一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法

    公开(公告)号:CN110133472B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201910481839.4

    申请日:2019-06-04

    IPC分类号: G01R31/265 G01R31/27

    摘要: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数,然后利用所述双脉冲测试电路,获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值,得到测试数据,根据测试数据确定拟合函数中的待定系数,得到拟合函数模型;然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号,并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号,获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数,实现了IGBT芯片的非接触式测量,进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。

    一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法

    公开(公告)号:CN110232234A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910481319.3

    申请日:2019-06-04

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明公开一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法,所述PEET振荡调节器件为绕有线圈的坡莫合金环;所述坡莫合金环为环状结构;所述线圈的第一接线端连接直流电源的第一接线端,所述线圈的第二接线端连接直流电源的第二接线端;将所述坡莫合金环套在具有产生PETT振荡功能的IGBT器件的金属电极上,通过调节所述线圈内直流电流的大小来调节所述IGBT器件产生的PETT振荡的参数。本发明可以对IGBT器件产生的PETT振荡进行调控,并放置于工业界的IGBT模块中,作为监测模块的辅助装置,在监测时调节线圈电流,以应用于后续对IGBT模块的状态监测过程。

    一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法

    公开(公告)号:CN110133472A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910481839.4

    申请日:2019-06-04

    IPC分类号: G01R31/265 G01R31/27

    摘要: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数,然后利用所述双脉冲测试电路,获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值,得到测试数据,根据测试数据确定拟合函数中的待定系数,得到拟合函数模型;然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号,并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号,获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数,实现了IGBT芯片的非接触式测量,进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。

    一种压接型功率器件封装结构和封装方法

    公开(公告)号:CN111081642A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911064150.8

    申请日:2019-11-04

    摘要: 本发明提供一种压接型功率器件封装结构和封装方法,封装结构包括分体式管壳和位于分体式管壳内部的压接型功率器件;分体式管壳包括上封接件(2)和下封接件(1),所述上封接件(2)和下封接件(1)之间形成密闭腔体;压接型功率器件(5)下表面与下封接件(1)的底部固定,其上表面上封接件(2)的底部固定;分体式管壳内充斥绝缘介质。本发明采用绝缘油或者绝缘气体作为绝缘介质,能够通过绝缘介质提高了功率器件的耐压能力;上封接件和下封接件通过冷压焊接形式固定,在管壳内部形成了密封腔体,大大提高了分体式管壳的密封性能和绝缘可靠性;本发明还提高了封装结构的散热性能和散热效率。

    一种压接型IGBT热阻检测方法及装置

    公开(公告)号:CN111751697A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010643033.3

    申请日:2020-07-06

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本申请提供的一种压接型IGBT热阻检测方法及装置,该方法包括:根据发射极散热器的进水口温度和出水口温度,以及集电极散热器的进水口温度和出水口温度,计算IGBT的发射极与集电极的散热比例;根据IGBT的电流和IGBT发射极与集电极之间的压降,确定IGBT的发热功率;根据IGBT的发射极与集电极的散热比例、IGBT的发热功率、发射极壳温及结温,确定IGBT的发射极侧热阻;根据IGBT的发射极与集电极的散热比例、IGBT的发热功率、集电极壳温及结温,确定IGBT的集电极侧热阻。无需对芯片进行直接接触,解决了无法对压接型IGBT进行热阻检测的技术问题,为判断压接型IGBT器件的可靠性奠定了基础。

    一种IGBT器件测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN111751695A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010633478.3

    申请日:2020-07-02

    IPC分类号: G01R31/26 G01R31/52

    摘要: 本发明公开了一种IGBT器件测试装置及测试方法,装置包括:可变温度湿度试验箱,用于控制测试环境温度及湿度;每个测试工位均置于所述可变温度湿度试验箱内部,每个测试工位用于固定一个IGBT,并对IGBT进行散热;测试与控制模块,用于对IGBT进行周期测试,在每次周期测试中依次对IGBT进行高压测试及静态参数测试;测试电源,与IGBT的栅极连接,用于输出测试脉冲信号,所述脉冲信号用于控制IGBT的通断状态;多条电源引线,用于将外接电源与IGBT连接,并采集IGBT的漏电流。本发明利用可变温度湿度试验箱将测试温度保持高温度高湿度环境状态下,对IGBT进行高压测试之后,利用测量电源对IGBT进行静态参数测试,从而解决了无法了解失效器件的退化过程和其他参数变化规律。

    一种功率半导体器件大电流关断能力检测电路及方法

    公开(公告)号:CN110865291A

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201911136076.6

    申请日:2019-11-19

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及一种功率半导体器件大电流关断能力检测电路及方法,所述电路包括:三相不控整流模块、变流器模块、辅助换流器件、被测功率半导体器件和续流吸收回路;三相不控整流模块的正极端子连接所述变流器模块的前级输入正极端子,三相不控整流模块的负极端子连接所述变流器模块的前级输入负极端子;变流器模块的后级输出正极端子分别连接所述辅助换流器件的集电极、被测功率半导体器件的集电极和续流吸收回路的正极端子;变流器模块的后级输出负极端子分别连接所述辅助换流器件的发射极、被测功率半导体器件的发射极和续流吸收回路的负极端子。本发明提供的检测电路提高了检测系统的扩展性和灵活性,检测方法保证检测结果的准确。

    一种用于压接型IGBT的绝缘框架结构

    公开(公告)号:CN110416194A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910501701.6

    申请日:2019-06-11

    摘要: 本发明提供一种用于压接型IGBT的绝缘框架结构,其包括内凹槽、E极立柱、G极立柱、导向隔板和伞裙;导向隔板和伞裙分别位于内凹槽的下侧和外侧,E极立柱和G极立柱均竖直设置在内凹槽内部;伞裙包括至少两层依次排列的L型伞裙片。本发明提供的绝缘框架结构体积小,通用性和稳定性强,易加工,定位简单,可有效解决不同高电压等级下的绝缘配合问题,满足器件内部多芯片并联结构的固定定位要求。本发明采用改性塑料开模注塑成型,可实现批量加工,电气绝缘强度高,抗爬电,机械性能优良,灌胶口和排气孔有利于灌注硅凝胶并排除空气,降低气泡引起的局部放电和受热膨胀带来的不利影响。