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公开(公告)号：CN114242834A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111372324.4
申请日：2021-11-18
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0747 , H01L31/0224
摘要： 本发明实施例提供了一种铜栅线异质结太阳电池的生产集成设备，包括光注入模块和磁控溅射镀膜设备；其中磁控溅射镀膜设备包括上下游依次设置的制程前室、制程室和制程后室；其中制程前室对待镀膜的样品预热；制程室对预热后的待镀膜的样品镀膜；制程后室将镀膜后的样品冷却；光注入模块设置在制程前室内用于对待镀膜的样品进行光注入处理。本发明的实施例将光注入模块集成到磁控溅射设备的某些非镀膜腔室中，在铜栅线异质结太阳电池进行磁控溅射沉积TCO薄膜及金属薄膜前完成光注入处理，有效解决了铜栅线异质结太阳电池的光注入增效与焊接可靠性之间的矛盾。
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公开(公告)号：CN113948546A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111093366.4
申请日：2021-09-17
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L27/30 , H01L31/0216 , H01L31/054 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/48
摘要： 本发明公开了一种叠层电池及叠层电池制备方法，所述叠层电池包括顶电池和底电池，所述底电池包括底电极、衬底、绝缘体、复合结和多个硅纳米柱，所述底电极包括沿第一方向相对设置的第一表面和第二表面，所述衬底设在所述底电极的所述第一表面上，所述复合结位于衬底在第一方向上远离所述底电极的一侧，且复合结与衬底在所述第一方向上间隔开，所述硅纳米柱的部分在第一方向上位于衬底和复合结之间，多个所述硅纳米柱呈矩阵式布置；所述顶电池包括沿所述第一方向层叠设置的空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、透明导电层和金属栅线电极，所述空穴传输层设在所述复合结上。本发明的底电池具有对光的吸收率高、适于柔性制造的优点。
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公开(公告)号：CN113943920A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110887924.8
申请日：2021-08-03
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法，包括：a、在PVD设备内对形成有非晶硅薄膜的硅异质结电池正背表面进行TCO1薄膜沉积；b、将所述沉积TCO1薄膜后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行铜种子层沉积；c、将所述沉积铜种子层后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行TCO2薄膜沉积。本发明的方法通过PVD技术形成TCO1/铜种子层/TCO2结构，并且采用真空退火处理，沉积形成的TCO2薄膜保证了真空退火无论在PVD腔室内或者设备外均可进行，有效改善了TCO薄膜与铜的界面质量，从而提高了电池性能。
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公开(公告)号：CN110518095B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910807141.7
申请日：2019-08-29
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20
摘要： 本发明提供了硅异质结太阳电池的光处理方法。硅异质结太阳电池的光处理方法包括：至少一次光照处理，所述光照处理在形成非晶硅薄膜之后进行。由此，通过光照处理，对非晶硅薄膜进行适当能量光子的注入，提高非晶硅薄膜中氢原子的迁移，有效改善非晶硅薄膜的质量和异质结的界面态密度，提高硅异质结太阳电池的开路电压和填充因子，进而提高电池效率；而且，该光处理方法无需改变电池结构，简单易操作，稳定性好，适用于硅异质结电池的规模化生产。
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公开(公告)号：CN110649129A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910887237.9
申请日：2019-09-19
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0725 , H01L31/076
摘要： 本发明提出一种硅异质结太阳电池，包括：n型晶硅衬底；分别设置于n型晶硅衬底上表面的第一本征非晶硅层和下表面的第二本征非晶硅层；设置于第一本征非晶硅层上表面的p型掺杂非晶硅发射极层；设置于第二本征非晶硅层下表面的n型掺杂非晶硅背场层；设置于p型掺杂非晶硅发射极层上表面的第一TCO层；设置于n型掺杂非晶硅背场层下表面的第二TCO层；分别设置于第一TCO层上表面和第二TCO层下表面的铜栅线电极层。第一TCO层的功函数高于第二TCO层，这样正背面TCO薄膜不仅可分别与p型非晶硅发射极及n型非晶硅背场形成良好的接触，同时满足载流子输运的功函数要求，利于降低接触电阻，提高电池效率。
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公开(公告)号：CN109148614A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710456695.8
申请日：2017-06-16
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/0747 , H01L31/202
摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法。其中，该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；金属栅线电极层，金属栅线电极层包括：合金过渡层，合金过渡层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层至少一层表面上；含铜导电合金层，含铜导电合金层形成在合金过渡层的表面上。
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公开(公告)号：CN113964229B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202111175013.9
申请日：2021-10-09
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种背接触异质结电池及其制备方法。所述背接触异质结电池包括：n型单晶硅衬底；依次设置于所述n型单晶硅衬底上表面的第一钝化层和减反射层；设置于所述n型单晶硅衬底下表面的第二钝化层；设置于所述第二钝化层下表面的局域n型硅基薄膜；设置于所述局域n型硅基薄膜下表面和所述第二钝化层下表面的除所述局域n型薄膜以外区域的p型硅基薄膜；依次设置于所述p型硅基薄膜下表面的TCO薄膜和金属电极。因此，根据发明实施例的背接触异质结电池具有制备工艺简单和生产成本低的优点。
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公开(公告)号：CN114242834B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202111372324.4
申请日：2021-11-18
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0747 , H01L31/0224
摘要： 本发明实施例提供了一种铜栅线异质结太阳电池的生产集成设备，包括光注入模块和磁控溅射镀膜设备；其中磁控溅射镀膜设备包括上下游依次设置的制程前室、制程室和制程后室；其中制程前室对待镀膜的样品预热；制程室对预热后的待镀膜的样品镀膜；制程后室将镀膜后的样品冷却；光注入模块设置在制程前室内用于对待镀膜的样品进行光注入处理。本发明的实施例将光注入模块集成到磁控溅射设备的某些非镀膜腔室中，在铜栅线异质结太阳电池进行磁控溅射沉积TCO薄膜及金属薄膜前完成光注入处理，有效解决了铜栅线异质结太阳电池的光注入增效与焊接可靠性之间的矛盾。
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公开(公告)号：CN117529119A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210880370.3
申请日：2022-07-25
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池，所述钙钛矿太阳能电池包括衬底、电子传输层、氧化物模板、空穴传输层和金属栅线，所述电子传输层设置于所述衬底的上表面上，所述氧化物模板上设有柱形孔，所述柱形孔内填充有钙钛矿柱，所述钙钛矿柱的下端与所述电子传输层接触，所述钙钛矿柱的横截面的最大尺寸小于钙钛矿材料的载流子的平均自由程，所述空穴传输层设置于所述氧化物模板的上表面上，所述钙钛矿柱的上端与所述空穴传输层接触，所述金属栅线设置于所述空穴传输层的上表面上。本发明实施例的钙钛矿太阳能电池可显著提升钙钛矿太阳能电池的转换效率，降低大面积器件的制备难度。
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公开(公告)号：CN116995128A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210450011.4
申请日：2022-04-26
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/048 , H01L31/072
摘要： 本公开提出了一种硅异质结光伏组件的制备方法以及装置，涉及光伏电池技术领域。该方法包括：对硅异质结电池进行预处理，以生成层压件；基于与层压件的类型对应的处理策略对层压件进行处理，以生成待处理组件；将待处理组件转移至EL检测工位，并切换当前电源至目标稳压电源；调整预设的软件参数，并对待处理组件进行电注入处理，以生成目标光伏组件。由此，在提高电池开路电压和填充因子的同时，并不会导致短路电流的降低，从而保持组件中电池串的电流基本不变，使电池分选时电流特性的一致性得以维持，最大化地实现输出功率的提升，且充分地利用了当前已有的EL检测设备，仅需增加稳压电源即可满足电注入处理工序的设备投入，实现组件输出的提升。
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