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公开(公告)号：CN115642138A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211488224.2
申请日：2022-11-25
申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L25/07 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了一种压接式IGBT模块，本发明在发射极电极和集电极电极之间的内腔内设置导电液结构体，在任一芯片失效时，芯片失效点与失效芯片的上钼片产生烧穿壳体的电弧，导电液从烧穿处流出，覆盖内腔内所有芯片及芯片周边空间，从而短接覆盖的导电结构，实现发射极电极和集电极电极的良好稳固性短路，使压接式IGBT模块具有稳定的长期短路失效功能。
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公开(公告)号：CN112820700A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110133498.9
申请日：2021-02-01
申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种新型IGBT模块装配结构，包括底板、焊片和陶瓷覆铜板（DBC），所述焊片置于所述底板和所述DBC之间，在所述底板朝向焊片的一侧设置有若干定位柱，在所述DBC上设置有若干定位孔，所述定位柱和定位孔位置相对应，所述定位柱一端延伸至所述定位孔内，所述定位柱的高度与所述定位孔的深度之差小于所述焊片的厚度，所述焊片用于焊接时连接所述底板和所述DBC。该模块通过合理涉及定位柱和定位孔的位置和尺寸，实现快速精确装配。
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公开(公告)号：CN113725190A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110849006.6
申请日：2021-07-27
申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/50 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。
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公开(公告)号：CN113725190B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110849006.6
申请日：2021-07-27
申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/50 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。
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公开(公告)号：CN114284160A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111399915.0
申请日：2021-11-19
申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
摘要： 本发明公开了IGBT制备技术领域的一种IGBT模块功率端子焊接定位组件及方法，包括端子位置限位，所述端子位置限位固定放置于一DBC限位板上，且端子位置限位表面开设有多个供带焊片的功率端子组插设定位的挖空槽，所述带焊片的功率端子组之间设有使二者与端子位置限位保持垂直的端子间距限位，所述DBC限位板放置于一基板上，且DBC限位板内放置有DBC和DBC焊片。本发明能够保证产品的可靠性，提高模块端子焊接的一致性。
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公开(公告)号：CN112234054A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011169526.4
申请日：2020-10-28
申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本发明能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。
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公开(公告)号：CN215644455U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202120290329.1
申请日：2021-02-01
申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种新型IGBT模块装配结构，包括底板、焊片和陶瓷覆铜板（DBC），所述焊片置于所述底板和所述DBC之间，在所述底板朝向焊片的一侧设置有若干定位柱，在所述DBC上设置有若干定位孔，所述定位柱和定位孔位置相对应，所述定位柱一端延伸至所述定位孔内，所述定位柱的高度与所述定位孔的深度之差小于所述焊片的厚度，所述焊片用于焊接时连接所述底板和所述DBC。该模块通过合理涉及定位柱和定位孔的位置和尺寸，实现快速精确装配。
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公开(公告)号：CN215644407U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202121287568.8
申请日：2021-06-09
申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L29/739
摘要： 本实用新型公开了一种用于压接式IGBT子模组压力灌胶的夹持装置，包括施压机构、用于设于施压机构下方的施压平台和设于施压平台上的压力保持机构，所述施压机构通过导柱与施压平台连接，所述施压机构底部设有光栅传感器，所述施压机构能够向放置于压力保持机构内的压接式IGBT子模组施压。本实用新型结构简单，成本低廉，能够使具有弹性特性的压接式IGBT子模组在灌胶过程中处于保压状态，避免胶水大量浸入压接式IGBT子模组的刚性接触界面并固化，增大接触电阻。
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公开(公告)号：CN213459734U
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202022429352.2
申请日：2020-10-28
申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/498
摘要： 本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本实用新型能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。
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公开(公告)号：CN213998146U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202022365101.2
申请日：2020-10-22
申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC分类号： B23K3/08
摘要： 本实用新型公开了一种用于功率模块覆铜陶瓷衬板焊接的限位工装，包括基板、限位框和限位隔片，所述基板上设有若干定位销，所述限位框包括C形的第一限位框和第二限位框，所述第一限位框和第二限位框上设有与定位销相对应的定位孔，所述限位隔片卡合于第一限位框和第二限位框的两个端部之间。本实用新型解决了现有技术中限位金属框与基板不匹配、限位效果差、焊接质量低的问题。
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