一种功率器件均流特性评估实验装置

    公开(公告)号:CN113030608B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202110207863.6

    申请日:2021-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置,所述实验装置包括:PCB板和功率器件测试电路;PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座;功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局;本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座,使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局,进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。

    用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法

    公开(公告)号:CN112946451B

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110202180.1

    申请日:2021-02-23

    Abstract: 本发明公开了一种用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法。该装置包括:驱动脉冲生成器、两个试验电路、两个供能电路,每个试验电路中都有IGBT器件,两个电容的电压绝对值达到MMC中IGBT器件的工作电压后,通过电感和电容的谐振作用,使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点,在IGBT完成一个试验周期后,电容的极性发生改变,在IGBT关断后,只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压,满足IGBT进行下一试验周期的需求。采用本发明的试验装置、系统及方法,能够对IGBT器件进行可靠性评估,避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。

    一种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法

    公开(公告)号:CN113009308A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202110202189.2

    申请日:2021-02-23

    Abstract: 本发明公开了一种种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法,所述装置包括:高压电容、放电电容、电感、被测功率半导体器件、续流二极管、辅助IGBT开关、预关断续流回路二极管、高压直流电源、驱动脉冲生成器、电流测量单元、电压测量单元、温度测量单元;所述装置的电路拓扑可以实现MMC用功率半导体器件的应力特点等效,填补了现有器件级可靠性试验装置模拟MMC换流器应力方面的空白。所述方法通过简单时序控制辅助IGBT开关的通断,即可在不影响被测功率半导体器件工况的情况下实现不同电容的投切,保证装置长时间稳定运行,控制过程简单,装置可靠性高。

    一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法

    公开(公告)号:CN110232234A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910481319.3

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 本发明公开一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法,所述PEET振荡调节器件为绕有线圈的坡莫合金环;所述坡莫合金环为环状结构;所述线圈的第一接线端连接直流电源的第一接线端,所述线圈的第二接线端连接直流电源的第二接线端;将所述坡莫合金环套在具有产生PETT振荡功能的IGBT器件的金属电极上,通过调节所述线圈内直流电流的大小来调节所述IGBT器件产生的PETT振荡的参数。本发明可以对IGBT器件产生的PETT振荡进行调控,并放置于工业界的IGBT模块中,作为监测模块的辅助装置,在监测时调节线圈电流,以应用于后续对IGBT模块的状态监测过程。

    一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法

    公开(公告)号:CN110133472A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910481839.4

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数,然后利用所述双脉冲测试电路,获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值,得到测试数据,根据测试数据确定拟合函数中的待定系数,得到拟合函数模型;然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号,并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号,获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数,实现了IGBT芯片的非接触式测量,进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。

    一种高压大容量环型空心电抗器支撑结构

    公开(公告)号:CN114464429B

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202210179536.9

    申请日:2022-02-25

    Abstract: 本发明涉及一种高压大容量环型空心电抗器支撑结构。包括若干支撑板、底板、若干绝缘支柱、底座、环形梳状板以及支撑环;多个线饼绕制在水平设置的所述梳状板上,所述多个线饼组成线圈;所述支撑板竖直设置并与所述梳状板连接,用于承担所述梳状板以及其上线饼的重力;所述支撑板固定在水平设置的所述底板上;所述支撑环位于所述线圈的内侧;所述底板和所述支撑环下方固定连接有所述绝缘支柱;所述绝缘支柱固定在所述底座上。本发明提出的环型空心电抗器的线圈能够整体绕制,能够防止线圈发生过大的变形,且散热面积较大,满足高压大容量的应用要求。

    压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法

    公开(公告)号:CN114545184A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210159329.7

    申请日:2022-02-22

    Abstract: 本发明涉及一种压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法,属于压接型IGBT器件领域,罗氏线圈阵列板获取压接型IGBT器件内部各芯片的电流微分信号,模拟多路复用器在主控机的控制下接收被测芯片的电流微分信号,通过积分器还原为被测芯片的电流比例信号,模数转换器将被测芯片的电流比例信号转换为被测芯片的数字电流比例信号,从而主控机获得被测芯片的电流数据。本发明只需要1个积分器和1个模数转换器即可实现多芯片电流的测量,减少硬件资源占用,降低系统复杂度。且本发明充分利用电流周期性和电流波形跨周期基本不变的特性,实现了多芯片电流的跨周期分时测量,同时在电流稳态阶段将模数转换器休眠,降低了系统运行成本。

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