形成氧化锌薄膜的设备和方法

    公开(公告)号:CN1170964C

    公开(公告)日:2004-10-13

    申请号:CN99105939.5

    申请日:1999-01-27

    Inventor: 宫本祐介

    CPC classification number: H01L31/076 C25D9/08 C25D17/12 H01L31/1884 Y02E10/548

    Abstract: 本发明提供了一种通过将导电基底元件和反电极浸渍在水溶液中并向所述导电基底元件和所述反电极之间施加电流而在所述导电基底元件上形成氧化锌薄膜的设备和方法,其中(a)反电极和基底元件之间的距离在反电极的端部保持在50mm或更大,而在反电极的中部为3mm至40mm,以及(b)反电极的端部相对于导电基底元件折叠成-1°至-90°的角。因此可以在长时间内以满意的产量在导电基底元件上形成具有满意质量的氧化锌薄膜,并且可以实现低成本和稳定地生产氧化锌薄膜。

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