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公开(公告)号：CN114373866A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111526602.7
申请日：2021-12-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种GaAs纳米锥肖特基结太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括依次层叠的背面电极、表面设有纳米锥阵列的n型掺杂GaAs衬底、空穴传输层、石墨烯导电层以及正面电极；表面设有纳米锥阵列的n型掺杂GaAs衬底包括依次设置的n型GaAs衬底和GaAs纳米锥阵列；n型GaAs衬底设置在背面电极上。本发明还公开了太阳能电池的制备方法。本发明引入纳米锥结构，当入射光射入时，光子会产生多重反射及折射，从而直接被GaAs纳米结构所捕获，并且可省略减反射膜，简化太阳能电池的结构。此外，本发明在纳米锥结构表面引入空穴传输层，从而减少载流子复合，提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN114093955A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111207028.9
申请日：2021-10-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳电池的技术领域，公开了一种碳纳米纤维掺杂氧化镍空穴传输层的砷化镓太阳电池及其制备。所述砷化镓太阳电池包括依次层叠的背面电极、砷化镓衬底、碳纳米纤维掺杂氧化镍空穴传输层、正面电极；碳纳米纤维掺杂氧化镍空穴传输层通过以下方法得到：将氧化镍前驱体溶液与碳纳米纤维混匀，旋涂于砷化镓衬底表面，干燥，退火。所述碳纳米纤维通过以下方法得到：将将基底清洗干净后，置于内焰中进行燃烧，在基底表面获得碳纳米纤维，去除基底。本发明还公开了太阳电池的制备方法。本发明采用碳纳米纤维掺杂氧化镍提升了空穴传输层的电导率，降低器件的层间电阻。本发明的太阳电池具有较好的光电性能。本发明的方法简单、成本低。
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公开(公告)号：CN112708905A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011464665.X
申请日：2020-12-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明公开了一种Z型InGaN/Cu2O纳米柱异质结的制备方法与应用。Z型InGaN/Cu2O纳米柱异质结包括衬底、生长在衬底上的InGaN纳米柱和沉积在InGaN纳米柱上的Cu2O。本发明采用一种成本低、工艺简单的方法制备了Z型能带排列的InGaN纳米柱异质结。该异质结制作光电极可用于无偏压光电催化水分解制氢，无需外部能量的输入，大大提高了产氢成本，对于大规模氢能源生产意义重大。
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公开(公告)号：CN111036263B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911259096.2
申请日：2019-12-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: B01J27/24 , B01J35/02 , C25B1/55 , C25B1/04 , C25B11/091 , C25B11/059 , C25B11/052
Abstract: 本发明属于催化剂领域，具体公开了一种生长在Si衬底上InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合结构及其制备方法与应用。该复合结构包括Si衬底以及生长在Si衬底上的InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合材料。本发明制备的Ti‑Ni双金属纳米结构助催化剂具有更佳的可调性和协同效应，能增强InGaN纳米柱光生载流子分离与转移效率，提高反应活性位点，显著提高InGaN纳米柱的光电转换效率；同时，该制备方法工艺简单、成本低，为其它半导体复合催化材料的制备提供了一种新型的思路。最后，本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合材料，禁带宽度在0.67～3.4eV范围可调，具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。
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公开(公告)号：CN111916522A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010516129.3
申请日：2020-06-09
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钯连接的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法。该双结GaAs/Si肖特基结太阳电池由下至上依次为Au背电极、Si衬底、石墨烯层、钯纳米颗粒、GaAs衬底、石墨烯层、银浆顶电极。本发明还公开了以上钯连接的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池的制备方法。本发明的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池，不仅制备工艺简单，器件生产成本较低，而且对环境污染较少，具有广阔应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110660871A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910899953.9
申请日：2019-09-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳能电池器件领域，公开了一种InAs量子点的远程外延结构及制备与应用。所述远程外延结构包括依次层叠的GaAs衬底、单层石墨烯层和InAs量子点阵列。其制备方法为：将单层石墨烯转移到GaAs衬底上，然后放入分子束外延系统中，在单层石墨烯层上生长InAs量子点阵列，得到InAs量子点的远程外延结构。本发明通过在砷化镓衬底与砷化铟外延层之间引入单层石墨烯结构，有效阻断了界面的铟原子与镓原子的互扩散，并为量子点的生长提供了平面有序的成核位点，显著提高砷化铟量子点的晶体质量，为砷化铟中间带量子点电池性能的提升提供有效的材料基础。
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公开(公告)号：CN110305380A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910617538.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: C08L9/06 , C08K13/04 , C08K3/36 , C08K3/22 , C08K5/09 , C08K5/18 , C08K3/06 , C08K5/47 , C08K7/26
Abstract: 本发明公开了一种基于废印刷电路板非金属粉的橡胶复合物及其制备方法，属于橡胶复合物领域。该方法利用废印刷电路板非金属粉和常用的无机填料对橡胶进行复合改性，制备了一种基于废印刷电路板非金属粉的橡胶复合物。该橡胶复合物的硫化速率和力学强度均得到显著改善，且无需改变目前的工业化加工工艺，简单易行。这不仅能够有效地改善废印刷电路板非金属粉带来的环境污染问题，而且有望在低成本橡胶复合材料中得到良好的应用。
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公开(公告)号：CN109994562A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910307078.0
申请日：2019-04-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/036 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种超多晶面六角锥图形化GaAs衬底上纳米柱及制备方法，所述超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的每个六角锥图形表面具有6~10个高指数晶面，所述纳米柱的直径为10‑50nm，其制备方法包括如下步骤：（1）超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的制备；（2）超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的清洗；（3）分子束外延方法生长GaAs纳米柱。解决了分子束外延在无金属催化剂、无掩膜的GaAs衬底表面难以制备高度有序、高密度的GaAs和InGaAs纳米柱和高性能纳米柱结构太阳电池器件的问题。制备超多晶面图形化GaAs衬底采用的湿法蚀刻设备简单，操作方便；生长纳米柱的MBE工艺简单、过程安全、无污染。
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公开(公告)号：CN106589460B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201611148962.7
申请日：2016-12-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种橡胶助剂还原和改性氧化石墨烯及其制备方法与应用，该方法只用一步反应即可同时还原和改性氧化石墨烯，具体为将氧化石墨与水混合，超声剥离，得氧化石墨烯水分散液；将橡胶助剂溶液与氧化石墨烯水分散液混合，加热搅拌，得橡胶助剂改性石墨烯。本发明中还原剂无毒环保、方法简单易行、反应条件温和，所得石墨烯表面含氧官能团低、共轭程度高；部分橡胶助剂化学接枝在石墨烯表面，既可以促进石墨烯在橡胶中均匀分散、增强与橡胶基体的界面结合作用，又可以避免橡胶助剂的迁移和挥发、提高其作用效率，从而改善橡胶/石墨烯复合材料的性能。本发明为绿色宏量制备石墨烯和获得高性能橡胶/石墨烯纳米复合材料提供新的机会和途径。
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公开(公告)号：CN109734960A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910017171.8
申请日：2019-01-08
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种改性白炭黑在并用橡胶中的应用。该应用包括以下步骤：（1）将填料促进剂改性的白炭黑和并用橡胶混合均匀，然后加入促进剂、硬脂酸、氧化锌和硫磺混炼，得到混合材料；（2）将所得的混合材料进行硫化成型，得到并用橡胶复合材料。本发明的方法能够改善促进剂改性的白炭黑在并用橡胶基体中的分散。而且添加改性SiO2的并用橡胶复合材料的拉伸强度比添加未改性SiO2的并用橡胶复合材料的拉伸强度更高、扯断伸长率最大、滚动阻力最小，由其制备出的轮胎燃油消耗量会更少，其在“绿色轮胎”中具有较好的应用前景。因此，本发明在高性能橡胶复合材料开发领域均具有潜在的应用价值。
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