空位含量，0＜x≤0.1。该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，热导率为0.86W/m·K，电导可达571S/cm，塞贝克系数可达108V/K。可通过调节TmCu3(1-x)Te3体系中Cu空位改变载流子浓度，从而优化其热电优值ZT，使ZT在850K时大于0.45，甚至可达0.65，比未优化的性能提高了44.4％，可与目前被广泛研究甚至商业化的高温热电材料相媲美。
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公开(公告)号：CN118028981A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211371008.X
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种稀土基无机化合物及其制备方法与用途。本发明的稀土基无机化合物具有如下所示的化学式：RE3[Ga3O3S3][Ge2O7]；其中，RE选自稀土金属元素Pr、Nd、Sm、Gd中的至少一种。本发明的稀土基无机化合物RE3[Ga3O3S3][Ge2O7]，其倍频强度是商用AgGaS2的0.8–1.2倍，其激光损失阈值是商用AgGaS2的25～30倍，性能提升幅度巨大，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117987926A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211374341.6
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种无机非线性光学晶体、其制备方法与用途。本发明的光学晶体的分子式为AGe2O3S2，其中A选自碱土金属元素。本发明的光学晶体具有优良的二阶非线性光学性质,在红外波段能够实现相位匹配，具有宽的光学带隙(Eg>3.5eV)，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的0.8‑1.5倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的20‑30倍，在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要应用价值，尤其是用于红外探测器和红外激光器。
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公开(公告)号：CN116791209A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210255825.2
申请日：2022-03-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明属于无机非线性光学材料技术领域，具体公开了一种铋基红外非线性光学晶体、其制备方法与用途。本发明的光学该晶体的分子式为：RbBiP2S6，其晶体结构属于单斜晶系，空间群为P21。本发明的光学晶体具有优良的二阶非线性光学性质，在红外波段能够实现相位匹配，较宽的透光范围，强的红外倍频响应，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的10～15倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的9～13倍，在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要应用价值，尤其是用于红外探测器和红外激光器。
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公开(公告)号：CN110639534B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910878053.6
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: B01J23/86 , B01J35/10 , C25B11/089 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开一种析氧电催化材料及其制备方法和应用。该催化材料含有铁镍铬层状双氢氧化物(FeNiCr‑LDH)和金属基底，所述FeNiCr‑LDH原位垂直生长在所述金属基底的表面，所述金属基底中含有铁元素、镍元素和铬元素。本发明采用一步水热合成法，以金属基底作为半牺牲模板，在2,5‑二羟基对苯二甲酸配体的调控下，超薄纳米片状的FeNiCr‑LDH原位生长在金属基底表面，得到电催化材料，并将其直接作为自支撑电极用于电催化析氧反应。本发明制备的电催化材料具有优异的电催化活性，良好的电化学稳定性，制备工艺简单易行，成本低廉，具有大规模工业化的应用前景。
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公开(公告)号：CN111672521A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010409398.X
申请日：2020-05-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: B01J27/128 , B01J37/08 , C25B1/00 , C25B11/06
Abstract: 本发明公开一种过渡金属单原子材料及其制备方法和应用。该材料含有活性组分和载体，所述活性组分为镍单原子、铁单原子和/或钴单原子，所述载体为氟掺杂碳纳米片，所述的镍单原子、铁单原子和/或钴单原子均匀地分散在所述氟掺杂碳纳米片上。所述金属镍单原子材料在电催化二氧还原制备一氧化碳的应用中，具有较高的活性和稳定性。本发明提供的制备方法在惰性气氛下可大量制备，十分适用于规模化、工业化生产。
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