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公开(公告)号：CN107037687A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611024469.4
申请日：2016-11-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F1/72
CPC分类号： G03F1/72 , C23C16/047 , C23C16/45523 , G03F1/22 , G03F1/26 , G03F1/74 , G03F1/82 , H01L21/02277 , H01L21/02334 , H01L21/02337 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/28556 , H01L21/321
摘要： 本公开的实施例提供半导体装置的制造方法，此方法包含以辐射光束照射基底的第一表面。当照射基底的第一表面时，将前驱气体引入靠近第一表面，以沉积包含第一材料的一层。在沉积此层之后，从靠近第一表面处将前驱气体移除。在移除前驱气体之后与在形成另一层于此层上方之前，当照射此层的第二表面时，将清洁气体引入靠近此层的第二表面，以将第一材料转变为第二材料。
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公开(公告)号：CN107024831A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610912772.1
申请日：2016-10-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G03F1/86 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B7/0035 , G03F1/22 , G03F1/72 , G03F1/82 , G03F1/84 , G03F7/2004 , G03F7/32
摘要： 本发明实施例提供了一种修复掩模的方法。该方法包括检查掩模以识别掩模上的缺陷；对掩模使用非热化学溶液来对掩模实施清洗工艺；以及修复掩模以从掩模去除缺陷。通过冷却模块冷却非热化学溶液至室温以下的工作温度。本发明实施例涉及利用非热溶液用于远紫外掩模清洗的方法和系统。
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公开(公告)号：CN106997147A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710392813.3
申请日：2017-05-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及显示装置制备技术领域，公开了一种掩膜板、基板以及显示装置，该掩膜板用于显示装置制备，包括平板，平板上设有与显示装置的像素单元一一对应的多个开口；其中，每个开口的角落中，每相邻的两个边之间圆滑过渡。使用上述掩膜板配合高解析度曝光机进行构图时，可以较清晰、确切的还原掩膜板的图案，且得到的图案的开口区域的角落处两个相邻边之间圆滑过渡，不容易聚集电荷，有利于残留的带电粒子的清洗，进而对利用本发明提供的掩膜板制备的显示装置有改善残像的效果。
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公开(公告)号：CN104407498A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410697385.1
申请日：2014-11-26
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F1/82
CPC分类号： G03F1/82
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种处理光罩污染颗粒的方法，通过在光罩的非曝光区域设置一肉眼可见且易清除的定位颗粒后，使用光罩颗粒检测机检测出该定位颗粒以及待清理颗粒的位置，并计算光罩上的待清理颗粒与定位颗粒的相对距离，根据所述相对距离对所述待处理颗粒进行清理；最后继续对定位颗粒进行清理，从而有效去除了光罩上的污染颗粒，排除了生产上断线的危险，提高了晶圆的良率，降低了由于光罩污染颗粒所引起的生产损失。
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公开(公告)号：CN104391427A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410789147.3
申请日：2014-12-17
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种掩模板检测装置及方法、掩模板清洗装置，通过设置用于对掩模板进行残留物检测并生成检测信息的检测模块；用于基于检测信息，确定检测结果的控制模块，所述检测结果用于标识所述掩模板的清洁度。从而可自动实现掩模板清洁度的检测，提高掩模板清洗效果检测效率、准确性和安全性。
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公开(公告)号：CN101728237B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910146986.2
申请日：2009-06-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B05B1/02 , G03F1/82 , Y10S134/902
摘要： 一种用来清洁光刻掩模或半导体晶片的喷射式喷嘴及其方法。在一个实施例中，喷射式喷嘴包括供水入口，气体供应入口，与气体供应入口相连的第一行注气喷嘴，限定喷射式喷嘴出口的混合腔和放置在腔内的流混合挡板。优选地，放置和排列混合挡板以使喷射式喷嘴中的气体和水结合，从而释放夹带微型水滴的气体流将污染物颗粒从掩模清除。喷射式喷嘴能够不使用化学物质对光掩模或晶片进行清洁。在一个实施例中，水可为去离子水，气体可为氮气。在另一实施例中，喷射式喷嘴还包括间隔在第一行注气喷嘴之上或之下的、与气体供应入口相连的第二行注气喷嘴。
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公开(公告)号：CN102360158A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110303742.8
申请日：2009-10-09
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 沼波恒夫
CPC分类号： G03F1/82 , Y10S134/902
摘要： 本发明涉及一种掩模相关基板的洗净方法，当根据纯水来洗净从被硫酸离子污染后的掩模用基板、空白掩模、掩模及这些物品的制造中间体中选择出来的掩模相关基板时，对在该洗净中所使用的纯水预先将溶解气体脱气。本发明还涉及一种洗净液供给装置和一种洗净方法，该方法是将洗净液供给至洗净装置中来洗净被洗净基板，当利用用以除去异物的过滤器来过滤洗净液并将过滤后的洗净液通过供给管供给至洗净装置中来洗净被洗净基板时，至少在将过滤后的洗净液往洗净装置供给之前，先使过滤后的洗净液通过排出管往系统外部排出，之后才将过滤后的洗净液通过供给管供给至洗净装置中。本发明能简便地提高硫酸离子的洗净效率，进而能极度地减少微小异物的发生量。
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公开(公告)号：CN102187281A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141048.1
申请日：2009-10-15
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F1/82 , G03F1/86 , G03F7/70733 , G03F7/7085 , G03F7/70866
摘要： 本发明涉及一种EUV光刻装置，包括：照明单元，用于照明所述EUV光刻装置中的照明位置处的掩模；以及投射单元，用于将设置在所述掩模上的结构投射到光敏基底上。所述EUV光刻装置具有处理单元(15)，用于在所述EUV光刻装置中的处理位置处，优选以局部分辨的方式，处理光学元件(6a)，尤其是掩模。为了激活所述气体流(27)的至少一个气体成分，所述处理单元(15)包括用于产生辐射的辐射源、用于产生粒子流(尤其是电子束)的粒子产生器(30)、和/或高频产生器。
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公开(公告)号：CN101848987A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880106471.3
申请日：2008-09-12
申请人： 三洋化成工业株式会社
CPC分类号： H01L21/02057 , C11D11/0047 , G03F1/82
摘要： 本发明提供一种磁光盘基板、平面显示器基板及光罩基板等电子材料用清洁剂，其可对磁光盘基板、平面显示器基板及光罩基板等电子材料基板的表面赋予适度的蚀刻性，而不会损及该些基板表面的平坦性，并且该清洁剂藉由使用界面活性剂而使自基板表面脱离的颗粒的分散性提高，而实现优异的颗粒除去性，藉此，提高制造良率以及在短时间内完成清洁率极高的高度清洁。该电子材料用清洁剂含有界面活性剂(A)，上述清洁剂的特征在于：在用作清洁液时的有效成分浓度下、25℃下的pH值及氧化还原电位(V)[单位为mV，vsSHE]满足下述数式(1)。V≤-38.7×pH值+550 (1)。
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公开(公告)号：CN101687696A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022677.8
申请日：2008-04-11
申请人： 旭硝子株式会社
CPC分类号： C03C15/02 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C23/0025 , C03C23/006 , C03C23/0075 , G03F1/24 , G03F1/82 , H01J2237/0812 , H01J2237/3151
摘要： 本发明的目的是提供一种通过伴有在玻璃衬底表面上进行束辐照或激光辐照的方法从待精加工处理的玻璃衬底表面除去杂质的方法。本发明涉及从玻璃衬底表面除去杂质的方法，所述方法包括在5～15keV的加速电压下对所述玻璃衬底表面进行气体簇离子束腐蚀。
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