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公开(公告)号：CN109412553B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201811239562.6
申请日：2018-10-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 一种射频电感电路，由带有反馈模块的第一跨导单元(1)，带有反馈模块的第二跨导单元(2)，第一可调跨导单元(3)，第二可调跨导单元(4)以及电流镜反馈单元(5)组成。其中，带有反馈模块的第一跨导单元(1)与第一可调跨导单元(3)连接形成第一等效电感回路，带有反馈模块的第二跨导单元(2)与第二可调跨导单元(4)连接形成第二等效电感回路，第一等效电感回路和第二等效电感回路皆与电流镜反馈单元(5)连接，也与差分信号的输入端相连，使得新型射频电感电路具有高Q值、大电感值并可调谐，且在宽输入信号动态范围内Q值与电感值能保持恒定。
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公开(公告)号：CN112583356B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011198939.5
申请日：2020-10-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F1/02
Abstract: 一种能对性能进行多种重构的高频压控有源电感，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，第一反馈单元(5)，第二反馈单元(6)，第一偏置单元(7)。第一跨导单元(1)、第二跨导单元(2)和第一反馈单元(5)构成第一回路，第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)和第二反馈单元(6)构成第二回路。协同调节第一回路和第二回路的不同电压调制端，可实现在高频下大电感值、高Q值以及Q值相对于电感值可大范围独立调节；可对电感值进行大范围调谐且同时能保持Q值有较大值；可在不同频率下，同时保持Q峰值和电感值基本不变以及工作频带相对于电感值峰值可大范围独立调节的综合性能。
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公开(公告)号：CN114462232A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210097217.3
申请日：2022-01-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于多层神经网络模型结构自适应的微波器件建模方法，属于微波器件建模领域，用于解决基于人工神经网络的微波器件建模中确定最优模型结构的问题。本发明提出一种基于多层神经网络模型结构自适应的微波器件建模方法，通过采用全新的多层神经网络模型结构，结合基于l1正则化的误差函数来训练该神经网络模型，实现了模型隐藏层层数和每个隐藏层中神经元个数的同时调节，最终获得最优的模型结构。本发明方法可以针对不同的微波建模问题，自适应获得不同的最优模型结构，可在实际使用中节省模型开发的时间，具有灵活和高效的优势。
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公开(公告)号：CN114373614A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210038799.8
申请日：2022-01-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01F27/42
Abstract: 一种高线性高频有源电感属于电路领域，包括可调正跨导单元(1)，可调高线性负跨导单元(2)，反馈单元(3)，等效负电容‑负电阻单元(4)共4个单元。可调正跨导单元(1)的输出端与反馈单元(3)的第一端连接，反馈单元(3)的第二端与可调高线性负跨导单元(2)的输入端连接，可调高线性负跨导单元(2)的输出端同时与可调正跨导单元(1)的输入端相连和等效负电容‑负电阻单元(4)并联。所述4个单元及其2个调节端(Vtune1和Vtune2)的分工合作，不但使得可调正跨导单元(1)中第一N型MOS晶体管(M1)的栅极实现自偏压，且使得该有源电感具有宽频带，高频下大电感值、Q值及其可调节性、高线性等综合性能。
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公开(公告)号：CN108768342B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201810555716.6
申请日：2018-05-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/46
Abstract: 本发明提供了一种射频集成有源电感包括：输入单元，频带调节单元，第一及第二偏置单元，第一及第二跨导单元。第一偏置单元为第一跨导单元提供直流偏置，第二偏置单元为第二跨导单元提供直流偏置。在有源电感的输入端，输入单元和第一跨导单元串联，使有源电感具有小的等效输入电容，进而有宽的工作频带；频带调节单元既与输入单元串联，也与第一跨导单元并联，通过调节频带调节单元，实现对有源电感工作频带的独立调节；第一跨导单元中MOS晶体管并联，使有源电感具有大的等效回转电容，进而有大的电感值；协同调节第一跨导单元和频带调节单元，实现有源电感在宽工作频带内电感值的调节。本发明适用于对电感有宽频带要求和在宽频带内对电感值有调节要求的电路。
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公开(公告)号：CN111446930A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010296951.3
申请日：2020-04-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F3/195
Abstract: 一种射频电感电路，由第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，频带拓展单元(4)以及第一可调偏置单元(5)，第二可调偏置单元(6)组成。其中，第一跨导单元(1)和第二跨导单元(2)构成第一回路，第一跨导单元(1)和第三跨导单元(3)构成第二回路。第一回路和第二回路并联，提高了总转换电容，增大了有源电感的等效电感值。第二回路中晶体管分别构成了负阻网络结构和负反馈网络，增大了有源电感的Q值和线性度。频带扩展单元(4)与电感电路的输入端连接，拓展了电感的工作带宽。本发明射频电感电路，不但具有宽频带与高线性，而且在高频区和高频区的任一频率下可同时具有高Q值和大电感值，且Q峰值可调谐。
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公开(公告)号：CN107946383B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201711181871.8
申请日：2017-11-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/10
Abstract: 本发明公开一种具有行波电极的硅基波导型光敏晶体管探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出Si次集电区、Si集电区、SiGe基区和多晶Si发射区，SiGe基区上下各生长一层本征SiGe层。掺杂浓度高的SiGe基区作为光敏晶体管探测器的光吸收层；Si次集电区，Si集电区，本征SiGe层，SiGe基区和多晶硅发射区形成脊型波导结构；光窗口位于脊形波导的端面，实现入射光的侧面探测吸收。发射极电极和集电极电极构成的行波电极，可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应，减少寄生电容对高速传输的影响。随着硅集成电路特征线宽逐渐缩小，用波导型SiGe探测器作为光互联的主要器件，可以缓解金属互联造成的传输信号延时、功率耗散、层间干扰等制约系统性能的问题。
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公开(公告)号：CN108900175A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810697165.7
申请日：2018-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/36
Abstract: 本发明提供了一种宽频带、大电感值、高Q值且Q值可独立调节的有源电感。该有源电感包括：第一跨导单元，第二跨导单元，频带拓展单元，可调分流单元，反馈单元。第一跨导单元与第二跨导单元首尾连接实现电感基本功能，反馈单元与第一跨导单元的并联连接，不但增大了电感值，而且增大了等效输出电阻，减小了等效串联电阻，实现了高的Q值；频带拓展单元和可调分流单元分别与第一跨导单元串联和并联，分别减小了有源电感的等效输入电容进而实现了宽的工作频带和实现了对第一跨导单元电流的调节进而可对电感值进行调节。本有源电感适用于对电感有宽频带工作要求，且在宽频带内对Q值有独立调节要求的射频集成电路。
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公开(公告)号：CN103888083B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201410106213.2
申请日：2014-03-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种宽带低噪声放大器，其包括第一双极型晶体管，第二双极型晶体管，第三双极型晶体管，第四双极型晶体管，第五双极型晶体管，第六双极型晶体管，第七双极型晶体管，第一MOS管，第二MOS管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，第五电阻，第六电阻，第七电阻，第八电阻，第九电阻，第一电容，第二电容，第三电容，第四电容。该宽带低噪声放大器在保障宽带低噪声放大器良好的增益特性、良好的噪声特性的情况下，减小了芯片面积，同时实现了增益可调节。
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公开(公告)号：CN105071784B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510425313.6
申请日：2015-07-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/02
Abstract: 本发明提供一种宽频带、高Q值有源电感，包括：第一跨导放大器，第二跨导放大器，有源反馈电阻，可变电容，第一电流源，第二电流源，分流支路。两个跨导放大器首尾连接构成回转器，回转器把第一跨导放大器的输入电容回转为等效电感。第一电流源为第二跨导放大器提供电流，第二电流源为第一跨导放大器提供电流。本发明在负跨导放大器采用电压调制的共射‑共基结构组成的复合管，增加了放大器的输出阻抗进而减小零点频率，拓展了带宽；采用有源反馈电阻和可变电容，提高了品质因子Q值和等效电感值以及它们的可调性。通过对各个晶体管栅极电压与可变电容电容值的协同调节，有源电感实现了宽频带、高Q值以及带宽和Q值的可调节。
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