一种压接式功率器件静态特性测量系统

    公开(公告)号:CN111487515B

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN202010315877.5

    申请日:2020-04-21

    IPC分类号: G01R31/26 G01R1/04

    摘要: 本发明涉及一种压接式功率器件静态特性测量系统,包括由水平方向的构件和设置于竖直方向的立柱组成的框架,压力施加装置,温度施加装置。本静态特性测量装置在测试夹具中引入开尔文测试方法,排除引线的测量误差,压力施加装置与框架点接触,能够降低压力施加装置的加工需求,利用箱体进行被测器件的温度控制,在加热或降温过程中可以实现被测器件的均匀温度控制,且可以实时准确测量被测器件的温度,非常适用于不同温度和不同压力下的压接型器件静态特性的准确测量。

    一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法

    公开(公告)号:CN110133472B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201910481839.4

    申请日:2019-06-04

    IPC分类号: G01R31/265 G01R31/27

    摘要: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数,然后利用所述双脉冲测试电路,获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值,得到测试数据,根据测试数据确定拟合函数中的待定系数,得到拟合函数模型;然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号,并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号,获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数,实现了IGBT芯片的非接触式测量,进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。

    一种功率器件均流特性评估实验装置

    公开(公告)号:CN113030608B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202110207863.6

    申请日:2021-02-24

    IPC分类号: G01R31/00 G01R1/04

    摘要: 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置,所述实验装置包括:PCB板和功率器件测试电路;PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座;功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局;本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座,使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局,进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。

    一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法

    公开(公告)号:CN110232234A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910481319.3

    申请日:2019-06-04

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明公开一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法,所述PEET振荡调节器件为绕有线圈的坡莫合金环;所述坡莫合金环为环状结构;所述线圈的第一接线端连接直流电源的第一接线端,所述线圈的第二接线端连接直流电源的第二接线端;将所述坡莫合金环套在具有产生PETT振荡功能的IGBT器件的金属电极上,通过调节所述线圈内直流电流的大小来调节所述IGBT器件产生的PETT振荡的参数。本发明可以对IGBT器件产生的PETT振荡进行调控,并放置于工业界的IGBT模块中,作为监测模块的辅助装置,在监测时调节线圈电流,以应用于后续对IGBT模块的状态监测过程。

    一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法

    公开(公告)号:CN110133472A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910481839.4

    申请日:2019-06-04

    IPC分类号: G01R31/265 G01R31/27

    摘要: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数,然后利用所述双脉冲测试电路,获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值,得到测试数据,根据测试数据确定拟合函数中的待定系数,得到拟合函数模型;然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号,并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号,获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数,实现了IGBT芯片的非接触式测量,进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。

    一种功率器件均流特性评估实验装置

    公开(公告)号:CN113030608A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110207863.6

    申请日:2021-02-24

    IPC分类号: G01R31/00 G01R1/04

    摘要: 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置,所述实验装置包括:PCB板和功率器件测试电路;PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座;功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局;本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座,使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局,进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。

    一种压接式功率器件静态特性测量系统

    公开(公告)号:CN111487515A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010315877.5

    申请日:2020-04-21

    IPC分类号: G01R31/26 G01R1/04

    摘要: 本发明涉及一种压接式功率器件静态特性测量系统,包括由水平方向的构件和设置于竖直方向的立柱组成的框架,压力施加装置,温度施加装置。本静态特性测量装置在测试夹具中引入开尔文测试方法,排除引线的测量误差,压力施加装置与框架点接触,能够降低压力施加装置的加工需求,利用箱体进行被测器件的温度控制,在加热或降温过程中可以实现被测器件的均匀温度控制,且可以实时准确测量被测器件的温度,非常适用于不同温度和不同压力下的压接型器件静态特性的准确测量。

    一种并联均流测试平台及方法和一种金属电极组件

    公开(公告)号:CN110780185B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201911050874.7

    申请日:2019-10-31

    IPC分类号: G01R31/28 G01R31/00

    摘要: 本发明公开一种并联均流测试平台及方法和一种金属电极组件。该平台用于IGBT芯片和二极管芯片的并联均流测试;该平台包括现场主控机、高压直流电源、防爆电容器、反向恢复二极管、电抗器、IGBT驱动器、光波信号发生器、罗果夫斯基电流测量线圈组、压接型IGBT器件、示波器组和金属电极组件;IGBT驱动器、反向恢复二极管、压接型IGBT器件和待测芯片按需求连接成被动注入模式或主动开关模式下的测试电路。金属电极组件包括带孔电极板和带插针的电极凸台;通过将插针插入插孔中实现电极凸台与带孔电极板的连接,电极凸台与待测芯片连接。本发明能够根据待测芯片的布局调整电极的布局,适应在不同布局情况下的并联均流测试。

    一种连续测量IGBT芯片输出曲线的装置及方法

    公开(公告)号:CN109752638A

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201910084809.X

    申请日:2019-01-29

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开一种连续测量IGBT芯片输出曲线的装置及方法。所述装置包括电容,电感,被测IGBT,辅助IGBT,续流二极管,负载电阻,直流电压源,驱动脉冲生成器,电流测量装置和电压测量装置。所述方法基于电感充放电电路,通过一次充放电过程为被测IGBT提供连续变化的电流,同时测量IGBT的电流和电压,即可以得到被测IGBT芯片的整条输出曲线,达到简单、快速测量IGBT芯片输出曲线的效果。