公开(公告)号：CN101556430A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200810211878.4

申请日：2008-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏益辰 ,  许庭豪 ,  秦圣基 ,  李宏仁 ,  谢弘璋 ,  辜耀进

IPC: G03F1/00

CPC classification number: G03F1/82

Abstract: 本发明是有关于一种掩膜表面化学处理方法及系统。该掩膜表面化学处理方法包括以下步骤：在一掩膜上形成一吸收材质层；于形成该吸收材质层后，对该掩膜进行一等离子体处理以减少化学污染物；对该掩膜进行一化学清洗过程；以及对该掩膜进行一气体喷射过程。该掩膜表面化学处理系统包括：一掩膜台用来固定一掩膜，使该掩膜面朝下；一化学分注器，用来提供至少一化学品，以清洗该掩膜；一等离子体模组，用来对该掩膜进行一等离子体处理，以移除污染物；以及一温度控制模组，用来控制该掩膜的温度。本发明具有清洁掩膜以减少掩膜上残留的具有不同化学键结强度的化学残余物的效果。