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公开(公告)号：CN102653470A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110049635.7
申请日：2011-03-02
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/515 , C04B35/645
摘要： 本发明涉及一种铬二铝碳陶瓷靶材及其真空热压制备方法，包括将铬粉、铝粉和碳粉按照摩尔比2:(1~1.5):1配料，预压制坯；热压炉抽真空至10-1Pa，然后以5~10℃/min的速度升温到600~650℃，保温1~2小时；随后以10~20℃/min的速度升温至1300~1500℃，加压到10～30MPa时，保温保压2~4小时后，降温，降到900-1100℃，泄压至常压；冷却至室温，得到坯料；进行机械加工和电加工，然后清洗、烘干，得到高纯高单相含量铬二铝碳陶瓷靶材。本发明制备的铬二铝碳陶瓷靶材致密度达到97%以上，铬二铝碳化合物相含量达到98~99%，靶材的氧含量低，靶材质量满足涂层制备要求，成本低，适合大尺寸铬二铝碳陶瓷靶材工业化生产。
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公开(公告)号：CN1951873A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510109055.7
申请日：2005-10-18
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/645 , B28B3/04
摘要： 本发明公开了一种大尺寸陶瓷溅射靶材的热压烧结成型方法，其方法步骤如下：A)称取制作靶材的粉体原料；B)按制作靶材的直径要求选定同直径的模具；C)将模具放进上加压、固定下压头基准面的热压炉炉体中；D)采用振动漏斗法装料，测量并保证模具内各局部的粉体堆积高度相同；E)热压并附加保护气氛，启动压机，开始加压，使上压头开始下移，在温度650℃～2100℃、压力15～40Mpa环境下保温保压20min－60min，直至靶材相对密度达到设计值；F)采用附加保压工艺保压，进一步制得溅射靶材的烧结坯体。
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公开(公告)号：CN1031400A
公开(公告)日：1989-03-01
申请号：CN87105359
申请日：1987-08-05
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种还原脱氧制取低氧铬粉的生产方法。以电解铬粉为原料，以氢等离子体为加热热源和还原剂。等离子体的工作气体及原料的载气均为氢气。电解铬粉的粒度为3-60微米。还原脱氧温度为1500℃-4000℃。产品粒度小于200目，含氧量小于0.2％，含碳量低。可作为金属陶瓷、耐磨耐蚀的涂层材料的原料，尤其是可作为机械合金化高温合金的原料。本法工艺和设备简单，成本低，生产周期短，可连续生产，处理量大，铬粉的总回收率高达99％。
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公开(公告)号：CN103693621A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210375040.5
申请日：2012-09-27
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C01B11/00
摘要： 本发明公开了一种高纯氧氯化铪的制备方法，属于湿法冶金技术领域。包括：（1）氢氧化铪原料准备：以金属铪及铪合金废弃料为原料，经硫酸溶液溶解，水浸，过滤，滤液加碱沉淀，沉淀物加水漂洗至近中性，过滤，滤饼烘干、破碎；（2）滤饼经烘干、破碎后，用盐酸溶液或结晶母液溶解，得到铪盐酸溶液；（3）调整铪盐酸溶液中H+浓度和HfO2浓度，自然冷却结晶；（4）结晶后过滤，将过滤后得到的晶体加水溶解，过滤，调整溶液的H+浓度和HfO2浓度，加热至沸，进行二次结晶；（5）二次结晶后过滤，所得晶体用盐酸溶液或洗涤母液洗涤，得到高纯氧氯化铪。本发明所得高纯氧氯化铪杂质含量较低，可用于制备生产紫外级氧化铪等铪的高端产品。
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公开(公告)号：CN102417986A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201010294897.5
申请日：2010-09-28
申请人： 北京有色金属研究总院
CPC分类号： Y02P10/234
摘要： 本发明公开了一种高纯低锆氧化铪的制备方法，属于湿法冶金技术领域。制备步骤包括以废金属铪为原料，经硫酸溶液溶解，过滤，再调整硫酸铪料液中H+浓度为2.4mol/L～2.8mol/L，HfO2浓度为50g/L～80g/L；萃取剂的体积组成为：N235：12％～20％，A1416：7％，磺化煤油：81％～73％；萃取剂作为有机相，硫酸铪料液作为水相，进行多级逆流萃取，得到低锆硫酸铪萃取余液；再依次经氨水沉淀、漂洗、烘干、盐酸浸出、结晶提纯、氨水沉淀、漂洗、烘干、煅烧，得到产品。本方法可制得氧化锆含量小于0.5wt％的高纯氧化铪，产品杂质含量较低，属于紫外级氧化铪，可用于高端光学镀膜材料。
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公开(公告)号：CN101708992A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910242277.4
申请日：2009-12-08
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/48
摘要： 本发明公开了属于湿法冶金技术领域的一种高纯低锆氧化铪的制备方法。萃取剂由N235复配A1416和磺化煤油而成，萃取剂各组分按体积分数如下：N235：20％，A1416：7％，磺化煤油：73％，采用上述萃取剂进行多级萃取，分离硫酸铪料液中的锆铪，得到低锆硫酸铪萃取余液；低锆硫酸铪萃取余液依次经氨水沉淀、漂洗、烘干、盐酸浸出、结晶提纯、氨水沉淀、漂洗、烘干、煅烧，得到高纯低锆氧化铪产品。本发明专利提供一种氧化铪中氧化锆的含量小于0.5wt％的高纯氧化铪的制备方法。所得高纯氧化铪杂质含量较低，属于紫外级氧化铪，可用于高端光学镀膜材料。
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公开(公告)号：CN100497721C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510109269.4
申请日：2005-10-20
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种预处理的光学镀膜材料及其预处理方法。该方法包括：(1)选用光学镀膜材料的原料粉体；(2)在温度为700～1400℃，压力为10～40MPa条件下制备素坯；(3)在高温烧结炉中烧结，在烧结温度900～1800℃条件下恒温烧结2～4小时，制备坯体；(4)将坯体严格按照镀膜机坩埚的尺寸加工成型；(5)在还原气氛炉中，在温度为1000～1700℃条件下，进行脱气处理2～6小时，即为预处理的光学镀膜材料。所得到TiO2预处理的光学镀膜材料，其相对密度达到99%，氧含量为39.8%，失氧率为6%，按化学计量拟合其分子式为TiO1.979。预处理的光学镀膜材料具有以下特点：1)高度致密化，相对密度达到90%以上，有些接近材料的理论密度；2)对于高折射率氧化物光学镀膜材料，通过本发明的工艺方法进行特定处理失去部分晶格氧。
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公开(公告)号：CN101178440A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200610114351.0
申请日：2006-11-07
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： G02B1/00
摘要： 一种高折射率光学薄膜用蒸发材料，是一种化学式为LaTiO3的化合物。该材料为单一相结构组成，不存在其它杂相。该材料密度为5.2～5.9g/cm3，材料充填性好。以Ti2O3和La2O3；或者TiO2、La2O3和Ti为原料，在高温和真空状态下进行固相反应，生成LaTiO3。该LaTiO3蒸发材料用于制备高折射率光学膜层，该膜层为性能优异的硬介质膜层。所述的高折射率光学膜层为树脂镜片的镀膜、分色棱镜或宽带的增透膜。在制备高折射率光学薄膜的方法中，在蒸发过程中LaTiO3蒸发材料组成保持不变，坩埚中LaTiO3蒸发材料不用更新而保持所制备薄膜的折射率稳定。并且经一次熔化后，可以进行多次蒸发，制备多个高折射率光学薄膜。
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公开(公告)号：CN101748365B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200810239844.6
申请日：2008-12-19
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明涉及一种难熔合金钨钛靶材及其制备方法，具体为一种高纯高富钨相含量的钨钛靶材及其热压制备方法，属于难熔合金靶材技术领域。该方法是以高纯W粉，Ti粉以及高纯Mo、Cr、Ta、Nb等添加金属粉为原料，采用高温高压的热压成型工艺制备高致密的钨钛合金靶材，靶材相对密度达到95～99％，富钨相的含量达到80～93％。相对于现有技术，本方法混料时添加部分高纯Nb、Mo、Cr、Ta等金属粉，能稳定合金中的富钨相，增加合金中富钨相的含量，提高了靶材的使用质量。
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公开(公告)号：CN102863004A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110186520.2
申请日：2011-07-05
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C01F17/00
摘要： 本发明涉及一种高纯氧化钪的提纯制备方法，属于湿法冶金技术领域。本发明采用盐酸溶解粗氧化钪，多次沉淀分离其它杂质元素，提纯粗氧化钪，得到高纯度氧化钪产品，其中，氧化钪原料经过盐酸溶解，过滤，滤液氨水沉淀，纯水漂洗，过滤抽干，滤饼再次盐水溶解，过滤，滤液氨水沉淀，纯水漂洗，过滤抽干，滤饼再次盐酸溶解，过滤，草酸沉淀，纯水漂洗，烘干，煅烧，得到高纯度氧化钪。本提纯制备方法简单、经济、效果显著。
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