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公开(公告)号：CN102330058B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110280192.2
申请日：2011-09-20
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明公开了一种采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法，该方法通过调节玻璃基板与钨舟的距离、交流电源输出电流的大小、蒸发源-碲化锑的沉积速率，从而在真空低温环境下在玻璃基板上沉积上具有多级次纳米线束阵列碲化锑。由于是低温环境，能够将多级次纳米线束阵列碲化锑沉积在如CPU处理器上。本发明方法能够使物理气相沉积制得的碲化锑纳米线阵列结构均一，有效的保证了纳米相的均匀分布。
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公开(公告)号：CN102286721B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110249800.3
申请日：2011-08-26
申请人： 北京航空航天大学 , 北京航亿佳鑫科技开发有限公司
摘要： 一种碲化镉纳米线阵列的制备方法，其特征在于包括：将碲化镉靶材放入磁控溅射仪的真空室(7)中的射频台(1)上；把石英基板放置于样品台(2)上；调节样品台(2)与射频台(1)的距离(d)至预定距离范围；对真空室(7)抽真空，从而使真空室(7)内的真空度达到预定值；把石英基板加热至预定温度范围，以调控碲化镉的结晶条件；向真空室(7)中充入氩气，并将氩气压强调节至预定范围，以调节溅射出来的碲化镉在到达石英基板的过程中的散射程度，从而调节沉积速率；施加射频电流，从而调控溅射出来的碲化镉的量，从而调节沉积速率；沉积预定时间。
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公开(公告)号：CN102330058A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110280192.2
申请日：2011-09-20
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明公开了一种采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法，该方法通过调节玻璃基板与钨舟的距离、交流电源输出电流的大小、蒸发源-碲化锑的沉积速率，从而在真空低温环境下在玻璃基板上沉积上具有多级次纳米线束阵列碲化锑。由于是低温环境，能够将多级次纳米线束阵列碲化锑沉积在如CPU处理器上。本发明方法能够使物理气相沉积制得的碲化锑纳米线阵列结构均一，有效的保证了纳米相的均匀分布。
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公开(公告)号：CN118501116A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410749216.1
申请日：2024-06-11
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明公开了一种基于上转换非线性图像扫描超分辨成像装置及方法，属于超分辨成像技术领域，按照光路依次设置有激光模块、激光功率调节模块、显微扫描模块和探测模块；激光模块包括近红外激光器、保偏单模光纤和扩束透镜；激光功率调节模块包括半波片和偏振片；显微扫描模块包括长波通短波反的二向色镜、物镜、待测样品和压电位移台；探测模块包括透镜和面阵探测器，透镜的光路与二向色镜连接；本发明采用上述装置及方法，在传统的共聚焦系统之上，仅需要替换单点探测器为阵列探测器便可实现远小于衍射极限的超分辨成像，具有成像分辨率高，系统简洁优势，解决传统超分辨技术中系统复杂，成本昂贵，后期重建计算量大等困难。
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公开(公告)号：CN109411593B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201811287576.5
申请日：2018-10-31
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
摘要： 本发明涉及一种N型聚苯胺基热电复合膜的制备方法。该复合薄膜以P型聚苯胺为聚合物基体，以N型硫化铋纳米棒为填料。其制备方法是将N型硫化铋纳米棒加入到P型聚苯胺‑间甲酚溶液中超声搅拌，待硫化铋纳米棒在聚苯胺溶液中分散均匀后用流延法成膜，最后通过真空热处理，自然冷却降温后即可得到室温下的N型聚苯胺基热电复合膜。本发明巧妙地复合了P型聚苯胺和N型硫化铋，获得的N型有机热电材料温热电性能优异，塞贝克系数高、空气稳定性高，制备方法简便、可规模化、成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113801413A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111289976.1
申请日：2021-11-02
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明涉及一种光敏铁电聚合物复合薄膜及其制备方法，以及使用该复合薄膜的铁电器件或压电器件。本发明的复合薄膜包括：有机柔性聚合物基体，和无机‑有机杂化钙钛矿填料颗粒，其中，所述填料颗粒相对于所述复合薄膜的总质量的含量为1质量％～5质量％，并且所述填料颗粒以单分散状态存在于所述基体中。
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公开(公告)号：CN109588191A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811558186.7
申请日：2018-12-19
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明涉及一种用于恢复虾塘排污口区域滩涂上的红树林的方法，所述方法包括以下步骤：(1)通过潮汐冲刷来提高虾塘排污口区域滩涂的土壤的pH值，减轻所述土壤的酸化程度；(2)垫高所述虾塘排污口区域使得在潮汐涨潮方向上形成滩面高程逐渐增大的坡形滩面；(3)在所述坡形滩面上种植红树，并向所述红树根际土壤中施用磷肥。本发明能够改善虾塘排污口区域的不良土壤条件，快速减缓和控制红树林的退化进程，解决该区域在长时间内红树不能成活或生长迟缓的问题，保护及恢复红树林资源。
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公开(公告)号：CN102856261B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210330149.7
申请日：2012-09-07
申请人： 北京航空航天大学
IPC分类号： H01L21/8247
摘要： 一种金属-铁电体-绝缘体-半导体结构的制备方法，它是一种MFIS结构中Bi2SiO5绝缘层的原位生长技术，其特征在于：利用氧化铋易挥发性，通过Bi盐前驱体溶胶在热处理过程中生成Bi2O3，在铁电层BiFeO3生长温度下一方面与Si衬底上的非晶SiO2反应生成绝缘层，同时另一方面补充铁电层生长过程中所缺失的Bi；该方法有七大步骤。本发明构思科学，工艺简单，在微电子新材料技术领域里具有较好的实用价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103130281A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310082873.7
申请日：2013-03-15
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 一种掺杂多铁性BiFeO3薄膜的化学制备方法，该方法有八大步骤：一、乙二醇甲醚与丙酸按体积比3:1配制成基本溶剂；二、母相BiFeO3（BFO）溶胶的配制：三、掺杂相BaTiO3（BTO）溶胶配制：四、Pt/Ti/SiO2/Si基片的清洗处理；五、Pt/Ti/SiO2/Si基片置于匀胶机上，先旋涂一层BFO溶胶并烘干；六、在BFO湿膜上，再旋涂一层BTO溶胶并烘干；七、重复步骤五和六，得到不同Ba，Ti掺杂量BFO薄膜；八、在Ba，Ti掺杂量BFO薄膜上溅射金属铂电极。本发明不直接将掺杂元素的阳离子盐加入母相溶胶中形成整体溶胶，一次旋涂成膜；而是采用将掺杂物相与母体分别配制成溶胶，分开旋涂，通过热处理过程中离子互相运动来形成固溶掺杂。它在新材料技术领域有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102856261A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210330149.7
申请日：2012-09-07
申请人： 北京航空航天大学
IPC分类号： H01L21/8247
摘要： 一种金属-铁电体-绝缘体-半导体结构的制备方法，它是一种MFIS结构中Bi2SiO5绝缘层的原位生长技术，其特征在于：利用氧化铋易挥发性，通过Bi盐前驱体溶胶在热处理过程中生成Bi2O3，在铁电层BiFeO3生长温度下一方面与Si衬底上的非晶SiO2反应生成绝缘层，同时另一方面补充铁电层生长过程中所缺失的Bi；该方法有七大步骤。本发明构思科学，工艺简单，在微电子新材料技术领域里具有较好的实用价值和广阔的应用前景。
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