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公开(公告)号：CN108206674A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201611175442.5
申请日：2016-12-19
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种带缺陷地结构的Doherty放大器，包括信号分离器、主放大电路、至少一个辅助放大电路及信号合路器；信号分离器对输入信号进行分离后发送至主放大电路和辅助放大电路；主放大电路和辅助放大电路将信号分离器分离后的信号分别放大后输入到信号合路器；信号合路器将主放大电路和辅助放大电路放大后的信号合路后输出；辅助放大电路包括峰值放大器，峰值放大器输出端传输线的下方设置有第一缺陷地结构。本发明提供的带缺陷地结构的Doherty放大器，在峰值放大器输出端传输线的下方设置第一缺陷地结构，从而抑制辅助放大电路输出信号的谐波分量，提升了Doherty放大器的输出功率、功率附加效率及线性度，同时，通过设置第一缺陷地结构可以缩小电路尺寸，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN112289860B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201910670046.7
申请日：2019-07-24
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
摘要： 本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括衬底、位于衬底上的Ⅲ族氮化物异质结、位于Ⅲ族氮化物异质结上的能量吸收层和半导体层、及金属电极，所述Ⅲ族氮化物异质结包括位于衬底上的沟道层及位于沟道层上的势垒层，所述金属电极包括位于位于Ⅲ族氮化物异质结上的源极和漏极、以及位于能量吸收层上且位于源极和漏极之间的栅极，所述能量吸收层全部或部分区域为F离子注入区，通过F离子注入以调控阈值电压。本发明在栅下区域设置了F离子注入区并作为能量吸收层，有效地减少了离子注入过程中的损伤，达到提升HEMT器件性能的目的；通过控制离子注入条件调控HEMT器件阈值电压，实现较高的阈值电压。
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公开(公告)号：CN109950323B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201711383701.8
申请日：2017-12-20
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及制作方法。所述器件包括：包括第一、第二半导体的第一异质结，所述第一异质结构中形成有二维电子气；包括所述第二半导体和第三半导体的第二异质结，所述第二异质结中形成有二维空穴气；形成于所述第二半导体上的第四半导体，所述第四半导体与第三半导体在水平方向上紧密连接；所述第四半导体为p型掺杂，可以将所述第一异质结中的二维电子气耗尽；与第一异质结连接的阳极和阴极，所述阳、阴极与所述第一异质结中二维电子气电连接，所属阳极同时与第四半导体形成电连接。
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公开(公告)号：CN113745331A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010465766.2
申请日：2020-05-28
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种III族氮化物凹槽栅常关型P沟道HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括由第一半导体、第二半导体和第三半导体所形成的双异质结结构，所述双异质结具有双二维空穴气(2DHG)；所述第三半导体具有比第二半导体小的带隙，易于采用能带选择的光电化学腐蚀(PEC)技术去除，并形成凹槽结构；所述凹槽结构与栅极结构配合设置，可以将第二半导体内对应栅极下方区域的二维空穴气耗尽。本发明可以有效实现大输出电流、低导通电阻的凹槽栅常关型P沟道HEMT器件。
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公开(公告)号：CN108695156B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201710212313.7
申请日：2017-04-05
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/285 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第三半导体上覆设介质层，并对所述介质层进行加工以暴露与所述异质结构的源、漏区域对应的所述第三半导体；对所述被暴露部分的第三半导进行减薄处理，以至少能够平衡二维电子气处电阻与势垒层电阻；对所述被暴露部分的第三半导体的表面进行处理，以增加被暴露部分的第三半导体的表面粗糙度；在所述被暴露部分的第三半导体上制作与所述异质结构连接的源极和漏极，在介质层上制作与所述异质结构连接的栅极，所述栅极分布于源极与漏极之间。
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公开(公告)号：CN109950324A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201711384917.6
申请日：2017-12-20
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/417 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种p型阳极的Ⅲ族氮化物二极管器件及制作方法。所述器件包括：第一异质结，包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，且所述第一异质结构中形成有二维电子气；第二异质结，包括所述第二半导体和形成于所述第二半导体表面上局部区域的第三半导体，所述第三半导体为p型掺杂，掺杂浓度可以将所述第一异质结中的二维电子气耗尽；与所述第一异质结连接的阳极和阴极，所述阳、阴极与所述二维电子气电连接，所述阳极同时与第三半导体形成欧姆接触或者肖特基接触。本发明的器件结构简单，具有低开启电压、高耐压和高频率等优点，同时制作工艺简单，重复性高，成本低廉，易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN108695156A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710212313.7
申请日：2017-04-05
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/285 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第三半导体上覆设介质层，并对所述介质层进行加工以暴露与所述异质结构的源、漏区域对应的所述第三半导体；对所述被暴露部分的第三半导进行减薄处理，以至少能够平衡二维电子气处电阻与势垒层电阻；对所述被暴露部分的第三半导体的表面进行处理，以增加被暴露部分的第三半导体的表面粗糙度；在所述被暴露部分的第三半导体上制作与所述异质结构连接的源极和漏极，在介质层上制作与所述异质结构连接的栅极，所述栅极分布于源极与漏极之间。
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公开(公告)号：CN106159671A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510166797.7
申请日：2015-04-10
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/343 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法。该集成单片包括集成设置的Ⅲ族氮化物HEMT和GaN激光器，其中GaN激光器包括从下向上依次设置的N型氮化镓层、量子阱结构以及P型氮化镓层等，所述Ⅲ族氮化物HEMT包括主要由从下向上依次设置的本征氮化镓层和势垒层组成的异质结等，所述本征氮化镓层形成在所述P型氮化镓层上，其中所述HEMT的源电极还与GaN激光器的P型电极电性连接。本发明在不改变GaN激光器体积的前提下，将GaN HEMT器件与激光器有机集成，充分利用HEMT的驱动和栅控特点结合GaN激光器的发光特性，可以在通信和显示领域得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN106158948A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510166798.1
申请日：2015-04-10
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法。该器件包括源、漏、栅电极以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，第一半导体设置于源、漏电极之间，栅电极设于第二半导体表面，第二半导体内还包含P型掺杂区，P型掺杂区分布于栅电极下方但在第一半导体上方，栅电极包括：与第二半导体形成肖基特接触的、作为离子注入能量吸收层的第一栅电极材料层，以及叠设在第一栅电极材料层上的第二栅电极材料层。本发明可以有效的实现增强型HEMT器件，并且器件的阈值电压可以通过注入的离子剂量而调节，制作工艺简单、重复性好，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN110518067B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201810491766.2
申请日：2018-05-21
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种基于沟道阵列的异质结场效应晶体管及其制作方法和应用。所述基于沟道阵列的异质结场效应晶体管包括异质结以及与所述异质结配合的源极、漏极和栅极，异质结中形成有二维电子气，源极与漏极通过二维电子气电连接；所述晶体管还包括形成在所述异质结上的第三半导体，第三半导体能够将分布于其下方的二维电子气耗尽，在所述栅极下方的第三半导体中还形成有至少一第四半导体，并且第四半导体下方的二维电子气被保留而形成沟道。本发明提供的制作方法无需采用刻蚀技术，避免了刻蚀均匀性、重复性以及刻蚀损伤等问题；以H等离子处理或H扩散的方式处理P‑GaN，处理深度可控，不会对下层材料以及二维电子气造成损伤，保证了器件的可靠性。
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