公开(公告)号：CN107445625B

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201710647330.3

申请日：2017-08-01

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 王星明 ,  杨磊 ,  桂涛 ,  白雪 ,  刘宇阳 ,  储茂友 ,  彭程

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

摘要： 本发明属于超高温陶瓷材料制备技术领域，提供了一种高致密度ZrB2陶瓷的制备方法。该方法具体步骤为：首先采用碳热还原法和自蔓延法分别制备ZrB2粉体，再将自蔓延法制备的ZrB2粉体作为添加剂按一定比例与碳热还原法制备的ZrB2粉体均匀混合作为原料粉体，最后将该原料粉体装入高强石墨模具中，真空热压烧结实现ZrB2陶瓷的深度致密化。本发明提供的制备方法工艺简单，成本低，可操作性强，易于实现工业化生产，热压烧结过程无须添加烧结助剂，得到的ZrB2陶瓷相结构单一、纯度高、致密度高。

公开(公告)号：CN106044854A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610639345.0

申请日：2016-08-05

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 彭程 ,  王星明 ,  张碧田 ,  段华英 ,  孙静 ,  石志霞 ,  何芬

IPC分类号： C01G31/02

CPC分类号： C01G31/02 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/32 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/80

摘要： 本发明涉及一种亚微米级三氧化二钒粉体的制备方法，主要包括以下步骤：(1)配制草酸溶液；(2)将草酸溶液加热，加入五氧化二钒粉体，搅拌下反应，直至完全溶解，得到草酸氧钒溶液；(3)向草酸氧钒溶液中缓慢加入氨水，搅拌下反应，产生沉淀；(4)沉淀过滤后烘干，得到高活性前驱体；(5)前驱体置于惰性气氛中焙烧，得到亚微米级三氧化二钒粉体。本发明方法得到的三氧化二钒粉体产品纯度高，物相单一；颗粒类球状，大小均匀，粒度小于1μm，在亚微米级别，颗粒表面活性高，有利于进一步加工使用。且本发明工艺简单，易于操作，成本低，无需在氢气或其它还原气氛下进行，安全性高，三废处理量少，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN103693621A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201210375040.5

申请日：2012-09-27

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 何芬 ,  张碧田 ,  王星明 ,  段华英 ,  石志霞 ,  彭程 ,  孙静 ,  潘德明

IPC分类号： C01B11/00

摘要： 本发明公开了一种高纯氧氯化铪的制备方法，属于湿法冶金技术领域。包括：（1）氢氧化铪原料准备：以金属铪及铪合金废弃料为原料，经硫酸溶液溶解，水浸，过滤，滤液加碱沉淀，沉淀物加水漂洗至近中性，过滤，滤饼烘干、破碎；（2）滤饼经烘干、破碎后，用盐酸溶液或结晶母液溶解，得到铪盐酸溶液；（3）调整铪盐酸溶液中H+浓度和HfO2浓度，自然冷却结晶；（4）结晶后过滤，将过滤后得到的晶体加水溶解，过滤，调整溶液的H+浓度和HfO2浓度，加热至沸，进行二次结晶；（5）二次结晶后过滤，所得晶体用盐酸溶液或洗涤母液洗涤，得到高纯氧氯化铪。本发明所得高纯氧氯化铪杂质含量较低，可用于制备生产紫外级氧化铪等铪的高端产品。

公开(公告)号：CN100497721C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200510109269.4

申请日：2005-10-20

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 王星明 ,  储茂有 ,  段华英 ,  黄松涛 ,  张碧田 ,  邓世斌 ,  张明贤 ,  龚述荣 ,  潘德明

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/02

摘要： 本发明公开了一种预处理的光学镀膜材料及其预处理方法。该方法包括：(1)选用光学镀膜材料的原料粉体；(2)在温度为700～1400℃，压力为10～40MPa条件下制备素坯；(3)在高温烧结炉中烧结，在烧结温度900～1800℃条件下恒温烧结2～4小时，制备坯体；(4)将坯体严格按照镀膜机坩埚的尺寸加工成型；(5)在还原气氛炉中，在温度为1000～1700℃条件下，进行脱气处理2～6小时，即为预处理的光学镀膜材料。所得到TiO2预处理的光学镀膜材料，其相对密度达到99%，氧含量为39.8%，失氧率为6%，按化学计量拟合其分子式为TiO1.979。预处理的光学镀膜材料具有以下特点：1)高度致密化，相对密度达到90%以上，有些接近材料的理论密度；2)对于高折射率氧化物光学镀膜材料，通过本发明的工艺方法进行特定处理失去部分晶格氧。

公开(公告)号：CN101178440A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200610114351.0

申请日：2006-11-07

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 张碧田 ,  潘德明 ,  王星明 ,  段华英 ,  储茂友 ,  邓世斌 ,  孙静 ,  张明贤 ,  龚述荣

IPC分类号： G02B1/00

摘要： 一种高折射率光学薄膜用蒸发材料，是一种化学式为LaTiO3的化合物。该材料为单一相结构组成，不存在其它杂相。该材料密度为5.2～5.9g/cm3，材料充填性好。以Ti2O3和La2O3；或者TiO2、La2O3和Ti为原料，在高温和真空状态下进行固相反应，生成LaTiO3。该LaTiO3蒸发材料用于制备高折射率光学膜层，该膜层为性能优异的硬介质膜层。所述的高折射率光学膜层为树脂镜片的镀膜、分色棱镜或宽带的增透膜。在制备高折射率光学薄膜的方法中，在蒸发过程中LaTiO3蒸发材料组成保持不变，坩埚中LaTiO3蒸发材料不用更新而保持所制备薄膜的折射率稳定。并且经一次熔化后，可以进行多次蒸发，制备多个高折射率光学薄膜。

公开(公告)号：CN108101533B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201711415985.4

申请日：2017-12-25

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 王星明 ,  刘宇阳 ,  彭程 ,  储茂友 ,  白雪

IPC分类号： C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B35/50

摘要： 本发明属于陶瓷靶材制备技术领域，特别涉及一种热障涂层用陶瓷靶材的制备方法。该陶瓷靶材为氧化钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷靶材，Gd2Zr2O7陶瓷靶材，La2Ce2O7陶瓷靶材，La2O3+CeO2+Gd2O3、La2O3+CeO2+Ta2O5、La2O3+CeO2+ZrO2+Y2O3陶瓷靶材，通过机械混合、造粒、高温固相反应、冷等静压、烧结、真空退火、切削加工处理即可得到目标尺寸的陶瓷靶材；通过本发明提供的制备方法制备的陶瓷靶材纯度高达99.9％以上，能有效避免偏析、喷溅、开裂等问题，靶材微观结构组织均匀、强度高。

公开(公告)号：CN106044854B

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201610639345.0

申请日：2016-08-05

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 彭程 ,  王星明 ,  张碧田 ,  段华英 ,  孙静 ,  石志霞 ,  何芬

IPC分类号： C01G31/02

摘要： 本发明涉及一种亚微米级三氧化二钒粉体的制备方法，主要包括以下步骤：(1)配制草酸溶液；(2)将草酸溶液加热，加入五氧化二钒粉体，搅拌下反应，直至完全溶解，得到草酸氧钒溶液；(3)向草酸氧钒溶液中缓慢加入氨水，搅拌下反应，产生沉淀；(4)沉淀过滤后烘干，得到高活性前驱体；(5)前驱体置于惰性气氛中焙烧，得到亚微米级三氧化二钒粉体。本发明方法得到的三氧化二钒粉体产品纯度高，物相单一；颗粒类球状，大小均匀，粒度小于1μm，在亚微米级别，颗粒表面活性高，有利于进一步加工使用。且本发明工艺简单，易于操作，成本低，无需在氢气或其它还原气氛下进行，安全性高，三废处理量少，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN105585317A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201410559166.7

申请日：2014-10-20

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 刘宇阳 ,  白雪 ,  王星明 ,  储茂友 ,  韩沧 ,  张碧田 ,  段华英

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种锡酸镉靶材及其制备方法，属于陶瓷靶材技术领域。该锡酸镉靶材的组成为Cd2SnO4和CdSnO3，其中Cd2SnO4的含量大于95w％。本发明以SnO2粉和CdO粉为原料粉制成的Cd2SnO4单相粉体为原料，采用热压烧结工艺，不添加任何添加剂，并且在热压工艺中采用两段式温度，进行低温真空烧结，高温氩气保护烧结，制得致密的锡酸镉陶瓷靶材。该靶材中Cd2SnO4含量大于95w％，相对密度达到80～95％，电阻率达到1～6×10-4Ω·cm。

公开(公告)号：CN102398911B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201010281027.4

申请日：2010-09-13

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 王星明 ,  何芬 ,  段华英 ,  张碧田 ,  储茂友 ,  石志霞 ,  孙静 ,  韩沧

IPC分类号： C01F5/08

摘要： 本发明涉及一种高纯氧化镁粉体的制备方法，属于湿法冶金领域。其制备步骤包括：用去离子水溶解氯化镁，配制氯化镁溶液；根据溶解平衡原理，计算各杂质离子的起始沉淀pH值，确定Fe、Al、Si杂质的沉淀pH范围，加入碱性试剂，调节pH值，中和沉淀，过滤，以除去Fe、Al、Si等杂质，滤液待用；在滤液中加入碱性试剂，中和沉淀Mg，过滤分离，得到滤饼；将得到的滤饼在烘箱中保持120℃恒温，烘干得到Mg(OH)2；再在920℃恒温煅烧3小时，破碎，筛分得到MgO粉体。本发明采用的方法简单易行，易于量产化生产，成本低；制备的MgO粉体，其金属杂质离子满足PDP介质层对MgO材料纯度的要求，可用于制备MgO光学镀膜材料。

公开(公告)号：CN102653470A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201110049635.7

申请日：2011-03-02

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 储茂友 ,  王星明 ,  陈洋 ,  邓士斌 ,  韩沧 ,  张碧田 ,  段华英 ,  潘德明

IPC分类号： C04B35/515 ,  C04B35/645

摘要： 本发明涉及一种铬二铝碳陶瓷靶材及其真空热压制备方法，包括将铬粉、铝粉和碳粉按照摩尔比2:(1~1.5):1配料，预压制坯；热压炉抽真空至10-1Pa，然后以5~10℃/min的速度升温到600~650℃，保温1~2小时；随后以10~20℃/min的速度升温至1300~1500℃，加压到10～30MPa时，保温保压2~4小时后，降温，降到900-1100℃，泄压至常压；冷却至室温，得到坯料；进行机械加工和电加工，然后清洗、烘干，得到高纯高单相含量铬二铝碳陶瓷靶材。本发明制备的铬二铝碳陶瓷靶材致密度达到97%以上，铬二铝碳化合物相含量达到98~99%，靶材的氧含量低，靶材质量满足涂层制备要求，成本低，适合大尺寸铬二铝碳陶瓷靶材工业化生产。