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公开(公告)号：CN102341912A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080009985.4
申请日：2010-03-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 含有SnO的半导体膜的形成方法包括形成含SnO的膜的第一步骤；在该含SnO的膜上形成由氧化物或氮化物组成的绝缘膜以提供包括该含SnO的膜和该绝缘膜的层合膜的第二步骤；和对该层合膜进行热处理的第三步骤。
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公开(公告)号：CN101595564B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200880003355.9
申请日：2008-01-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3265 , H01L27/3248 , H01L2227/323 , H01L2251/5323
Abstract: 一种有源矩阵显示装置包含在基板(10)上形成的晶体管(20)、存储电容器(30)和发光元件(40)。晶体管(20)具有源极电极(21)、漏极电极(22)和栅极电极(23)。存储电容器(30)具有依次层叠在基板(10)上的第一电极(31)、电介质层(32)和第二电极(33)的多层结构。发光元件(40)具有依次层叠在基板(10)上的第三电极(41)、发光层(42)和第四电极(43)的多层结构。第一电极(31)与栅极电极(23)连接，并且，存储电容器(30)的至少一部分被设置在基板(10)和发光元件(40)之间。基板(10)、第一电极(31)、第二电极(33)和第三电极(41)均由透过可见光的材料形成。
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公开(公告)号：CN101772797A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880102084.2
申请日：2008-07-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/3258 , G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/043
Abstract: 为了抑制在TFT的使用中电应力对TFT特性的影响，根据本发明的发光显示装置包括有机EL器件和用于驱动该有机EL器件的驱动电路。该驱动电路包括：多个像素，每个像素具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而可逆地改变；和电压施加单元，其将该薄膜晶体管的栅极电位设定为高于源极电位。该电压施加单元在该薄膜晶体管未被驱动时将电应力施加在该栅极端和该源极端之间，以便于在阈值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN101595564A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200880003355.9
申请日：2008-01-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3265 , H01L27/3248 , H01L2227/323 , H01L2251/5323
Abstract: 一种有源矩阵显示装置包含在基板(10)上形成的晶体管(20)、存储电容器(30)和发光元件(40)。晶体管(20)具有源极电极(21)、漏极电极(22)和栅极电极(23)。存储电容器(30)具有依次层叠在基板(10)上的第一电极(31)、电介质层(32)和第二电极(33)的多层结构。发光元件(40)具有依次层叠在基板(10)上的第三电极(41)、发光层(42)和第四电极(43)的多层结构。第一电极(31)与栅极电极(23)连接，并且，存储电容器(30)的至少一部分被设置在基板(10)和发光元件(40)之间。基板(10)、第一电极(31)、第二电极(33)和第三电极(41)均由透过可见光的材料形成。
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公开(公告)号：CN100514426C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710086340.0
申请日：2007-03-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/325 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/043
Abstract: 提供了利用晶体管的磁滞特性驱动显示元件的像素电路和图像显示装置。该像素电路包括：提供分别从关状态过渡到开状态时和从开状态过渡到关状态时栅极电压值与漏极电流值之间的不同的第一和第二关系的晶体管；被提供有由晶体管控制的电流作为驱动电流的显示元件；及连接到晶体管栅极的电容器元件。第一和第二关系中的一个在用于设置要提供给显示元件的驱动电流的第一期间中使用。而第一和第二关系中的另一个在向显示元件提供驱动电流以进行发光的第二期间中使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101467257A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780009137.1
申请日：2007-03-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3211 , H01L27/326 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明提供了一种发光器件，包含：设置在基片上并包含蓝色像素区、绿色像素区和红色像素区的像素区，所述蓝色像素区、绿色像素区和红色像素区分别对应于三原色蓝色、绿色和红色的光，该像素区包括：具有源电极、漏电极、栅电极、栅绝缘膜和有源层的薄膜晶体管；发光层；以及用于将该发光层夹在中间的下电极和对置电极，其中该有源层包含氧化物；该漏电极与该发光层的一部分电连接；并且该薄膜晶体管设置在基片上的除蓝色像素区之外的区域中。
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公开(公告)号：CN1532951A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410008584.3
申请日：2004-03-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C25D9/04 , H01L31/056 , H01L31/1864 , Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种氧化锌膜的处理方法和使用它的光电元件的制造方法。其中，在含氧的氮气或不活泼气体的气氛中在150℃以上、400℃以下的温度下对从水溶液电化学析出的氧化锌膜进行加热处理，可以获得无损氧化锌膜的光透射率的电阻值低的氧化锌膜。
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公开(公告)号：CN101772797B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200880102084.2
申请日：2008-07-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/3258 , G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/043
Abstract: 为了抑制在TFT的使用中电应力对TFT特性的影响，根据本发明的发光显示装置包括有机EL器件和用于驱动该有机EL器件的驱动电路。该驱动电路包括：多个像素，每个像素具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而可逆地改变；和电压施加单元，其将该薄膜晶体管的栅极电位设定为高于源极电位。该电压施加单元在该薄膜晶体管未被驱动时将电应力施加在该栅极端和该源极端之间，以便于在阈值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN102569414A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110418044.2
申请日：2011-12-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/26
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78618
Abstract: 本发明涉及沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制造方法。通过使用氧化物半导体在衬底上形成沟道层，并且随后在沟道层上形成包含In、Zn和Ga并且表现出比该氧化物半导体的刻蚀速率大的刻蚀速率的氧化物的牺牲层。其后，在牺牲层上形成源极电极和漏极电极，并且利用湿法刻蚀去除在源极电极和漏极电极之间露出的牺牲层。
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公开(公告)号：CN102549757A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200980161640.8
申请日：2009-09-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 在氧化物半导体薄层晶体管中，为了实现阈值电压对于电应力的稳定性和抑制传输特性中阈值电压的变动，本发明提供薄膜晶体管，其包括氧化物半导体层和经设置以与该氧化物半导体层接触的栅极绝缘层，其中该氧化物半导体层含有氢原子并且包括至少两个作为该氧化物半导体的活性层发挥功能并且在层厚度方向上具有不同的平均氢浓度的区域；并且从栅极绝缘层侧开始将作为该氧化物半导体的活性层发挥功能的区域依次定义为第一区域和第二区域时，该第一区域的平均氢浓度低于该第二区域的平均氢浓度。
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