-
公开(公告)号：CN107631209A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710796721.1
申请日：2017-09-06
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
IPC分类号： F21S8/00 , F21V5/04 , F21W131/107
摘要： 本发明公开了一种用于补偿洗墙灯底部暗区的透镜结构，包括透镜本体，所述透镜本体包括第一入光面，第二入光面，第一全反射面，防水壁面，第二全反射面和出光面，光线从所述第二入光面进入后依次经过第一全反射面，防水壁面和第二全反射面，最后从所述出光面准直射出；所述防水壁面设置在所述第一全反射面和第二全反射面之间，所述第一全反射面的边缘光线穿过所述防水壁面与所述第二全反射面的边缘光线重合。本发明在第二全反射面设置有剖切面的原理，巧妙地将一部分光导引到相应暗区的位置，实现暗区的填补，再通过添加微结构实现柔和过度。
-
公开(公告)号：CN107504452A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710796467.5
申请日：2017-09-06
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
摘要： 本发明公开了一种中部具有防水壁面结构的洗墙灯透镜，包括透镜本体，所述透镜本体包括第一入光面，第二入光面，第一全反射面，防水壁面，第二全反射面和出光面，光线从所述第二入光面进入后依次经过第一全反射面，防水壁面和第二全反射面，最后从所述出光面准直射出；所述防水壁面设置在所述第一全反射面和第二全反射面之间，所述第一全反射面的边缘光线穿过所述防水壁面与所述第二全反射面的边缘光线重合。本发明光学效果好，光学利用率高。
-
公开(公告)号：CN107394023A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710585131.4
申请日：2017-07-18
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
摘要： 本发明公开了一种晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜的制备方法，其包括以下步骤：生长衬底预处理、生长氧化锌种子层、第一次晶化处理、生长氧化锌电流扩展层、第二次晶化处理、生长纳米结构氧化锌表面层、第三次晶化处理。本发明制备方法通过在生长衬底上生长三层氧化锌并分别进行晶化处理而制备一种晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜结构，其解决了现有LED技术中TCL性能和结构不足而无法满足高亮度、大功率和高可靠性应用领域需求的问题。
-
公开(公告)号：CN106848040A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710201132.4
申请日：2017-03-30
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
CPC分类号： H01L33/504 , B82Y20/00 , H01L33/505
摘要： 本发明公开了一种基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法，其将作为色转换介质的纳米级的量子点均匀混入光固化树脂中并在基板上利用3D打印技术打印量子点薄膜。所述方法基于目前发展程度很高的3D打印技术，其具有自动化控制精度高、技术适用范围广、成膜均匀和物料节约的特点，且特别适用于基于量子点的色转换LED器件的制备。
-
公开(公告)号：CN106594674A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610943865.0
申请日：2016-10-26
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
IPC分类号： F21V5/04
CPC分类号： F21V5/045
摘要： 本发明公开了一种基于点光源的准直透镜，所述准直透镜为旋转对称结构，所述点光源设置在透镜旋转对称轴上，该准直透镜包括第一入射面、第二入射面、反射面和出射面；所述光源发出的光线分成两个部分，第一部分光线从空气进入到所述第一入射面，经所述第一入射面折射后，再经所述出射面折射出射；第二部分光线从空气进入到所述第二入射面，经所述第二入射面折射后再经所述出射面的全反射后入射到所述反射面，然后经所述反射面的反射后再经所述出射面折射出射。该准直透镜在保持光学性能的同时，降低了透镜的体积和重量，减少了制造成本。
-
公开(公告)号：CN106591805A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611046665.1
申请日：2016-11-23
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45512 , C23C16/458
摘要： 一种MOCVD设备喷淋头及包含其的MOCVD设备和进气方式。本发明提供一种MOCVD设备喷淋头，包括进气装置、反应腔和旋转基座，所述进气装置包括输运通道、氧源和载气入口、MO源喷射格栅、静态混合器、可调节导流板和整流器，所述整流器设置于反应腔内的顶部；所述MO源喷射格栅包括设置于输运通道中的喷射格栅和部分设置于输运通道外的MO源入口管；所述氧源和载气入口设置于输运通道的初始端；所述输运通道中，从起始端开始依次设置有喷射格栅、静态混合器和可调节导流板，所述可调节导流板位于输运通道的拐角处。本发明提供的输运通道将氧源与MO源在反应腔外掺混完成，防止了预反应的进行，提高了薄膜生长质量，且掺混后的混合气体通过整流器直接均匀喷淋至基片表面，提高生长速率。
-
公开(公告)号：CN106555982A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610881951.3
申请日：2016-10-08
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
IPC分类号： F21V5/04 , F21K9/69 , F21Y115/10
CPC分类号： F21V5/046
摘要： 本发明公开了一种薄型准直透镜及其设计方法。所述准直透镜为旋转对称结构，光源中心设置在旋转对称轴上，该透镜包括入射面、第一反射面、第二反射面和出射面。所述第一反射面位于入射面和第二反射面之间，所述光源发出的光线经过三个部分，第一部分光线不经过任何光学介质从透镜顶部出射面出射；第二部分光线经过所述入射面折射后再经出射面的全反射后入射到所述第二反射面，然后经所述第二反射面的反射后从出射面出射；第三部分光线经过所述入射面折射后进入第一发射面，通过所述第一发射面的全反射从出射面出射。上述透镜可解决现有技术中透镜体积与重量很大的缺陷，降低了透镜的制造成本。
-
公开(公告)号：CN106503297A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610851059.0
申请日：2016-09-26
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
CPC分类号： G06F17/5086 , C23C16/46 , C23C16/52 , G06N3/02
摘要： 本发明涉及一种MOCVD反应腔石墨盘均匀加热工艺参数的优化方法，将计算机和传热学知识结合起来，对MOCVD反应腔中加热情况进行模拟，利用神经网络构建数学模型，再利用遗传算法进行寻优，找出石墨盘表面温度最均匀时的加热电流，从而有利于薄膜均匀沉积，提高薄膜生长质量。
-
公开(公告)号：CN117821928A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311783833.5
申请日：2023-12-22
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/46
摘要： 本发明公开了一种MOCVD半导体外延设备的喷淋匀气结构，喷淋腔内设置有第一腔体和第二腔体，第一腔体上设置有多个Ⅱ、III族气体喷管，第一腔体与Ⅱ、III族进气管连接，且第一腔体与Ⅱ、III族进气管垂直，Ⅱ、III族气体喷管下端面向衬底上表面，第二腔体上设置有多个Ⅵ、Ⅴ族气体喷管，第二腔体与Ⅵ、Ⅴ族进气管连接，且第二腔体与Ⅵ、Ⅴ族进气管垂直，Ⅵ、Ⅴ族气体喷管下端面向衬底上表面，Ⅱ、III族气体喷管和Ⅵ、Ⅴ族气体喷管下端齐平，且交替布置。本发明第一、第二腔体底部布满出气管道，保证了喷出气体流速均匀，形成稳定可控的边界条件，管道口遍布衬底，保证气体喷到整个衬底，在衬底四周反应，保证外延片上生成的薄膜厚度均匀，质量好。
-
公开(公告)号：CN107699864B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201710827333.5
申请日：2017-09-14
申请人： 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18
摘要： 金属有机化学气相沉积法，是一种广泛用来生长半导体和氧化物外延薄膜的技术，目前这项生长技术已经发展的相当成熟，在工业化生产中得到了广泛的应用，MOCVD方法最大的优点在于它生长速度快，容易实现大规模生产，而且此方法对均匀掺杂控制非常方便，同时生长速率和温度的控制范围都很大，所以可以方便地生长出复杂组分的精细结构，现有技术中的MOCVD设备，通入反应腔中的气体流场分布比较复杂，难以定向控制，影响薄膜生长质量，效率低下，同时消耗了反应物，提高了成本，也降低了薄膜的外延速度，为了解决上述问题本发明提供了一种MOCVD设备进气装置和反应腔的结构，以克服上述缺点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
344 条记录 (耗时 0.097 秒)
