公开(公告)号：CN114203643A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111524860.1

申请日：2021-12-14

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王蕤 ,  童颜 ,  王豹子 ,  严百强 ,  刘旭光 ,  张大华 ,  骆健 ,  董长城

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本发明通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。

公开(公告)号：CN114068515A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111413751.2

申请日：2021-11-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  童颜 ,  王蕤 ,  严百强 ,  杨金龙 ,  王豹子 ,  董长城 ,  雷鸣 ,  骆健

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明公开了一种压接式功率器件，包括：管壳集电极电路板、管壳发射极电路板、栅极PCB板和若干个集成子单元，所述集成子单元一面连接所述管壳集电极电路板，另一面设有若干个IGBT芯片和FRD芯片，每个IGBT芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的IGBT凸台，每个FRD芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的FRD凸台，所述栅极PCB板连接所述管壳发射极电路板。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。

公开(公告)号：CN113851468A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111259374.1

申请日：2021-10-28

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 童颜 ,  陈紫默 ,  刘克明 ,  雷鸣 ,  严百强 ,  董长城 ,  王豹子 ,  张大华

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明公开了一种模组化压接型半导体模块，包括：依次电连接的顶板、芯片单元组、弹性组件和底板，所述芯片单元组、弹性组件均有若干组；每一组芯片单元组上方设有一组所述弹性组件，每个弹性组件中设有不少于每组芯片单元组所包含的芯片个数的弹性件。优点：本发明的半导体模块通过模组化设计以及导电路径结构设计，能够提升导电能力、均流及降低热阻，弹性压接使得芯片之间受力均衡；模组化的设计还方便生产，方便根据需求配置模组个数。

公开(公告)号：CN112599598A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011578704.9

申请日：2020-12-28

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 叶枫叶 ,  李宇柱 ,  郑婷婷 ,  李伟邦 ,  骆健 ,  董长城

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了半导体器件技术领域的一种IGBT沟槽栅排布结构，旨在解决现有技术中输入电容和米勒电容较小，沟道电流分布不均导致小电流开通过程中发生栅极振荡的技术问题。在衬底的一个表面上依次设置有介质层和发射极金属；在衬底朝向介质层的表面上设置若干个有源沟槽栅和虚拟沟槽栅，且在相邻两个虚拟沟槽栅之间连续设置两个有源沟槽栅；在相邻两个有源沟槽栅之间依次设有P+接触区、P型阱区和N型CS层，P+接触区位于介质层一侧；在有源沟槽栅和虚拟沟槽栅之间依次设有N+发射区、P型阱区和N型CS层，N+发射区位于介质层一侧；每个P+接触区和每个N+发射区分别通过设置在介质层上的与P+接触区和N+发射区一一对应的接触窗口与发射极金属导通。

公开(公告)号：CN112234055B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202011260802.8

申请日：2020-11-12

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 潘政薇 ,  姚二现 ,  董长城 ,  骆健

IPC: H10D80/20

Abstract: 本发明公开了一种单开关IGBT模块的芯片布局结构，由三组IGBT芯片组构成；每组IGBT芯片组由8颗IGBT芯片和反并联的4颗续流二极管FRD芯片构成；所述每组IGBT芯片组均焊接在上下两个DBC衬板上；上下两个DBC衬板上，位于左上和右上位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的下部中间位置；位于左下和右下位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的上部中间位置；反并联的续流二极管FRD芯片位于同一个DBC衬板的上下两颗IGBT芯片之间。本发明结构中IGBT芯片的结温温升降低约2℃，芯片结温温升的降低，有利于芯片的长期稳定运行。

公开(公告)号：CN111916495B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202010557333.X

申请日：2020-06-18

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 郑婷婷 ,  李宇柱 ,  李伟邦 ,  骆健 ,  董长城 ,  叶枫叶

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构，包括衬底，衬底的上表面上开设有交替平行排列的至少一条有源沟槽和至少两条虚拟沟槽；衬底上表面的一端设有栅极总线多晶硅；衬底上表面上设有多晶硅桥；介质层覆盖于衬底的整个上表面以及栅极总线多晶硅和多晶硅桥的上表面；多晶硅桥上表面的介质层内设有接触窗口；接触窗口远离栅极总线多晶硅的一端与虚拟沟槽靠近栅极总线多晶硅的一端之间的距离L2>0；由于多晶硅桥上表面较平整，使得在其上表面的介质层内刻蚀接触窗口时不会受到凹凸不平的虚拟沟槽多晶硅的影响，能够刻蚀出完整的接触窗口，另外接触窗口避开了虚拟沟槽的末端，使得刻蚀接触窗口时不会出现破坏虚拟沟槽结构的情况。

公开(公告)号：CN113707711A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110962213.2

申请日：2021-08-20

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 郑婷婷 ,  李宇柱 ,  王鑫 ,  董长城 ,  骆健

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种包含融合电阻的结终端结构及其制造方法，包括衬底层（1）、主结环（2）和融合电阻环（4），主结环（2）和融合电阻环（4）均内嵌在衬底层（1）表层中，融合电阻环（4）与主结环（2）相邻，主结环（2）和融合电阻环（4）呈跑道状从内向外依次排列；退火推结工艺前主结环（2）和融合电阻环（4）之间有一定距离不接触，退火推结工艺后主结环（2）和融合电阻环（4）向四周扩散并相互接触。结构在主结环和场限环之间设置了一个融合电阻环，融合电阻环将在推结后与主结环融合在一起，增加主结边缘处的电阻以降低电场集中。

公开(公告)号：CN112951790A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110112529.2

申请日：2021-01-27

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 童颜 ,  刘克明 ,  潘政薇 ,  王蕤 ,  姚二现 ,  刘旭光 ,  董长城 ,  骆健

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明公开了一种半导体模块，包括模块集电极、模块发射极、子模组、子单元、导电承压体和导电片；所述子单元包括芯片、集电极导体、发射极导体，将芯片通过焊接、烧结或者压接的方式设在集电极导体和发射极导体之间；所述子模组包括承压限位框，承压限位框的腔体中设有若干个所述子单元；所述模块集电极与子单元的集电极导体连接，连接处位于所述承压限位框的腔体中；所述子单元的发射极导体底部连接导电承压体，导电承压体底部连接导电片，导电片底部在承压时与模块发射极连接，在未承压时与模块发射极电分离。优点：通过将芯片子单元模组化的形式，能够降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级，降低物料成本与减少加工工序。

公开(公告)号：CN114203643B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202111524860.1

申请日：2021-12-14

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王蕤 ,  童颜 ,  王豹子 ,  严百强 ,  刘旭光 ,  张大华 ,  骆健 ,  董长城

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本发明通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。

公开(公告)号：CN113013147B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202110410365.1

申请日：2021-04-16

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 童颜 ,  刘克明 ,  王蕤 ,  潘政薇 ,  刘旭光 ,  姚二现 ,  张大华 ,  董长城

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/16

Abstract: 本发明公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。