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公开(公告)号：CN113009308A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110202189.2
申请日：2021-02-23
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法，所述装置包括：高压电容、放电电容、电感、被测功率半导体器件、续流二极管、辅助IGBT开关、预关断续流回路二极管、高压直流电源、驱动脉冲生成器、电流测量单元、电压测量单元、温度测量单元；所述装置的电路拓扑可以实现MMC用功率半导体器件的应力特点等效，填补了现有器件级可靠性试验装置模拟MMC换流器应力方面的空白。所述方法通过简单时序控制辅助IGBT开关的通断，即可在不影响被测功率半导体器件工况的情况下实现不同电容的投切，保证装置长时间稳定运行，控制过程简单，装置可靠性高。
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公开(公告)号：CN110232234B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201910481319.3
申请日：2019-06-04
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/23 , G06F113/18
摘要： 本发明公开一种PETT振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法，所述PETT振荡调节器件为绕有线圈的坡莫合金环；所述坡莫合金环为环状结构；所述线圈的第一接线端连接直流电源的第一接线端，所述线圈的第二接线端连接直流电源的第二接线端；将所述坡莫合金环套在具有产生PETT振荡功能的IGBT器件的金属电极上，通过调节所述线圈内直流电流的大小来调节所述IGBT器件产生的PETT振荡的参数。本发明可以对IGBT器件产生的PETT振荡进行调控，并放置于工业界的IGBT模块中，作为监测模块的辅助装置，在监测时调节线圈电流，以应用于后续对IGBT模块的状态监测过程。
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公开(公告)号：CN110232234A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910481319.3
申请日：2019-06-04
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法，所述PEET振荡调节器件为绕有线圈的坡莫合金环；所述坡莫合金环为环状结构；所述线圈的第一接线端连接直流电源的第一接线端，所述线圈的第二接线端连接直流电源的第二接线端；将所述坡莫合金环套在具有产生PETT振荡功能的IGBT器件的金属电极上，通过调节所述线圈内直流电流的大小来调节所述IGBT器件产生的PETT振荡的参数。本发明可以对IGBT器件产生的PETT振荡进行调控，并放置于工业界的IGBT模块中，作为监测模块的辅助装置，在监测时调节线圈电流，以应用于后续对IGBT模块的状态监测过程。
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公开(公告)号：CN110133472A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910481839.4
申请日：2019-06-04
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/265 , G01R31/27
摘要： 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数，然后利用所述双脉冲测试电路，获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值，得到测试数据，根据测试数据确定拟合函数中的待定系数，得到拟合函数模型；然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号，并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号，获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数，实现了IGBT芯片的非接触式测量，进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。
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公开(公告)号：CN110556349B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201910931350.2
申请日：2019-09-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/498 , H01L23/48 , H01L23/49 , H01L23/00 , H01L25/18
摘要： 本发明公开了一种功率型半导体器件封装结构，该封装通过设置柔性导电层及双面覆导电层的绝缘板，E电极不直接作用于芯片组件上，芯片组件的电流通过柔性导电层到达E电极，芯片组件的热量以垂直方式通过柔性导电层向散热工质传导(例如向四周的电极传热)，且第一导电凸起来承接柔性导电层，分散了作用于芯片组件上的压应力，柔性导电层对芯片组件焊接面实现较小的压应力，避免了较大的压力直接作用在芯片组件表面，减少了芯片组件温度循环时高压应力条件下的三向应力损伤，提高了连接可靠性，实现压力与导电和导热的解耦，最终提高了功率型半导体器件封装结构可靠性。
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公开(公告)号：CN110676176B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910931349.X
申请日：2019-09-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/367 , H01L23/49 , H01L23/498
摘要： 本发明所提供的功率型半导体器件封装结构的制备工艺，通过设置柔性导电层及双面覆导电层的绝缘板，E电极不直接作用于芯片组件上，芯片组件的电流通过柔性导电层到达E电极，芯片组件的热量以垂直方式通过柔性导电层向散热工质传导(例如向四周的电极传热)，且第一导电凸起来承接柔性导电层，分散了作用于芯片组件上的压应力，柔性导电层对芯片组件焊接面实现较小的压应力，避免了较大的压力直接作用在芯片组件表面，减少了芯片组件温度循环时高压应力条件下的三向应力损伤，提高了连接可靠性，实现压力与导电和导热的解耦，最终提高了功率型半导体器件封装结构可靠性。
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公开(公告)号：CN110556349A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910931350.2
申请日：2019-09-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/498 , H01L23/48 , H01L23/49 , H01L23/00 , H01L25/18
摘要： 本发明公开了一种功率型半导体器件封装结构，该封装通过设置柔性导电层及双面覆导电层的绝缘板，E电极不直接作用于芯片组件上，芯片组件的电流通过柔性导电层到达E电极，芯片组件的热量以垂直方式通过柔性导电层向散热工质传导(例如向四周的电极传热)，且第一导电凸起来承接柔性导电层，分散了作用于芯片组件上的压应力，柔性导电层对芯片组件焊接面实现较小的压应力，避免了较大的压力直接作用在芯片组件表面，减少了芯片组件温度循环时高压应力条件下的三向应力损伤，提高了连接可靠性，实现压力与导电和导热的解耦，最终提高了功率型半导体器件封装结构可靠性。
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公开(公告)号：CN110676176A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910931349.X
申请日：2019-09-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/367 , H01L23/49 , H01L23/498
摘要： 本发明所提供的功率型半导体器件封装结构的制备工艺，通过设置柔性导电层及双面覆导电层的绝缘板，E电极不直接作用于芯片组件上，芯片组件的电流通过柔性导电层到达E电极，芯片组件的热量以垂直方式通过柔性导电层向散热工质传导(例如向四周的电极传热)，且第一导电凸起来承接柔性导电层，分散了作用于芯片组件上的压应力，柔性导电层对芯片组件焊接面实现较小的压应力，避免了较大的压力直接作用在芯片组件表面，减少了芯片组件温度循环时高压应力条件下的三向应力损伤，提高了连接可靠性，实现压力与导电和导热的解耦，最终提高了功率型半导体器件封装结构可靠性。
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公开(公告)号：CN210467812U
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201921638668.3
申请日：2019-09-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/498 , H01L23/48 , H01L23/49 , H01L23/00 , H01L25/18
摘要： 本实用新型公开了一种功率型半导体器件封装结构，该封装通过设置柔性导电层及双面覆导电层的绝缘板，E电极不直接作用于芯片组件上，芯片组件的电流通过柔性导电层到达E电极，芯片组件的热量以垂直方式通过柔性导电层向散热工质传导(例如向四周的电极传热)，且第一导电凸起来承接柔性导电层，分散了作用于芯片组件上的压应力，柔性导电层对芯片组件焊接面实现较小的压应力，避免了较大的压力直接作用在芯片组件表面，减少了芯片组件温度循环时高压应力条件下的三向应力损伤，提高了连接可靠性，实现压力与导电和导热的解耦，最终提高了功率型半导体器件封装结构可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN118943137A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410993644.9
申请日：2024-07-24
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H01L25/18 , H02M1/00 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/48 , H05K1/18
摘要： 本申请涉及一种适用高压大电流的功率半导体模块，其包括基板以及n组相互平行布置的半桥子模块，其中n≥2，所述半桥子模块通过焊锡连接于基板上，单组半桥子模块呈轴对称结构，且相邻半桥子模块呈中心对称结构。其利用偶数数量的相同的半桥子模块组成一个半桥模块，并将相邻的半桥子模块成中心对对称布置，使得半桥模块运行时流通电流产生的互磁链与自磁链相互抵消，从而减小寄生电感。同时该模块减小了公共支路的长度，提高了模块的散热能力。
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