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公开(公告)号:CN116029091B
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202211455400.2
申请日:2022-11-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种基于相干传输矩阵法的芯片仿真方法、装置和计算机设备,其中,该方法包括:按预设交换网络的拓扑结构设置的开关单元,构建芯片仿真系统;基于光学传输矩阵,对每个开关单元的性能进行仿真分析,得到与每个开关单元对应的性能;根据每个开关单元对应的性能和预设交换网络的拓扑结构,确定芯片仿真系统的性能。通过本申请,解决了存在由于单个芯片性能的差异带来芯片系统不确定性,使得整个芯片系统呈现未知状态的问题,实现了基于开关单元构建芯片仿真系统,仿真分析出各个开关单元对应的性能,进而确定芯片仿真系统的性能,能清晰的了解单个开关的性能在整个芯片仿真系统中的影响。
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公开(公告)号:CN117236263B
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202311522636.8
申请日:2023-11-15
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/367 , G06F9/48 , G06F12/0877
Abstract: 本说明书公开了一种多芯粒互联仿真方法、装置、存储介质及电子设备,通过结构模拟工具包给若干个第二芯粒配置地址,再利用结构模拟工具包将第一芯粒与若干个第二芯粒进行连接,根据第二芯粒的目标地址,将数据包发送至对应的第二芯粒,再通过结构模拟工具包,接收第二芯粒的处理结果。实现一个第一芯粒与若干个第二芯粒的仿真互联,并进行数据传输。
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公开(公告)号:CN116609897B
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202310893682.2
申请日:2023-07-20
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种大规模光交换芯片的混合封装结构及验证方法,该封装结构由芯片、转接板芯片和PCB构成;其芯片上有交替连接的植球焊盘和导线;转接板芯片上有交替连接的BGA、倒装焊接焊盘和引线键合焊盘及导线;转接板上的引线键合焊盘用来验证引线键合连通率;芯片和转接板之间通过倒装焊接工艺Flip Chip形成菊花链,并通过PCB上导线扇出以进行导通测试;其转接板和PCB通过BGA形成菊花链,并通过PCB上导线扇出以进行导通测试;该结构有2048个端口,通过线路和结构的设计,最大可以满足256×256规模光交换芯片封装的技术开发和验证,降低光交换芯片电学封装的成本,提高了芯片封装验证效率和设计开发周期。
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公开(公告)号:CN116029091A
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN202211455400.2
申请日:2022-11-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种基于相干传输矩阵法的芯片仿真方法、装置和计算机设备,其中,该方法包括:按预设交换网络的拓扑结构设置的开关单元,构建芯片仿真系统;基于光学传输矩阵,对每个开关单元的性能进行仿真分析,得到与每个开关单元对应的性能;根据每个开关单元对应的性能和预设交换网络的拓扑结构,确定芯片仿真系统的性能。通过本申请,解决了存在由于单个芯片性能的差异带来芯片系统不确定性,使得整个芯片系统呈现未知状态的问题,实现了基于开关单元构建芯片仿真系统,仿真分析出各个开关单元对应的性能,进而确定芯片仿真系统的性能,能清晰的了解单个开关的性能在整个芯片仿真系统中的影响。
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公开(公告)号:CN115988360A
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202211367743.3
申请日:2022-11-02
Applicant: 之江实验室
IPC: H04Q11/00
Abstract: 本发明公开了一种四维可拓展的光交换网络架构及其构建方法,该网络架构分为两个部分,一部分称为可拓展传输区域,由4个N×N的蝶形网络组成,构成了低复杂度、低串扰的光开关阵列;另一部分称为四维路由区域,由N/2个环形网络组成,将构建的可拓展传输区域和四维路由区域连接起来,即可构建N×N×N×N的四维可拓展的光交换网络架构。本发明突破传统二维光开关阵列的限制,实现了光交换阵列维度上的拓展,每个端口可与另外3N个端口实现互连,以更少的光开关单元实现更大的信号交换规模,有效地解决了随着端口数增加光交换网络面积过大的问题。
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公开(公告)号:CN115939033A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202310019294.1
申请日:2023-01-06
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请涉及金属凸点的制作方法与倒装芯片互连方法。其中,金属凸点的制作方法包括:在基底上形成种籽层;在所述种籽层上形成第一光刻胶图案,所述第一光刻胶图案暴露部分种籽层;刻蚀去除暴露于所述第一光刻胶图案外的种籽层,而后去除残余的第一光刻胶图案;形成第二光刻胶图案,所述第二光刻胶图案暴露所述种籽层;利用电化学沉积工艺在所述种籽层上电镀形成凸点下金属和金属凸点;去除所述第二光刻胶图案。一个实施例中,第二光刻胶图案的材料是SU8光刻胶。上述金属凸点的制作方法以及制得的上述金属凸点可很好地适用于超细间距且高度可调的倒装芯片互连工艺中。
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