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公开(公告)号：CN109402653B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201811150347.9
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: C25B11/093 , C25B11/059 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用，其中，贵金属Au纳米粒子的SPR效应可以进一步增强半导体InGaN纳米柱对太阳光的吸收；此外，Au纳米粒子与半导体InGaN纳米柱界面处产生的肖特基势垒有利于促进光生电子空穴对的分离，从而提高器件的PEC光电转换效率。本发明制备Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构的方法，具有生长工艺简单、可重复性强的优点。最后，本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合材料，禁带宽度在0.67~3.4 eV范围可调，具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。
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公开(公告)号：CN109132997A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811152021.X
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了生长在Ti衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用，包括生长在Ti衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的(In)GaN纳米柱。本发明采用的Ti衬底价格低廉，有利于降低器件成本；其次，本发明采用的Ti衬底导电性能好，可以直接作为器件的电极，无需制备欧姆接触电极，简化了器件工艺。本发明公开的Ti衬底上(In)GaN纳米柱的制备方法，具有生长工艺简单，制备成本低的优点，而且本发明制备的(In)GaN纳米柱晶体质量好，禁带宽度可调，比表面积大，可实现可见光光谱响应，适用于光电解水产氢。
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公开(公告)号：CN106653926B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710057830.1
申请日：2017-01-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/18 , H01L31/0304
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 本发明公开了一种等离激元增强GaAs基多结太阳电池，由下至上依次包括底电极、In0.3Ga0.7As底电池、隧穿结、GaAs顶电池和顶电极；所述In0.3Ga0.7As底电池由下至上依次包括p‑In0.3Ga0.7As薄膜、第一n‑In0.3Ga0.7As薄膜、Ag/Al合金纳米颗粒层和第二n‑In0.3Ga0.7As薄膜。本发明还公开了上述等离激元增强GaAs基多结太阳电池的制备方法。本发明的等离激元增强GaAs基多结太阳电池光电转换效率高且制备成本低。
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公开(公告)号：CN106783948B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201611166965.3
申请日：2016-12-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为40‑80nm。本发明还公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法。本发明的纳米柱直径均一，同时解决了InN因与Si之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN109994562A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910307078.0
申请日：2019-04-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/036 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种超多晶面六角锥图形化GaAs衬底上纳米柱及制备方法，所述超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的每个六角锥图形表面具有6~10个高指数晶面，所述纳米柱的直径为10‑50nm，其制备方法包括如下步骤：（1）超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的制备；（2）超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的清洗；（3）分子束外延方法生长GaAs纳米柱。解决了分子束外延在无金属催化剂、无掩膜的GaAs衬底表面难以制备高度有序、高密度的GaAs和InGaAs纳米柱和高性能纳米柱结构太阳电池器件的问题。制备超多晶面图形化GaAs衬底采用的湿法蚀刻设备简单，操作方便；生长纳米柱的MBE工艺简单、过程安全、无污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068823A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710057826.5
申请日：2017-01-23
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/34 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，由下至上依次包括GaAs(115)A衬底、InGaAs量子点层、GaAs盖层、In纳米结构层和石墨烯覆盖层。本发明还公开了上述生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点的制备方法。本发明制备的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，极大提高了InGaAs量子点的光致发光强度，且制备方法简单、成本较低，是一种制备强光致发光强度的高密度InGaAs量子点的有效方法。
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公开(公告)号：CN109767972B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201811524550.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0304 , H01L33/30 , B82Y10/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法，包括以下步骤：(1)衬底以及晶向选取：选Si(111)作为衬底；(2)衬底表面清洗与再氧化；(3)衬底退火处理：将衬底放入反应腔内，在690～720℃对处理过的Si衬底进行10～15分钟的退火处理；(4)GaAs纳米线的制备：采用分子束外延生长工艺，利用两步温度法在经过上述处理后的Si衬底上生长GaAs纳米线。本发明具有生长工艺简单，制备成本低，可以生长出密度高，形貌好的GaAs纳米线的优点。同时本发明制备的GaAs纳米线晶体质量好，比表面积大，没有引入异质元素杂质，具有较高的发光效率和光吸收率。
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公开(公告)号：CN108231545B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201810026832.9
申请日：2018-01-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于氮化物半导体器件技术领域，公开了生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法。生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片由下至上依次包括铜箔衬底、In‑Cu合金化金属层和InN纳米柱层。方法为(1)预处理；(2)采用分子束外延生长工艺，在铜箔衬底上沉积In，退火，得到In‑Cu合金化金属；(3)采用分子束外延生长工艺，衬底温度控制在400～700℃，在反应室的压力为4.0～10.0×10‑5Torr，V/III束流比值为20～40条件下，生长InN纳米柱。本发明的纳米柱直径均一，晶体质量高，减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，提高了载流子的辐射复合效率，提高氮化物器件发光效率。
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公开(公告)号：CN107046088B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201710066655.2
申请日：2017-02-06
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取：采用Si衬底；(2)衬底清洗；(3)衬底退火处理；(4)高温生长GaN纳米柱：在900‑1100℃的条件下生长GaN纳米柱，生长时间为0.5‑1.5小时；(5)低温生长GaN纳米柱：在650‑800℃的条件下生长GaN纳米柱，生长时间为1.5‑2.5小时。本发明还公开了上述制备方法得到的生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱及其应用。本发明既改善了高温生长纳米柱的不均匀性，又改善低温生长纳米柱的柱向杂乱情况，同时本发明具有工艺简单，生产周期短等优点。
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公开(公告)号：CN109786556A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811531039.0
申请日：2018-12-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种包含空穴传输层的异质结太阳电池，由下至上依次包括底电极、GaAs衬底、InGaAs外延层、空穴传输层、二硫化钼层和顶电极。所述空穴传输层为2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴薄膜。本发明还公开了上述包含空穴传输层的异质结太阳电池的制备方法。本发明的异质结太阳电池，不仅制备工艺简单，工艺成本较低，而且光电转换效率高，是一种制备新型异质结太阳电池的有效方法。
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