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公开(公告)号：CN107394023B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201710585131.4
申请日：2017-07-18
申请人： 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
摘要： 本发明公开了一种晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜的制备方法，其包括以下步骤：生长衬底预处理、生长氧化锌种子层、第一次晶化处理、生长氧化锌电流扩展层、第二次晶化处理、生长纳米结构氧化锌表面层、第三次晶化处理。本发明制备方法通过在生长衬底上生长三层氧化锌并分别进行晶化处理而制备一种晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜结构，其解决了现有LED技术中TCL性能和结构不足而无法满足高亮度、大功率和高可靠性应用领域需求的问题。
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公开(公告)号：CN106968015B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710195510.2
申请日：2017-03-29
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
摘要： 本发明提供一种氧化铟基透明导电薄膜及其制备方法，该氧化铟基透明导电薄膜包括基底材料、氧化铟籽晶层和氧化铟主体层；所述氧化铟籽晶层附着在基底材料的表面，所述氧化铟主体层附着在氧化铟籽晶层的表面。其通过金属有机化学气相沉积的方式制备，以有机金属三甲基铟作为铟源、高纯氧气作为氧源，四(二甲氨基)锡作为掺杂源制备获得。本发明的氧化铟基透明导电薄膜厚度为20nm～1μm，电阻率小于5×10‑4Ω·cm，具有4.1～4.7eV的光学带隙，在300nm处的透过率大于50％，且光谱透射区域延伸到深紫外波段，还能精准控制表面形貌，适用于作为近紫外‑深紫外波段的透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN106591805B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201611046665.1
申请日：2016-11-23
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 一种MOCVD设备喷淋头及包含其的MOCVD设备和进气方式。本发明提供一种MOCVD设备喷淋头，包括进气装置、反应腔和旋转基座，所述进气装置包括输运通道、氧源和载气入口、MO源喷射格栅、静态混合器、可调节导流板和整流器，所述整流器设置于反应腔内的顶部；所述MO源喷射格栅包括设置于输运通道中的喷射格栅和部分设置于输运通道外的MO源入口管；所述氧源和载气入口设置于输运通道的初始端；所述输运通道中，从起始端开始依次设置有喷射格栅、静态混合器和可调节导流板，所述可调节导流板位于输运通道的拐角处。本发明提供的输运通道将氧源与MO源在反应腔外掺混完成，防止了预反应的进行，提高了薄膜生长质量，且掺混后的混合气体通过整流器直接均匀喷淋至基片表面，提高生长速率。
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公开(公告)号：CN107086260A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710251224.3
申请日：2017-04-18
申请人： 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/007
摘要： 本发明提供了一种倒装LED芯片结构及其制作方法。倒装LED芯片结构包括：三维图形结构、蓝宝石衬底、半导体材料层、N电极、接触反射层、绝缘隔离层、P电极和焊接电极10；所述半导体材料层包括N型半导体材料、发光层和P型半导体材料。在蓝宝石衬底表面形成掩膜材料，再用光刻蚀刻的方法将光刻胶图案制作在掩膜上，蚀刻掩膜，去除光刻胶，在衬底表面形成三维图形结构掩膜层，再用蚀刻的方法在衬底表面形成三维图形结构，最后清除掩膜。本发明可以根据特定应用场景的光源要求，对倒装LED芯片的蓝宝石衬底出光面进行光学设计与加工，制作出单个的、周期性的或者非周期性的三维光学图形，从而实现所需的光源要求。
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公开(公告)号：CN107068830A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710202968.6
申请日：2017-03-30
申请人： 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
摘要： 本发明公开了一种应用于紫外LED的全角度高反射率DBR结构，包括衬底，所述衬底的上表面由下向上依次设置有GaN层，n型GaN层，p型GaN层和透明导电薄膜，所述n型GaN层和p型GaN层上设有电极且所述n型GaN层和p型GaN层之间设置有；量子阱层，所述衬底的下表面设置有N个DBR单元，每个DBR单元均包括高折射率材料层和低折射率材料，并且高折射率材料层和低折射率材料层相互交替叠加，其中高折射率材料层的厚度为30‑100nm，低折射率材料层的厚度为50‑150nm。本发明具有反射率高，反射谱宽，以及高角度入射的情况下反射率高的特点。
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公开(公告)号：CN106968015A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710195510.2
申请日：2017-03-29
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
CPC分类号： C23C16/40 , C30B25/08 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/16
摘要： 本发明提供一种氧化铟基透明导电薄膜及其制备方法，该氧化铟基透明导电薄膜包括基底材料、氧化铟籽晶层和氧化铟主体层；所述氧化铟籽晶层附着在基底材料的表面，所述氧化铟主体层附着在氧化铟籽晶层的表面。其通过金属有机化学气相沉积的方式制备，以有机金属三甲基铟作为铟源、高纯氧气作为氧源，四(二甲氨基)锡作为掺杂源制备获得。本发明的氧化铟基透明导电薄膜厚度为20nm～1μm，电阻率小于5×10‑4Ω·cm，具有4.1～4.7eV的光学带隙，在300nm处的透过率大于50％，且光谱透射区域延伸到深紫外波段，还能精准控制表面形貌，适用于作为近紫外‑深紫外波段的透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN106521459A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610850215.1
申请日：2016-09-26
申请人： 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/407
摘要： 本发明涉及一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法，将计算机和化学气相沉积过程的机理结合起来，利用神经网络模型和遗传算法进行工艺参数寻优，找出薄膜沉积率最均匀时的MO源流量，从而节省人力物力，同时节省时间成本。
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公开(公告)号：CN106373910A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610806112.5
申请日：2016-09-05
申请人： 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/467
CPC分类号： H01L21/467 , H01L21/67 , H01L21/6708
摘要： 本发明涉及湿法刻蚀技术领域，公开了一种用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法，用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备包括：人工上片工位，蚀刻液喷涂工位，反应工位，清洗工位，风干工位，取料工位，空盘回收工位和输送装置。ZnO片放在人工上片工位的工装盘后，依次经过蚀刻液喷涂工位，反应工位，清洗工位，风干工位，取料工位，取料后空的工装盘由空盘回收工位输送至人工上片工位供下次使用。此外，本发明还提供了一种湿法刻蚀方法。采用本发明技术方案，可以有效的缓解ZnO薄膜的侧向腐蚀问题，提高了产品生产的合格率和蚀刻液的利用率，可适用于大规模批量连续生产。
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公开(公告)号：CN106373910B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610806112.5
申请日：2016-09-05
申请人： 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/467
摘要： 本发明涉及湿法刻蚀技术领域，公开了一种用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法，用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备包括：人工上片工位，蚀刻液喷涂工位，反应工位，清洗工位，风干工位，取料工位，空盘回收工位和输送装置。ZnO片放在人工上片工位的工装盘后，依次经过蚀刻液喷涂工位，反应工位，清洗工位，风干工位，取料工位，取料后空的工装盘由空盘回收工位输送至人工上片工位供下次使用。此外，本发明还提供了一种湿法刻蚀方法。采用本发明技术方案，可以有效的缓解ZnO薄膜的侧向腐蚀问题，提高了产品生产的合格率和蚀刻液的利用率，可适用于大规模批量连续生产。
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