-
公开(公告)号：CN107951499A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710906151.7
申请日：2017-09-29
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： A61B6/00
摘要： 本发明公开了放射线摄像装置、其控制方法以及存储介质。该放射线摄像装置包括放射线检测单元和通知单元，所述放射线检测单元具有被构造为根据放射线而生成信号的像素阵列，所述通知单元被构造为通过发声进行通知。所述放射线摄像装置包括：检测单元，其被构造为检测根据所述放射线摄像装置的状态而发生的多个通知事件；以及控制单元，其被构造为基于针对所述多个通知事件中的各个所设置的优先级来控制所述通知单元的通知。
-
公开(公告)号：CN102866413B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201210233116.0
申请日：2012-07-06
IPC分类号： G01T1/00
CPC分类号： G01T1/24 , G01T1/2928 , H01J37/244 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J2237/24415 , H01J2237/2448 , H01L31/115
摘要： 本发明涉及一种用于检测X射线的辐射检测器，所述检测器包括硅漂移二极管(10,200)，所述硅漂移二极管示出阳极(16,202)和输出端，处于工作中的所述硅漂移二极管响应于单个检测到的光子在所述输出端上产生脉冲，所述输出端被连接到用于测量输出信号的电子电路，其特征在于所述硅漂移二极管包括在I/O端口与所述阳极之间的电压/电流转换器(208)，所述检测器被装备成经由开关(209)选择性地连接模拟反馈回路中的所述电压/电流转换器，作为其结果，所述硅漂移二极管被装备成可切换地工作于脉冲高度测量模式或电流测量模式下。(56)对比文件R.Alberti等.high rate X rayspectroscopy using a silicon driftdetector and a charge preamplifer.《Nuclear instruments and methods inphysics research A》.2006,第568卷第106-111页.G.Bertuccio等.Silicon drift detectorwith integrated p-JFET for continuousdischarge of collected electrons throughthe gate junction《.Nuclear instrumentsand methods in physics research A》.1996,第377卷(第2期),第352-356页.
-
公开(公告)号：CN106125127A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610435047.X
申请日：2016-06-18
申请人： 武汉京邦科技有限公司
CPC分类号： G01T1/208 , G01T1/248 , G01T1/2928
摘要： 一种硅光电倍增器的时间标记方法，包括步骤：准备双时钟，建立共时间测量域的时间测量电路，记录被光子激发的空间和时间分布，屏蔽处于坏死情况或者性能较差的微元，建立阵列的可配置微元编码数字单元，压缩和传输数字化样本，还原激活微元的时空联合分布。一种硅光电倍增器的微元阵列编码系统，包括：失效标记模块，激活微元编码模块，延迟链编码模块，解编码模块。本发明能有效提升时间标记的精确程度，简化拟合、插值方法中不必要的中间计算量，减少需要的最少样本计数。
-
公开(公告)号：CN102763005B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN200880102283.3
申请日：2008-08-06
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC分类号： G01T1/248 , G01T1/2928
摘要： 一种硅光电倍增器(108)包括探测器像素(142)。该探测器像素包括单元(202)，该单元包括雪崩光电二极管(208)和读出电路(210)。该读出电路(210)包括抑制状态存储器(302)、充电电路(304)、单元抑制电路(306)、锁存光子触发电路(308)、读出电路(310)和触发输出电路(312)中的一个或多个。
-
公开(公告)号：CN102824183B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210199495.6
申请日：2012-06-14
申请人： 富士胶片株式会社
发明人： 金川英一
IPC分类号： A61B6/00
CPC分类号： G01T1/2928 , H04N5/32
摘要： 本发明涉及放射线图像摄影装置和方法。紧凑的放射线检测器的结构使得能够在不增加被摄体的放射线照射量的情况下自动控制放射线的剂量。这个目的可以通过导通TFT开关（52）以从放射线检测器（14）的像素（50）读出电荷来实现。像素（50）中通过短接TFT开关（52）而形成的短接像素（50A）按照预定间隔排布在放射线检测器（14）的整个表面上。当进行摄影操作时，基于从短接像素（50A）输出的信号来控制放射线剂量。
-
公开(公告)号：CN105717532A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610081264.3
申请日：2008-04-09
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人： R·M·斯诺尔仁 , H·施泰因豪泽 , N·J·努尔德霍尔克 , M·西蒙
CPC分类号： G01T1/2018 , G01T1/2928
摘要： 一种提供与针对初级辐射的闪烁体的空间增益分布有关的信息的方法，其不需要利用初级辐射来照射闪烁体。所述方法包括利用次级辐射照射闪烁体，以为所述次级辐射生成闪烁体的空间次级增益分布的图像。所述空间次级增益分布图像与针对初极辐射的空间初级增益分布的图像相对应。在本发明的一个实施例中，即，在初级辐射是X射线辐射的X射线成像设备中，本发明提供X射线探测器的精确校准而不需要利用X射线辐射来照射X射线探测器。而是，利用UV辐射作为次级辐射的照射提供了可用于校准的所期望的空间次级增益分布图像。
-
公开(公告)号：CN103097913B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201180043788.9
申请日：2011-09-07
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC分类号： G01T1/24 , G01T1/241 , G01T1/2928 , H01L31/022408 , H01L31/035272
摘要： 本发明涉及辐射探测器（100）和用于（例如X或γ）辐射探测的相关联的方法。所述探测器（100）包括转换器元件（110），在所述转换器元件（110）中将入射光子（X）转换为电信号，并且所述探测器包括阳极（130）的阵列，所述阳极（130）的阵列用于在所述转换器元件（110）中生成电场（E）。至少两个阳极与两个操纵电极（140）相关联，能够由控制单元(150)向所述操纵电极施加不同电势。优选地，由一个操纵电极围绕每个单个阳极或每小组阳极。所述操纵电极（140）的电势能够被设定为当在所述阳极和阴极（120）间施加工作电压时在这些电极中感生的电势的函数。此外，可以提供栅格电极（160），所述栅格电极至少部分环绕阳极（130）及他们的操纵电极（140）。
-
公开(公告)号：CN104851897A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510068263.0
申请日：2015-02-10
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： A61B6/4233 , A61B6/50 , G01T1/2018 , G01T1/2928 , H01L27/14663
摘要： 本发明涉及辐射检测装置和辐射检测系统。辐射检测装置包括：转换元件，包含针对各像素分割的第一电极、半导体层和第二电极；切换元件，与第一电极电连接；以及第一绝缘层，分离相邻像素的转换元件。半导体层位于第一电极与第二电极之间。半导体层的外周位于第一电极的外周和第二电极的外周的外面。半导体层包括第一杂质半导体层、第二杂质半导体层和位于第一杂质半导体层与第二杂质半导体层之间的本征半导体层。限定该装置的参数，以将接通切换元件之后10μs的残留电荷设定为不高于2％。
-
公开(公告)号：CN104814753A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510107383.7
申请日：2015-01-30
申请人： 西门子公司
IPC分类号： A61B6/03
CPC分类号： A61B6/032 , A61B6/4233 , A61B6/4291 , G01T1/241 , G01T1/2928
摘要： 本发明涉及一种用于检测X射线辐射的直接转换的X射线辐射检测器(C3，C5)，至少具有用于检测X射线辐射的半导体(1)，该半导体具有相对于X射线辐射被遮蔽的区域和未被遮蔽的区域；安置在半导体上的像素化的电极和与像素化的电极相对地安置在半导体上的连续电极(4)；和至少一个光源，该光源利用附加的光辐射辐照连续电极来生成附加的载流子，其中光源被构造为，利用附加的光辐射的、与未被遮蔽的区域不同的强度辐照被遮蔽的区域。本发明涉及一种CT系统(C1)，具有直接转换的X射线辐射检测器，以及一种借助直接转换的X射线辐射检测器检测入射的X射线辐射的方法，其中利用附加的光辐射的、与未被遮蔽的区域不同的强度辐照被遮蔽的区域。
-
公开(公告)号：CN102413766B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080018483.8
申请日：2010-03-12
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： A61B6/032 , A61B6/4233 , A61B6/585 , G01T1/2928 , H04N5/32 , H04N5/3597 , H04N5/374
摘要： 成像装置(100)包括具有以矩阵布置的多个像素并且执行输出根据在预定的照射场中发射的放射线或光的图像数据的成像操作的检测器(104)、以及控制器单元(106)，并且，执行用于输出根据与像素的一部分对应的较窄照射场A中的放射线的图像数据的第一成像操作、以及用于输出根据较宽照射场B中的放射线的图像数据的第二成像操作，在控制检测器下以执行第二成像操作期间的积累操作，使得图像的阶跃为预先设定的可容许量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
207 条记录 (耗时 0.02 秒)
