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公开(公告)号:CN216849898U
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202123132365.4
申请日:2021-12-14
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构,包括内部可容置子模组的外框,所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘,所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘,所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围,远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起,所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本实用新型通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰,使其满足气密性要求;增加了承压凸起,实现与子模组集电极电气连接,且利于提高散热效率。
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公开(公告)号:CN215644409U
公开(公告)日:2022-01-25
申请号:CN202121383844.0
申请日:2021-06-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT器件大翘曲度长基板的焊接工装,旨在解决IGBT器件焊接过程中铜基板预弯翘曲度过大容易出现焊接变形的技术问题。所述焊接工装包括限位框、接触面板和底板,底板固定在限位框内部,底板与限位框形成焊接凹槽,接触面板放置在焊接凹槽内,接触面板的上表面为下凹曲面,且下凹曲面的曲面率与IGBT器件的散热铜基板的曲面率一致,接触面板的下表面与底板贴合,底板的底部镂空。本实用新型能够增大铜基板与焊接热板的接触面积,避免焊接变形,提高焊接的效率和可靠性,进而提高整个IGBT器件的可靠性。
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公开(公告)号:CN213459734U
公开(公告)日:2021-06-15
申请号:CN202022429352.2
申请日:2020-10-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块,旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括:金属基板和六个绝缘陶瓷衬板,在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片,所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置,并全部朝向IGBT模块的中央,IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本实用新型能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异,提高芯片开通一致性,避免某一芯片过早失效。
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