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公开(公告)号：CN113092979B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110409385.7
申请日：2021-04-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法。测试电路中电流模块包括：电压源和多个并联的H桥变换器单元；H桥变换器单元与电压源串联；H桥变换器单元包括：第一二极管、第一电容、H桥变换器及两个桥臂电感；电压源的正极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与第一电容的一端及H桥变换器的两个桥臂的输入端连接，H桥变换器的两个桥臂的输出端及第一电容的另一端与电压源的负极连接；桥臂中点连接一桥臂电感，两桥臂电感之间串联被测功率半导体器件；电压模块串联在两桥臂电感之间的电流回路；电流控制模块与电流源模块及电压模块连接；电压控制模块与电压模块连接。本发明提高了MMC工况功率半导体器件测试系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN112946451A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110202180.1
申请日：2021-02-23
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法。该装置包括：驱动脉冲生成器、两个试验电路、两个供能电路，每个试验电路中都有IGBT器件，两个电容的电压绝对值达到MMC中IGBT器件的工作电压后，通过电感和电容的谐振作用，使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点，在IGBT完成一个试验周期后，电容的极性发生改变，在IGBT关断后，只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压，满足IGBT进行下一试验周期的需求。采用本发明的试验装置、系统及方法，能够对IGBT器件进行可靠性评估，避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。
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公开(公告)号：CN111487515B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010315877.5
申请日：2020-04-21
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种压接式功率器件静态特性测量系统，包括由水平方向的构件和设置于竖直方向的立柱组成的框架，压力施加装置，温度施加装置。本静态特性测量装置在测试夹具中引入开尔文测试方法，排除引线的测量误差，压力施加装置与框架点接触，能够降低压力施加装置的加工需求，利用箱体进行被测器件的温度控制，在加热或降温过程中可以实现被测器件的均匀温度控制，且可以实时准确测量被测器件的温度，非常适用于不同温度和不同压力下的压接型器件静态特性的准确测量。
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公开(公告)号：CN111487520A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010345768.8
申请日：2020-04-27
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。
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公开(公告)号：CN110133472B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910481839.4
申请日：2019-06-04
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/265 , G01R31/27
摘要： 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数，然后利用所述双脉冲测试电路，获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值，得到测试数据，根据测试数据确定拟合函数中的待定系数，得到拟合函数模型；然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号，并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号，获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数，实现了IGBT芯片的非接触式测量，进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。
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公开(公告)号：CN111487520B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010345768.8
申请日：2020-04-27
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。
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公开(公告)号：CN114152831A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111483879.6
申请日：2021-12-07
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明涉及一种用于压接型功率器件的测试设备，所述测试设备包括：热压机构、热压传感器组件、传动机构和控制机构。本发明通过设置热压机构、热压传感器组件、传动机构和控制机构，实现了待测试模块的自动传送、压力和温度的自动调节，提高了压接型功率器件测试设备的自动化程度。
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公开(公告)号：CN113009308B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110202189.2
申请日：2021-02-23
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法，所述装置包括：高压电容、放电电容、电感、被测功率半导体器件、续流二极管、辅助IGBT开关、预关断续流回路二极管、高压直流电源、驱动脉冲生成器、电流测量单元、电压测量单元、温度测量单元；所述装置的电路拓扑可以实现MMC用功率半导体器件的应力特点等效，填补了现有器件级可靠性试验装置模拟MMC换流器应力方面的空白。所述方法通过简单时序控制辅助IGBT开关的通断，即可在不影响被测功率半导体器件工况的情况下实现不同电容的投切，保证装置长时间稳定运行，控制过程简单，装置可靠性高。
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公开(公告)号：CN113092979A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110409385.7
申请日：2021-04-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法。测试电路中电流模块包括：电压源和多个并联的H桥变换器单元；H桥变换器单元与电压源串联；H桥变换器单元包括：第一二极管、第一电容、H桥变换器及两个桥臂电感；电压源的正极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与第一电容的一端及H桥变换器的两个桥臂的输入端连接，H桥变换器的两个桥臂的输出端及第一电容的另一端与电压源的负极连接；桥臂中点连接一桥臂电感，两桥臂电感之间串联被测功率半导体器件；电压模块串联在两桥臂电感之间的电流回路；电流控制模块与电流源模块及电压模块连接；电压控制模块与电压模块连接。本发明提高了MMC工况功率半导体器件测试系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN113030608A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110207863.6
申请日：2021-02-24
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置，所述实验装置包括：PCB板和功率器件测试电路；PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座；功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上，使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局；本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座，使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上，使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局，进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。
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