公开(公告)号：CN111403277A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010259126.6

申请日：2013-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  刘如淦 ,  谢弘璋 ,  高蔡胜 ,  辜耀进

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/66 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明提供了用于集成电路(IC)的方法的一个实施例。该方法包括通过第一光刻工艺在衬底上形成心轴图案；在心轴图案的侧壁上形成第一间隔件图案；去除心轴图案；在第一间隔件图案的侧壁上形成第二间隔件图案；去除第一间隔件图案；以及将第二间隔件图案用作蚀刻掩模来蚀刻衬底。本发明还公开了集成电路布局以及具有双重图案结构的方法。

公开(公告)号：CN104576534B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201410010730.X

申请日：2014-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  曾文弘 ,  林宗桦 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886

Abstract: 本发明公开了制造鳍式场效应晶体管器件的方法。该方法包括在衬底上方形成芯轴部件，以及实施第一切割去除芯轴部件以形成第一间隔。该方法还包括实施第二切割去除芯轴部件的一部分以形成线端和端部与端部间间隔。在第一切割和第二切割之后，使用具有第一间隔和端部与端部间间隔的芯轴部件作为蚀刻掩模，蚀刻衬底，以形成鳍。沉积间隔件层以完全填充在相邻鳍之间的间隔中，并覆盖与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍的侧壁。蚀刻间隔件层以在与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍上形成侧壁间隔件，以及在第一间隔和端部与端部间间隔中形成隔离沟槽。

公开(公告)号：CN107015446A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610858785.5

申请日：2016-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈庆煌 ,  林书宏 ,  吕奎亮 ,  张雅惠 ,  谢弘璋

IPC: G03F9/00

CPC classification number: G03F7/70141 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7076 ,  H01L22/12 ,  Y10S438/975 ,  G03F9/708

Abstract: 用于半导体制造的器件包括衬底和形成在衬底上方的层，其中，层包括对准标记。对准标记包括沿着第一方向纵向定向的多个第一纵长构件，并且该多个第一纵长构件沿着第二方向分布。对准标记还包括沿着与第一方向垂直的第三方向纵向定向的多个第二纵长构件，并且该多个第二纵长构件沿着第二方向分布，其中第二方向与第一方向和第三方向中的每一个都不同。本发明还提供了光刻对准标记。

公开(公告)号：CN103378111B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210490836.5

申请日：2012-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志谦 ,  张浚威 ,  莫忘本 ,  谢弘璋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明公开了一种方法，所述方法包括在半导体衬底的正面上形成多个图像传感器，以及在所述半导体衬底的背面上形成介电层。所述介电层在所述半导体衬底上方。对所述介电层图案化以形成多个栅格填充区，其中所述多个栅格填充区中的每一个覆盖所述多个图像传感器中的一个。在所述多个栅格填充区的顶面以及侧壁上形成金属层。对所述金属层进行蚀刻以去除所述金属层的水平部分，其中在所述蚀刻步骤之后保留了所述金属层的垂直部分从而形成金属栅格。将透明材料填充至所述金属栅格的栅格开口中。本发明还公开了一种背照式图像传感器芯片的金属栅格及其形成方法。

公开(公告)号：CN1648775A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410057194.5

申请日：2004-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林本坚 ,  杨平 ,  谢弘璋 ,  辜耀进 ,  林进祥 ,  游秋山

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70425 ,  G03F1/72 ,  G03F1/76 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70383 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7046 ,  G03F9/7049

Abstract: 揭露一种方法与系统，用以处理在一掩模或倍缩掩模基底上一个或多个倾斜的特征。在将所述掩模或倍缩掩模基底与一预定的参考系统对准之后，决定在所述掩模或倍缩掩模基底上要被处理的一个特征的一个偏移角，所述偏移角是对于所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向而言。所述掩模或倍缩掩模基底在一预定的方向上被旋转所述偏移角度；而且使用所述预定的参考系统处理在所述掩模或倍缩掩模基底上的所述特征，其中所述特征是在所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向上被处理。

公开(公告)号：CN107342259A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710197165.6

申请日：2017-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗元彦 ,  王之妤 ,  陈俊华 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/535 ,  H01L27/088 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877

Abstract: 方法包括沉积蚀刻停止层于基板上；图案化蚀刻停止层，使图案化的蚀刻停止层覆盖第一区的基板，且图案化的蚀刻停止层的开口露出第二区的基板；沉积第一介电层于第一区中的蚀刻停止层上以及第二区中的基板上；图案化第一介电层，以形成第一沟槽穿过第一区中的第一介电层，且第一沟槽露出蚀刻停止层；形成金属结构于第一沟槽中；沉积第二介电层于第一区中的金属结构上以及第二区中的第一介电层上；以及进行图案化工艺，以形成第二沟槽穿过第一区中的第二介电层，并形成第三沟槽穿过第二区中的第二介电层与第一介电层。

公开(公告)号：CN103779188B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310014649.4

申请日：2013-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈立锐 ,  梁辅杰 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70608 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7034

Abstract: 一种方法包括：接收衬底，该衬底具有内嵌在衬底中的材料部件，其中，接收衬底包括接收形成材料部件时所生成的第一水准数据和第一覆盖数据；在衬底上沉积抗蚀膜；以及使用预测的覆盖校正数据对抗蚀膜进行曝光，以形成覆盖衬底上的材料部件的抗蚀图案，其中，使用预测的覆盖校正数据包括生成第二水准数据并使用第一水准数据、第一覆盖数据和第二水准数据计算预测的覆盖校正数据。本发明还提供了覆盖预测的方法。

公开(公告)号：CN106158596A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510859640.2

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何育如 ,  洪爱真 ,  谢弘璋 ,  吕奎亮 ,  张雅惠

IPC: H01L21/027 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种置入散色条于微影工艺的方法，该方法包括接收包含第一主要部件的集成电路设计布局，以及置入第一多个散色条于上述集成电路设计布局，以形成围绕于上述第一主要部件的第一环形图案的散色条。上述第一主要部件是设置于上述第一环形图案的散色条的一中央部分。本发明展现了改良聚焦深度、散色条印出窗口以及降低焦点位移。

公开(公告)号：CN103378111A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210490836.5

申请日：2012-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志谦 ,  张浚威 ,  莫忘本 ,  谢弘璋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明公开了一种方法，所述方法包括在半导体衬底的正面上形成多个图像传感器，以及在所述半导体衬底的背面上形成介电层。所述介电层在所述半导体衬底上方。对所述介电层图案化以形成多个栅格填充区，其中所述多个栅格填充区中的每一个覆盖所述多个图像传感器中的一个。在所述多个栅格填充区的顶面以及侧壁上形成金属层。对所述金属层进行蚀刻以去除所述金属层的水平部分，其中在所述蚀刻步骤之后保留了所述金属层的垂直部分从而形成金属栅格。将透明材料填充至所述金属栅格的栅格开口中。本发明还公开了一种背照式图像传感器芯片的金属栅格及其形成方法。

公开(公告)号：CN101556430A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200810211878.4

申请日：2008-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏益辰 ,  许庭豪 ,  秦圣基 ,  李宏仁 ,  谢弘璋 ,  辜耀进

IPC: G03F1/00

CPC classification number: G03F1/82

Abstract: 本发明是有关于一种掩膜表面化学处理方法及系统。该掩膜表面化学处理方法包括以下步骤：在一掩膜上形成一吸收材质层；于形成该吸收材质层后，对该掩膜进行一等离子体处理以减少化学污染物；对该掩膜进行一化学清洗过程；以及对该掩膜进行一气体喷射过程。该掩膜表面化学处理系统包括：一掩膜台用来固定一掩膜，使该掩膜面朝下；一化学分注器，用来提供至少一化学品，以清洗该掩膜；一等离子体模组，用来对该掩膜进行一等离子体处理，以移除污染物；以及一温度控制模组，用来控制该掩膜的温度。本发明具有清洁掩膜以减少掩膜上残留的具有不同化学键结强度的化学残余物的效果。