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公开(公告)号：CN109994562A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910307078.0
申请日：2019-04-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/036 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种超多晶面六角锥图形化GaAs衬底上纳米柱及制备方法，所述超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的每个六角锥图形表面具有6~10个高指数晶面，所述纳米柱的直径为10‑50nm，其制备方法包括如下步骤：（1）超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的制备；（2）超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的清洗；（3）分子束外延方法生长GaAs纳米柱。解决了分子束外延在无金属催化剂、无掩膜的GaAs衬底表面难以制备高度有序、高密度的GaAs和InGaAs纳米柱和高性能纳米柱结构太阳电池器件的问题。制备超多晶面图形化GaAs衬底采用的湿法蚀刻设备简单，操作方便；生长纳米柱的MBE工艺简单、过程安全、无污染。
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公开(公告)号：CN110364582B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201910535044.7
申请日：2019-06-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器及其制备方法。所述紫外探测器包括由下至上的衬底、石墨烯模板层、AlGaN纳米柱、与AlGaN纳米柱间形成肖特基接触的Ni第一金属层和Au第二金属层，还包括填充AlGaN纳米柱中的Si3N4绝缘层，且Ni第一金属层和Au第二金属层作为电极材料组成叉指电极。AlGaN材料的禁带宽度可根据Al组分的不同从3.4 eV到6.2 eV连续可调，因而可对波长为200 nm到365 nm的光进行有效探测，具有良好的日盲特性；本发明的紫外探测器对UVA‑C紫外光具有十分高的灵敏探测，可应用于紫外导弹制导、明火探测和太阳照度检测等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110364582A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910535044.7
申请日：2019-06-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器及其制备方法。所述紫外探测器包括由下至上的衬底、石墨烯模板层、AlGaN纳米柱、与AlGaN纳米柱间形成肖特基接触的Ni第一金属层和Au第二金属层，还包括填充AlGaN纳米柱中的Si3N4绝缘层，且Ni第一金属层和Au第二金属层作为电极材料组成叉指电极。AlGaN材料的禁带宽度可根据Al组分的不同从3.4 eV到6.2 eV连续可调，因而可对波长为200 nm到365 nm的光进行有效探测，具有良好的日盲特性；本发明的紫外探测器对UVA-C紫外光具有十分高的灵敏探测，可应用于紫外导弹制导、明火探测和太阳照度检测等领域。
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公开(公告)号：CN110544689B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910809965.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L27/06 , H01L23/528
Abstract: 本发明公开了一种射频前端模块中有源器件和无源单晶器件及单片集成方法。所述方法包括：在基板上先外延生长第一单晶功能层，接着生长第二第三甚至更多单晶外延层，经MEMS工艺将第一单晶外延层制备成一个或多个无源滤波器器件，对第二第三甚至更多单晶外延层进行加工处理获得一个或多个放大器或低噪声放大器或开关等，接着整面生长钝化层并抛平。与此同时在另一基板上制备键合层，将基板与另一基板进行对准键合，去除或减薄基板，继续进行MEMS工艺加工，完成不同功能芯片元器件的集成。采用该单片集成方法可以进一步缩小射频前端模块的体积，避免前端模块分立单体器件在PCB版上集成时电气连接的损耗，降低了射频前端模块的成本。
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公开(公告)号：CN110544689A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910809965.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L27/06 , H01L23/528
Abstract: 本发明公开了一种射频前端模块中有源器件和无源单晶器件及单片集成方法。所述方法包括：在基板上先外延生长第一单晶功能层，接着生长第二第三甚至更多单晶外延层，经MEMS工艺将第一单晶外延层制备成一个或多个无源滤波器器件，对第二第三甚至更多单晶外延层进行加工处理获得一个或多个放大器或低噪声放大器或开关等，接着整面生长钝化层并抛平。与此同时在另一基板上制备键合层，将基板与另一基板进行对准键合，去除或减薄基板，继续进行MEMS工艺加工，完成不同功能芯片元器件的集成。采用该单片集成方法可以进一步缩小射频前端模块的体积，避免前端模块分立单体器件在PCB版上集成时电气连接的损耗，降低了射频前端模块的成本。
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公开(公告)号：CN110474616A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910809827.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法，所述谐振器包括从下到上依次分布的转移衬底、键合层、支撑层和压电薄膜，支撑层位于键合层上表面的两端，所述键合层、支撑层和压电薄膜围成一空气隙，在压电薄膜的上表面和下表面分别相对连接有顶电极和底电极，底电极位于空气隙中，所述顶电极、压电薄膜和底电极构成三明治结构，采用所述制备方法的FBAR结构简单、稳定，制造工艺对核心结构的损伤小，避免寄生电容的引入，可控性强，同时降低了FBAR制造的生产成本，可对很薄的薄膜进行加工，适用于高频领域。
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公开(公告)号：CN210092100U
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201920930316.9
申请日：2019-06-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型公开了一种基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器。所述紫外探测器包括由下至上的衬底、石墨烯模板层、AlGaN纳米柱、与AlGaN纳米柱间形成肖特基接触的Ni第一金属层和Au第二金属层，还包括填充AlGaN纳米柱中的Si3N4绝缘层，且Ni第一金属层和Au第二金属层作为电极材料组成叉指电极。本实用新型的紫外探测器对UVA-C紫外光具有十分高的灵敏探测，可应用于紫外导弹制导、明火探测和太阳照度检测等领域，经济效益可观。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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