-
公开(公告)号：CN108220990A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711371185.7
申请日：2017-12-19
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明属于电解冶金技术领域，特别涉及一种熔盐电解制备高纯纳米硼化铪的方法。该制备方法以二氧化铪和单质硼为原料，将二氧化铪粉末和硼混合压制成的多孔块体，与阴极集流体复合作为阴极，以石墨作为阳极，以CaCl2、NaCl的一种或多种作为熔盐电解质，进行电解直接生成硼化铪，制备的硼化铪产品为高纯度纳米粉末；本发明提供的制备方法反应温度较低，操作简单，环境友好，原料价格低廉，有利于工业化连续生产。
-
公开(公告)号：CN106672988A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510761868.8
申请日：2015-11-10
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C01B35/04
摘要： 本发明涉及一种高纯稀土硼化物的制备方法，属于稀土硼化物的制备领域。本发明以稀土氧化物、氧化硼和碳为原料，经球磨混合、压制成型后置于坩埚中，再采用两段焙烧工艺，制成蓬松状物质，研磨筛分后得到高纯稀土硼化物粉体。本发明采用的原料为价格低廉的氧化硼、碳粉，大大降低了生产稀土硼化物的成本；通过采用两段焙烧工艺，有利于得到单一相的稀土硼化物，避免了物相复杂，分离难的缺点。
-
公开(公告)号：CN103107315B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210442906.X
申请日：2012-11-08
申请人： 北京有色金属研究总院
CPC分类号： H01M4/364 , B82Y30/00 , C01B32/956 , C25B1/006 , H01M4/0438 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M4/58 , H01M4/587 , H01M10/052
摘要： 本发明涉及一种锂离子电池用纳米硅碳复合负极材料及其制备方法，其以二氧化硅和碳组成的多孔电极为原料，通过熔盐电解方法二氧化硅原位电化学还原形成碳载纳米硅的纳米硅碳复合材料。该材料硅和碳之间通过纳米碳化硅连接，是一种冶金级的结合，提高了纳米硅和碳复合材料的电化学循环稳定性。本发明提供的纳米硅碳复合材料的制备方法是将碳和二氧化硅粉末组成的多孔块体，与导电的阴极集流体复合作为阴极，以石墨或惰性阳极作为阳极，置于以CaCl2电解质或含有CaCl2的混盐熔体电解质中构成电解槽，在阴极和阳极之间施加电解直流电压，控制电解电压、电解电流密度和电解电量，使得多孔块体中的二氧化硅电解还原成纳米硅，在阴极制得锂离子电池用纳米硅碳复合材料。
-
公开(公告)号：CN103693621B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210375040.5
申请日：2012-09-27
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C01B11/00
摘要： 本发明公开了一种高纯氧氯化铪的制备方法，属于湿法冶金技术领域。包括：（1）氢氧化铪原料准备：以金属铪及铪合金废弃料为原料，经硫酸溶液溶解，水浸，过滤，滤液加碱沉淀，沉淀物加水漂洗至近中性，过滤，滤饼烘干、破碎；（2）滤饼经烘干、破碎后，用盐酸溶液或结晶母液溶解，得到铪盐酸溶液；（3）调整铪盐酸溶液中H+浓度和HfO2浓度，自然冷却结晶；（4）结晶后过滤，将过滤后得到的晶体加水溶解，过滤，调整溶液的H+浓度和HfO2浓度，加热至沸，进行二次结晶；（5）二次结晶后过滤，所得晶体用盐酸溶液或洗涤母液洗涤，得到高纯氧氯化铪。本发明所得高纯氧氯化铪杂质含量较低，可用于制备生产紫外级氧化铪等铪的高端产品。
-
公开(公告)号：CN104694889A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310670692.6
申请日：2013-12-10
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414
摘要： 本发明涉及一种CdTe溅射靶材的制备方法，属于太阳能电池材料领域。该方法包括如下步骤：（1）将真空熔炼制备的CdTe块体，破碎研磨成粉，将得到的CdTe粉末装入模具，进行冷压成型；（2）冷压成型后，放置于热压炉内，进行真空热压烧结；热压温度在500～800℃，压力为20MPa～200MPa，温保压时间30min～120min；（3）真空热压烧结完成后，停炉冷却、脱模取料，进行机械加工。通过本发明方法得到的CdTe溅射靶材的致密度可以达到98%以上，平均晶粒尺寸在45nm以下，靶材结晶度达到80%以上。
-
公开(公告)号：CN102653470B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201110049635.7
申请日：2011-03-02
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： B22F3/16 , C04B35/515 , C04B35/645
摘要： 本发明涉及一种铬二铝碳陶瓷靶材及其真空热压制备方法，包括将铬粉、铝粉和碳粉按照摩尔比2:(1~1.5):1配料，预压制坯；热压炉抽真空至10-1Pa，然后以5~10℃/min的速度升温到600~650℃，保温1~2小时；随后以10~20℃/min的速度升温至1300~1500℃，加压到10～30MPa时，保温保压2~4小时后，降温，降到900-1100℃，泄压至常压；冷却至室温，得到坯料；进行机械加工和电加工，然后清洗、烘干，得到高纯高单相含量铬二铝碳陶瓷靶材。本发明制备的铬二铝碳陶瓷靶材致密度达到97%以上，铬二铝碳化合物相含量达到98~99%，靶材的氧含量低，靶材质量满足涂层制备要求，成本低，适合大尺寸铬二铝碳陶瓷靶材工业化生产。
-
公开(公告)号：CN103107315A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210442906.X
申请日：2012-11-08
申请人： 北京有色金属研究总院
CPC分类号： H01M4/364 , B82Y30/00 , C01B32/956 , C25B1/006 , H01M4/0438 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M4/58 , H01M4/587 , H01M10/052
摘要： 本发明涉及一种锂离子电池用纳米硅碳复合负极材料及其制备方法，其以二氧化硅和碳组成的多孔电极为原料，通过熔盐电解方法二氧化硅原位电化学还原形成碳载纳米硅的纳米硅碳复合材料。该材料硅和碳之间通过纳米碳化硅连接，是一种冶金级的结合，提高了纳米硅和碳复合材料的电化学循环稳定性。本发明提供的纳米硅碳复合材料的制备方法是将碳和二氧化硅粉末组成的多孔块体，与导电的阴极集流体复合作为阴极，以石墨或惰性阳极作为阳极，置于以CaCl2电解质或含有CaCl2的混盐熔体电解质中构成电解槽，在阴极和阳极之间施加电解直流电压，控制电解电压、电解电流密度和电解电量，使得多孔块体中的二氧化硅电解还原成纳米硅，在阴极制得锂离子电池用纳米硅碳复合材料。
-
公开(公告)号：CN101468918B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200710304465.6
申请日：2007-12-28
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/626 , C04B35/58 , C04B35/645
摘要： 本发明公开了属于陶瓷靶材技术领域的一种高纯超高温陶瓷靶材的制备方法，具体为高纯硼化锆/硼化铪粉体及其陶瓷靶材的制备方法。该方法是以高纯Zr粉，Hf粉以及高纯B粉为原料，采用自蔓延法分别制备高纯ZrB2和HfB2粉体，再采用高温高压的热压成型工艺制备高纯致密的硼化锆/硼化铪超高温陶瓷靶材，靶材相对密度达到95～99％。相对于现有技术，本方法混料时金属粉稍过量，弥补了自蔓延反应过程中金属的损失，进一步保证了产物组分的单一性。相对于无压烧结，本方法所需要的烧结温度大大降低，并且本热压工艺采用两段式温度，均匀了坯料的温度场，为后期热压过程中得到密度均匀的靶材，提供了保证。
-
公开(公告)号：CN100497260C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510109055.7
申请日：2005-10-18
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/645 , B28B3/04
摘要： 本发明公开了一种大尺寸陶瓷溅射靶材的热压烧结成型方法，其方法步骤如下：A)称取制作靶材的粉体原料；B)按制作靶材的直径要求选定同直径的模具；C)将模具放进上加压、固定下压头基准面的热压炉炉体中；D)采用振动漏斗法装料，测量并保证模具内各局部的粉体堆积高度相同；E)热压并附加保护气氛，启动压机，开始加压，使上压头开始下移，在温度650℃～2100℃、压力15～40MPa环境下保温保压20min-60min，直至靶材相对密度达到设计值；F)采用附加保压工艺保压，进一步制得溅射靶材的烧结坯体。
-
公开(公告)号：CN101363920A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810222502.3
申请日：2008-09-18
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： G02B1/10
摘要： 膜层致密、牢固、化学稳定性好，在近紫外到近红外有较高的透过率的中折射率光学薄膜用蒸发材料及其制备方法。技术方案是：中折射率光学薄膜用蒸发材料，其特征在于所述材料是熔融材料，由化学式为LaAlO3和LaAl11O18组成的化合物。制备方法包括下列步骤：以Al2O3和La2O3为原料，原料配比为24－78％(Wt)Al2O3，在高温和真空状态下进行固相反应。中折射率光学薄膜用蒸发材料的使用方法包括下列步骤：在无氧铜坩埚中装料预熔，预熔温度约为2200－2400℃，预熔后为熔融状态，镀膜用基片为石英基片或其他基片，形成硬介质膜层、树脂镜片镀膜、分色棱镜或宽带的增透膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
40 条记录 (耗时 0.032 秒)
