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公开(公告)号：CN106061088B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610212513.8
申请日：2016-04-07
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： G01T1/247 , G01N23/04 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14663 , H04N5/32 , H04N5/3696 , H04N5/378
摘要： 公开了放射线成像装置和放射线成像系统。放射线成像装置包括：第一控制线，电连接到成像开关元件的控制电极；第二控制线，电连接到检测开关元件的控制电极；信号线，电连接到检测开关元件的主电极；电容线，与第一控制线和第二控制线不同，被布置成与信号线电容性耦合；驱动单元，电连接到第二控制线和电容线并且被配置为向检测开关元件和电容线施加电压；及控制单元，被配置为控制驱动单元在接通状态电压或关断状态电压被施加到检测开关元件的情况下向电容线施加具有与该电压的极性相反的极性的电压。
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公开(公告)号：CN103715212B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310460126.2
申请日：2013-09-30
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , A61B6/00
摘要： 本发明涉及检测设备、检测系统和用于生产检测设备的方法。一种检测设备包括多个转换元件、层间绝缘层和覆盖层。多个转换元件中的每一个都包括电连接到多个开关元件中的一个对应开关元件的电极和设置在所述电极上的半导体层。层间绝缘层被设置为覆盖多个开关元件并由有机材料构成，并且具有包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域的表面。电极被设置在第一区域中的层间绝缘层的表面上。覆盖层被设置在第二区域中的层间绝缘层的表面上并由无机材料构成。
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公开(公告)号：CN105702689A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510906326.5
申请日：2015-12-09
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L27/144 , A61B6/00
CPC分类号： H04N5/32 , H01L27/144 , A61B6/00
摘要： 一种放射线摄像设备、系统和该设备的控制方法。所述设备包括：检测像素，其包括转换元件和开关元件；包括不同转换元件和不同开关元件的不同像素；信号线，其共通连接至多个所述开关元件；驱动单元，其被配置成驱动所述不同开关元件和所述开关元件；以及控制单元，其被配置成控制所述驱动单元，其中，所述控制单元控制所述驱动单元，从而使得在向至少一个开关元件施加接通状态电压或者断开状态电压的情况下，向不同于所述至少一个开关元件的开关元件，施加相对所述接通状态电压或者所述断开状态电压极性相反的电压，或者向所述不同开关元件施加相对所述接通状态电压或者所述断开状态电压极性相反的电压。
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公开(公告)号：CN103474037B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310223653.1
申请日：2013-06-06
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： G09G3/36
CPC分类号： H03K17/005 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G11C19/28 , H01L27/1214
摘要： 本发明涉及有源矩阵面板、检测装置和检测系统。一种有源矩阵面板包括与多个晶体管的控制电极连接的栅极线和向栅极线供给导通电压和非导通电压的驱动电路。驱动电路包括包含相互连接的多个移位寄存器单元电路的移位寄存器和包含移位寄存器单元电路的输出信号所输入的多个解复用器单元电路的解复用器。解复用器单元电路包含用于向栅极线供给导通电压的第一晶体管和用于向栅极线供给非导通电压的第二晶体管。当第二晶体管处于导通状态时，第一晶体管从非导通状态变为导通状态。
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公开(公告)号：CN105030261A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510214273.0
申请日：2015-04-30
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： A61B6/00
CPC分类号： H04N5/32 , G01N23/04 , G01T1/2018 , G01T1/247
摘要： 本发明涉及放射线成像装置和放射线成像系统。一种像素包括检测放射线的转换元件，以及该元件和信号线之间的开关。读出单元读出信号线上的信号。读出单元包括重置信号线的电势的重置单元。在其期间读出单元读出信号线上的信号的时间段包括第一时间段，在其期间信号线被重置，并且读出在开关不导通的状态下该信号线上的信号，以及第二时间段，在其期间信号线被重置，并且读出由于所述开关导通而产生的信号线上的信号。处理单元计算第二时间段和第一时间段中读出的信号之间的差。
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公开(公告)号：CN102810548B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201210175540.4
申请日：2012-05-31
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1461 , H01L27/1462 , H01L27/14676 , H01L27/14685 , H01L27/14692
摘要： 本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中，所述检测器件包括在基板上的像素，每个像素包括开关元件和转换元件，所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层，所述电极设置在所述开关元件之上，并且针对每个像素被隔离，所述开关元件和所述电极在形成于保护层和层间绝缘层中的接触孔中连接，所述保护层和所述层间绝缘层设置在所述开关元件与所述电极之间，所述方法包括：在所述层间绝缘层之上、在与所述层间绝缘层接触的电极之间形成绝缘构件；形成覆盖所述绝缘构件和所述电极的杂质半导体膜；以及形成覆盖所述保护层中所述电极的一部分的正交投影图像位于其中的区域的涂覆层，所述部分在所述接触孔内包括水平差。
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公开(公告)号：CN104851897A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510068263.0
申请日：2015-02-10
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： A61B6/4233 , A61B6/50 , G01T1/2018 , G01T1/2928 , H01L27/14663
摘要： 本发明涉及辐射检测装置和辐射检测系统。辐射检测装置包括：转换元件，包含针对各像素分割的第一电极、半导体层和第二电极；切换元件，与第一电极电连接；以及第一绝缘层，分离相邻像素的转换元件。半导体层位于第一电极与第二电极之间。半导体层的外周位于第一电极的外周和第二电极的外周的外面。半导体层包括第一杂质半导体层、第二杂质半导体层和位于第一杂质半导体层与第二杂质半导体层之间的本征半导体层。限定该装置的参数，以将接通切换元件之后10μs的残留电荷设定为不高于2％。
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公开(公告)号：CN104218046A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410232324.8
申请日：2014-05-29
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , G01T1/16
CPC分类号： H01L27/14692 , H01L27/14663
摘要： 本发明涉及检测装置、其制造方法和放射线检测系统。提供了包含像素的检测装置的制造方法。该方法包括：在基板之上形成有机绝缘层，所述基板之上形成有开关元件；在有机绝缘层之上形成对于各个像素分割的像素电极；在有机绝缘层的未覆盖有像素电极的部分之上形成无机材料部分；形成覆盖所述多个像素电极和无机材料部分的无机绝缘膜；形成覆盖无机绝缘膜的半导体膜；以及通过使用无机材料部分与无机绝缘膜的叠层结构作为蚀刻阻止体进行蚀刻，对于各个像素分割半导体膜。
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公开(公告)号：CN104167421A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410204548.8
申请日：2014-05-15
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , G01T1/24
CPC分类号： H01L27/14663
摘要： 本发明涉及检测装置和检测系统。检测装置包括：允许可见光穿过的基板；包含从与基板相邻的侧起依次布置的像素电极、杂质半导体层和半导体层并被配置为将放射线或光转换成电荷的转换元件；和被配置为经基板向转换元件发射可见光的光源。像素电极包含允许可见光穿过的金属层。
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公开(公告)号：CN103716551A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310465678.2
申请日：2013-10-09
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H04N5/32 , H04N5/378 , H04N5/374 , H04N5/357 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14612 , H01L27/14663
摘要： 本发明公开了检测装置和检测系统。一种在基板上形成的检测装置，包括：以矩阵布置的多个像素，和与像素电连接的信号线。每个像素包括：把放射线或者光转换成电荷的感测元件，输出基于电荷的量的电信号的放大薄膜晶体管，保持由放大薄膜晶体管输出的电信号的电容器，和把保持在电容器中的电信号传送给信号线的传输薄膜晶体管。
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