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公开(公告)号：CN1383162A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02113088.4
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01F1/40 , H01F41/00 , H01L21/265
Abstract: 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料的方法,将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子,然后在850－900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入,将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AlN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比,能够实现较高的离子掺杂浓度,因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。
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公开(公告)号：CN1363730A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01137373.3
申请日：2001-12-13
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 一种控制氮化镓(GaN)极性的方法,尤其是在蓝宝石表面生长氮化镓时控制氮化镓(GaN)极性的生长方法,在蓝宝石衬底上生长氮化镓,生长系统的生长温度:低温区,850－900℃,高温区在1050－1100℃范围内;将HCl(源HCl)/氮气载气通入含金属镓管路,在通入HCl/氮气载气的同时,氨气和氮气载气、额外HCl/总氮气也通入系统;三路气体在蓝宝石衬底表面混合,得到氮化镓薄膜。本发明通过将一定量的HCl添加到传统HVPE生长方法中的总氮气流中,引入GaCl和NH3混合生长区,通过改变蓝宝石衬底表面的化学反应平衡,抑制N面极化GaN的成核,获得了具有平滑表面的Ga极化GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN100428410C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN02112514.7
申请日：2002-01-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B25/00
Abstract: 改进氢化物气相外延(HVPE)生长GaN材料均匀性的方法和装置，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN薄膜材料电炉中，将单路金属镓源-HCl-N2管道分成多路金属镓源-HCl-N2管道，改善反应物GaCl-N2的传输均匀性，并将反应物GaCl-N2输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区。两路或多路镓源传输管道使内部气流分布均匀，可以看出改进后沉积的薄膜均匀性也有很大的改善。生长的GaN薄膜面积扩大到5cm×4cm，而厚度均匀的有效薄膜面积可达到4cm×3cm甚至更大。
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公开(公告)号：CN100383985C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410065181.2
申请日：2004-10-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L27/14
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法，在GaN表面设有AlN窗口材料，在顶层AlN材料上设有导电电极。在兰宝石衬底材料上生长下述异质结构材料：以低温GaN为缓冲层并外延生长GaN吸收层、AlN窗口层，并在顶层AlN材料上设有导电电极。GaN缓冲层、GaN吸收层、AlN窗口层的厚度分别为15-25nm、1200-2200nm、15-50nm。以上述材料制备垂直入射的光导型探测器。在上述条件下在AlN/GaN异质结界面可以获得强的极化电场。提高了收集效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1327486C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410041443.1
申请日：2004-07-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 利用氢化物气相外延法和低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量GaN薄膜，在HVPE生长系统或MOCVD系统中，先在较低的400-800℃温度条件下在Si衬底上，以氨气和HCl为气源，生长一层GaN，然后在高温下如1000-1100℃持续生长GaN。低温下生长的GaN层，阻止了氨气对Si衬底的氮化以及高温下Si和HCl的反应，从而使得后续生长的GaN具有较高的质量。
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公开(公告)号：CN1617358A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410065181.2
申请日：2004-10-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L27/14
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法，在GaN表面设有AlN窗口材料，在顶层AlN材料上设有导电电极。在蓝宝石衬底材料上生长下述异质结构材料：以低温GaN为缓冲层并外延生长GaN吸收层、AlN窗口层，并在顶层AlN材料上设有导电电极。GaN缓冲层、GaN吸收层、AlN窗口层的厚度分别为15－25nm、1200－2200nm、15－50nm。以上述材料制备垂直入射的光导型探测器。在上述条件下在AlN/GaN异质结界面可以获得强的极化电场。提高了收集效率。
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公开(公告)号：CN1177335C
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN02113088.4
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01F1/40 , H01F41/00 , H01L21/265
Abstract: 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料的方法，将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子，然后在850-900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入，将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AlN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比，能够实现较高的离子掺杂浓度，因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。
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公开(公告)号：CN1174470C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN02113084.1
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365 , C23C16/34
Abstract: 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，用MOCVD、MBE或其他方法生长GaN籽晶层；在GaN籽晶层上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜，利用光刻方法蚀刻出一定的图形，对于平行长条状，掩摸区宽度2-20μm，GaN窗口区宽度0.2-20μm，平行长条状的开口方向是沿GaN的[1T00]取向；对于正六边形的开口，使GaN的[1T00]取向垂直于正六边形的边，然后用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至掩模层被GaN铺满，继续生长得到低位错密度氮化镓薄膜。HVPE生长速率很快。由于在远离界面处位错密度比较低，所以在横向外延薄膜上HVPE厚膜外延，可得到位错密度更低的GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN1172353C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN02113083.3
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 利用溶胶—凝胶(Sol-Gel)法制备p型ZnO薄膜，先制备Ga或N共掺杂的ZnO胶体溶液，在预先清洗好的Si片或其他衬底(石英玻璃、蓝宝石等)上滴加胶体溶液，以旋转衬底的方式使胶体溶液均匀涂覆，然后将薄膜在室温～100℃下放置一段时间再经过240-300℃的热处理，尔后在500～900℃，氨气气氛下热处理1～5小时。溶胶-凝胶法制备薄膜材料具有技术简单，低耗费，易于获得大面积的薄膜等优点。
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