压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法

    公开(公告)号:CN114545184A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210159329.7

    申请日:2022-02-22

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及一种压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法,属于压接型IGBT器件领域,罗氏线圈阵列板获取压接型IGBT器件内部各芯片的电流微分信号,模拟多路复用器在主控机的控制下接收被测芯片的电流微分信号,通过积分器还原为被测芯片的电流比例信号,模数转换器将被测芯片的电流比例信号转换为被测芯片的数字电流比例信号,从而主控机获得被测芯片的电流数据。本发明只需要1个积分器和1个模数转换器即可实现多芯片电流的测量,减少硬件资源占用,降低系统复杂度。且本发明充分利用电流周期性和电流波形跨周期基本不变的特性,实现了多芯片电流的跨周期分时测量,同时在电流稳态阶段将模数转换器休眠,降低了系统运行成本。

    IGBT模块的测试方法、装置及电子设备

    公开(公告)号:CN111487520B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202010345768.8

    申请日:2020-04-27

    IPC分类号: G01R31/28

    摘要: 本发明涉及电力电子器件技术领域,具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中,方法包括:获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值;调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数,每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系;利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值,按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流,解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。

    一种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法

    公开(公告)号:CN113009308B

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202110202189.2

    申请日:2021-02-23

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开了一种种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法,所述装置包括:高压电容、放电电容、电感、被测功率半导体器件、续流二极管、辅助IGBT开关、预关断续流回路二极管、高压直流电源、驱动脉冲生成器、电流测量单元、电压测量单元、温度测量单元;所述装置的电路拓扑可以实现MMC用功率半导体器件的应力特点等效,填补了现有器件级可靠性试验装置模拟MMC换流器应力方面的空白。所述方法通过简单时序控制辅助IGBT开关的通断,即可在不影响被测功率半导体器件工况的情况下实现不同电容的投切,保证装置长时间稳定运行,控制过程简单,装置可靠性高。

    一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法

    公开(公告)号:CN113092979A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110409385.7

    申请日:2021-04-16

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法。测试电路中电流模块包括:电压源和多个并联的H桥变换器单元;H桥变换器单元与电压源串联;H桥变换器单元包括:第一二极管、第一电容、H桥变换器及两个桥臂电感;电压源的正极与第一二极管的正极连接,第一二极管的负极与第一电容的一端及H桥变换器的两个桥臂的输入端连接,H桥变换器的两个桥臂的输出端及第一电容的另一端与电压源的负极连接;桥臂中点连接一桥臂电感,两桥臂电感之间串联被测功率半导体器件;电压模块串联在两桥臂电感之间的电流回路;电流控制模块与电流源模块及电压模块连接;电压控制模块与电压模块连接。本发明提高了MMC工况功率半导体器件测试系统的可靠性。

    一种功率器件均流特性评估实验装置

    公开(公告)号:CN113030608A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110207863.6

    申请日:2021-02-24

    IPC分类号: G01R31/00 G01R1/04

    摘要: 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置,所述实验装置包括:PCB板和功率器件测试电路;PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座;功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局;本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座,使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局,进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。

    一种压接式功率器件静态特性测量系统

    公开(公告)号:CN111487515A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010315877.5

    申请日:2020-04-21

    IPC分类号: G01R31/26 G01R1/04

    摘要: 本发明涉及一种压接式功率器件静态特性测量系统,包括由水平方向的构件和设置于竖直方向的立柱组成的框架,压力施加装置,温度施加装置。本静态特性测量装置在测试夹具中引入开尔文测试方法,排除引线的测量误差,压力施加装置与框架点接触,能够降低压力施加装置的加工需求,利用箱体进行被测器件的温度控制,在加热或降温过程中可以实现被测器件的均匀温度控制,且可以实时准确测量被测器件的温度,非常适用于不同温度和不同压力下的压接型器件静态特性的准确测量。

    一种压接型功率器件封装结构和封装方法

    公开(公告)号:CN111081642A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911064150.8

    申请日:2019-11-04

    摘要: 本发明提供一种压接型功率器件封装结构和封装方法,封装结构包括分体式管壳和位于分体式管壳内部的压接型功率器件;分体式管壳包括上封接件(2)和下封接件(1),所述上封接件(2)和下封接件(1)之间形成密闭腔体;压接型功率器件(5)下表面与下封接件(1)的底部固定,其上表面上封接件(2)的底部固定;分体式管壳内充斥绝缘介质。本发明采用绝缘油或者绝缘气体作为绝缘介质,能够通过绝缘介质提高了功率器件的耐压能力;上封接件和下封接件通过冷压焊接形式固定,在管壳内部形成了密封腔体,大大提高了分体式管壳的密封性能和绝缘可靠性;本发明还提高了封装结构的散热性能和散热效率。

    一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法

    公开(公告)号:CN113092979B

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110409385.7

    申请日:2021-04-16

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法。测试电路中电流模块包括:电压源和多个并联的H桥变换器单元;H桥变换器单元与电压源串联;H桥变换器单元包括:第一二极管、第一电容、H桥变换器及两个桥臂电感;电压源的正极与第一二极管的正极连接,第一二极管的负极与第一电容的一端及H桥变换器的两个桥臂的输入端连接,H桥变换器的两个桥臂的输出端及第一电容的另一端与电压源的负极连接;桥臂中点连接一桥臂电感,两桥臂电感之间串联被测功率半导体器件;电压模块串联在两桥臂电感之间的电流回路;电流控制模块与电流源模块及电压模块连接;电压控制模块与电压模块连接。本发明提高了MMC工况功率半导体器件测试系统的可靠性。