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公开(公告)号:CN113131166A
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN201911401242.0
申请日:2019-12-30
申请人: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号: H01P5/08
摘要: 一种电路板信号传输装置,包括:多层介质板,多层介质板中的第一介质板上形成一个第一过孔和多个第二过孔;微带线,布置在第一介质板的上侧并延伸到第一过孔的上端,多个第二过孔在除所述微带线的区域环绕第一过孔布置,多个第二过孔的中心轴线大致位于一个弧线上,每个第二过孔内设有第一导电材料;以及第一接地板,设置在第一介质板的下侧并与第二过孔电连接,第一接地板在弧线内的区域形成切除部。在俯视图中,第一过孔位于切除部限定的范围内,并且第一过孔的中心与切除部的几何中心之间存在距离。电路板信号传输装置可以实现微波、毫米波频段的多层电路板之间的信号传输和对应频段的信号垂直互通。
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公开(公告)号:CN113131163A
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN201911425290.3
申请日:2019-12-31
申请人: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
摘要: 公开了一种对频率进行混频或倍频的装置,包括:金属壳体,所述金属壳体包括盒体和盖体,所述盒体和所述盖体扣合在一起以限定一金属腔体;至少一个变频单元,所述至少一个变频单元包括:微带线,所述微带线位于所述金属腔体内;以及通道结构,所述通道结构包括穿过所述金属壳体并分别与所述微带线耦合的射频信号输入通道、本振信号输入通道和信号输出通道,所述信号输出通道通过罗杰斯板与所述微带线所在的平面成一角度地引出。该装置可以避免射频信号输入通道、本振信号输入通道和信号输出通道存在于同一平面而导致集成度较差的问题。
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公开(公告)号:CN113126175A
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN201911425093.1
申请日:2019-12-31
申请人: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
摘要: 本公开的实施例公开了一种用于主动式毫米波安检成像的稀疏多发多收阵列布置、人体安检设备以及人体安检方法。稀疏多发多收阵列布置包括两组发射天线和一组接收天线;两组发射发射天线包括第一和第二组发射天线,它们分别包括沿第一方向排列的多个发射天线;一组接收天线包括也沿第一方向排列的多个接收天线且与第一和第二组发射天线共面,其在垂直于第一方向的第二方向上位于第一和第二组发射天线的中部。
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公开(公告)号:CN113126173A
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN201911402451.7
申请日:2019-12-30
申请人: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
摘要: 公开了一种被动式安检设备及其接收天线单元,所述接收天线单元包括至少一个喇叭天线,所述喇叭天线包括喇叭本体以及与所述喇叭本体连接的波导,所述喇叭本体的喇叭开口的长边与短边的比例大于1.2。该被动式安检设备及其接收天线单元可以很好地解决普通喇叭天线所面临的采样间隔与耦合效率矛盾的问题。
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公开(公告)号:CN112668377A
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN201910985868.4
申请日:2019-10-16
申请人: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
摘要: 本申请提供了一种针对多维信息的识别系统及其方法,所述信息识别系统包括:信息采集模块,被配置为包括多维信息采集设备,以采集关于对象的多维信息;信息处理模块,被配置为基于由所述信息采集模块采集的信息,检测是否存在针对所述对象的异常信息;存储模块,被配置为存储由所述信息采集模块采集的信息以及由所述信息处理模块进行检测而产生的各种数据;以及显示与提醒模块,被配置为显示异常信息并且发出警报。
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公开(公告)号:CN109870737B
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN201811654168.9
申请日:2018-12-29
申请人: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC分类号: G01V8/10
摘要: 本公开提供了一种毫米波/太赫兹波成像设备,包括:准光学组件、毫米波/太赫兹波探测器阵列和反射板调节装置,所述准光学组件适用于将被检对象自发辐射或反射回来的毫米波/太赫兹波反射并汇聚至所述毫米波/太赫兹波探测器阵列,并包括适用于接收并反射来自被检对象的波束的反射板;所述毫米波/太赫兹波探测器阵列适用于接收来自所述准光学组件的波束;和所述反射板调节装置适用于调节所述反射板的运动,以使得所述反射板对所述被检对象自发辐射或反射回来的波束进行反射的轨迹包络为类圆形或类椭圆形,以使得采样密集点集中在全视场中间,而不是在视场边缘,且在视场的大部分区域,采样点分布均匀,插值方便。
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公开(公告)号:CN111933744B
公开(公告)日:2021-01-12
申请号:CN202011005142.9
申请日:2020-09-23
申请人: 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号: H01L31/108 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要: 本申请涉及肖特基二极管封装结构及其制备方法。一种肖特基二极管封装结构,包括:第一结构,该第一结构提供肖特基二极管封装结构的第一电极,并且包括:第一金属层,位于第一金属层上的重掺杂层,位于重掺杂层上的轻掺杂层,位于轻掺杂层上的第二金属层以及包围第二金属层的钝化层,以及位于重掺杂层上的第三金属层;以及第二结构,该第二结构提供肖特基二极管封装结构的第二电极,并且第二结构堆叠在第一结构上。
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公开(公告)号:CN111863973B
公开(公告)日:2020-12-11
申请号:CN202011005049.8
申请日:2020-09-23
申请人: 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
摘要: 本公开涉及肖特基二极管及其制备方法。一种肖特基二极管包括:衬底层;位于衬底层上的第一结构和第二结构,其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构,第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁,第二结构包括第二主体区,并且第二主体区包括位于衬底层上的重掺杂层以及位于重掺杂层上的轻掺杂层;以及肖特基接触结构,该肖特基接触结构包括:接触金属层,位于轻掺杂层上并与悬臂梁的端部相接;以及钝化层,位于轻掺杂层上并且包围接触金属层,其中重掺杂层中对应于接触金属层的位置具有一个或多个区域,这一个或多个区域与轻掺杂层相接并且与轻掺杂层的对应区域在接触界面形成耗尽区。
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