公开(公告)号：CN114716243B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202210379506.2

申请日：2022-04-12

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  李心宏 ,  卢振亚 ,  陈志武 ,  梁岸

IPC: C04B35/475

Abstract: 本发明属于电容材料的技术领域，公开了一种高温稳定型钛酸铋钠‑钛酸锶基介电储能陶瓷材料及其制备与应用。所述介电储能陶瓷材料，化学组成为Na0.35Bi0.35Sr0.3Ti(1‑x)(Al0.5Nb0.5)xO3，0＜x≤0.05。本发明还公开了介电储能陶瓷材料的制备方法。本发明的介电储能陶瓷材料具有良好的储能性能和高温稳定性，如：在室温、60kV/cm外加电场下的储能密度Wrec为0.62J/cm3，储能效率为73.89％；具有高介电常数且其高温稳定性，在室温到270℃介电常数保持3311±15％以及tanδ＜0.02的低介电损耗。本发明的介电储能陶瓷材料用于介电储能电容器。

公开(公告)号：CN115101659A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210576471.1

申请日：2022-05-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 何新华 ,  何秀将 ,  卢振亚 ,  王歆

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43 ,  C04B35/26

Abstract: 本发明属于压电陶瓷的技术领域，公开了一种铁酸铋‑钛酸钡无铅压电陶瓷材料及制备方法。所述压电陶瓷的组成为0.7Bi1.02FeO3‑0.3BaTiO3‑x％LiF+y％M+z％SiO2；M表示含Mn金属化合物；x、y、z分别表示LiF、M和SiO2的摩尔分数，0.25≤x≤0.75，0.35≤y≤0.75，0≤z≤0.3。本发明还公开了压电陶瓷的制备方法。本发明调控了晶格中的氧空位浓度，加强晶格畸变，改善了显微结构，使压电性和居里温度均获得明显提高。本发明的压电陶瓷材料烧结温区宽(880～1020℃)、压电常数高(d33＝180～208pC/N)、居里温度高(TC＝550℃)。

公开(公告)号：CN113674994B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202111112404.6

申请日：2021-09-23

Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 ,  华南理工大学

Inventor： 冯毅龙 ,  卢振亚 ,  吕明 ,  曾石稳

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/00

Abstract: 本发明属电容器制备技术领域，尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明提供了的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，包括第一半导体化SrTiO3单晶片，第二半导体化SrTiO3单晶片，设置于所述第一半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层，所述第二半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层。本发明提供的电容器材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。

公开(公告)号：CN113860866A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111015325.3

申请日：2021-08-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 陈志武 ,  刘瑞兆 ,  卢振亚 ,  王歆

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基X8R型多层陶瓷电容器用介质材料及制备方法。该材料化学式为BaTiO3‑xBi2O3‑yMgO‑zY2O3+0.5mol％Nd2O3+0.5wt％B。其制备方法为：先制备硼锌助烧剂B；然后将原料放入球磨机中用湿式球磨法混合球磨，并经烘干得到陶瓷粉体、研磨、造粒、过筛，干压成型得到陶瓷生坯；排胶后在烧结即得到。本发明的高介电常数X8R型MLCC介质材料制备工艺简单、成本低廉、介电常数高，其室温介电常数为2884，室温损耗≤2％，在‑55℃‑150℃温度范围内，相对室温介电常数的容温变化率的绝对值|△C/C25℃|≤15％，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN113674994A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202111112404.6

申请日：2021-09-23

Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 ,  华南理工大学

Inventor： 冯毅龙 ,  卢振亚 ,  吕明 ,  曾石稳

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/00

Abstract: 本发明属电容器制备技术领域，尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明提供了的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，包括第一半导体化SrTiO3单晶片，第二半导体化SrTiO3单晶片，设置于所述第一半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层，所述第二半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层。本发明提供的电容器材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。

公开(公告)号：CN113666738A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202111017096.9

申请日：2021-08-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 陈志武 ,  刘瑞兆 ,  胡婉兵 ,  卢振亚

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基X9R型多层陶瓷电容器用介质材料及制备方法。该材料化学式为0.85BT‑0.15BNT‑0.02Nb2O5‑0.02MgO‑xCaZrO3，其中x＝1.0～3.0mol％。其制备方法为：制备Bi0.5Na0.5TiO3；制备0.85BaTiO3‑0.15Bi0.5Na0.5TiO3；原料放入球磨机中用湿式球磨法混合球磨，并经烘干得到陶瓷粉体；研磨、造粒、过筛，干压成型得到陶瓷生坯；排胶后在烧结，即得到。本发明制备的介质陶瓷材料在‑55～200℃温度范围内满足容温变化率|△C/C25℃|≤15％，且室温下介电常数约为1940，室温介电损耗不超过2.0％。

公开(公告)号：CN113096971A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110330109.1

申请日：2021-03-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 卢振亚 ,  徐谦 ,  黄都

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46

Abstract: 本发明公开了一种纳米多孔Al/Au/MnO2电极材料及其制备的超级电容器。电极材料制备步骤为：用混酸腐蚀铝箔，以得到纳米多孔的结构并增大其比表面积；在酸腐蚀后的铝箔上喷镀连续超薄金层作为过渡层得到Al/Au集流体，通过电沉积方法在纳米多孔的Al/Au集流体上沉积纳米MnO2，得到Al/Au/MnO2电极。本发明采用纳米多孔的集流体，MnO2利用多孔骨架自主生长，提高了MnO2活性材料的质量负载。超薄Au层显著提高了电化学沉积体系中的Al箔集流体与MnO2之间的附着力，Al/Au/MnO2电极和由其组装成的全固态超级电容器，具有较高的比电容，优异的倍率特性、良好的循环稳定性以及出色的柔韧性。

公开(公告)号：CN110598255B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201910749267.3

申请日：2019-08-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 关康 ,  卢振亚 ,  吴建青 ,  曾庆丰 ,  冯志强 ,  刘建涛 ,  高勇 ,  龚振远

IPC: G06F30/23 ,  G16C20/30 ,  G16C20/70

Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积速率预测方法，具体涉及化学工艺研究领域，具体预测方法如下：建立有限元反应器模型；建立能量守恒方程；建立质量守恒和动量守恒方程；建立多组分扩散方程；建立气相反应模型；极限学习机模型和粘附系数法确定主要中间物质；建立表面反应模型；沉积速率预测模型建立粘度系数和表面浓度、沉积速率的相关性；建立中间物质粘度系数与其影响因素之间的多因变量的PLSR模型；根据实验结果确定粘附系数。本发明结合机器学习和计算流体力学的模拟技术，将大大降低模型参数对人为经验的依赖，通过少量实验即可准确确定重要中间相和粘滞系数，达到预测结果准确性高、可靠性强的技术效果。

公开(公告)号：CN112259374A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202010972653.1

申请日：2020-09-16

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  钟煌 ,  卢振亚 ,  陈志武

IPC: H01G4/012 ,  H01G4/008 ,  H01G4/14 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种BST基多层介电增强薄膜及其制备方法，包括衬底，采用溶胶凝胶法在衬底上旋涂多层异质薄膜，利用磁控溅射在多层异质薄膜上沉积Au电极，所述多层异质薄膜由BST薄膜和BTO薄膜交替堆叠构成。该结构是利用溶胶凝胶旋涂制膜，通过不同的溶胶浓度以及旋涂工艺获得周期厚度不一的多层异质结构薄膜，本发明改善了由于进一步减小薄膜厚度所带来的介电性能下降的问题，使材料的介电常数得到剧增。

公开(公告)号：CN111908914A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010685817.2

申请日：2020-07-16

Applicant: 广州天极电子科技有限公司 ,  华南理工大学

Inventor： 冯毅龙 ,  吕明 ,  卢振亚 ,  陈炜豪

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明提供了一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用，属于芯片电容器技术领域。本发明提供的晶界层陶瓷材料包括以下质量份数的制备原料：SrTiO395.35～99.30份、Nb2O30.30～0.55份和改性添加剂0.30～5.00份；所述改性添加剂为BaCO3、Nd2O3、CaO、Sm2O3、Al2O3和SiO2中的一种或几种。本发明提供的晶界层陶瓷材料具有优异的电性能和可控性，由该晶界层陶瓷材料制备的晶界层陶瓷基片具有优良的重复性和一致性。