公开(公告)号：CN106537906B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201580038421.6

申请日：2015-07-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司 ,  名仓满 ,  夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  内田雅代

IPC: H04N9/07 ,  G03B11/00 ,  G03B15/00 ,  H04N5/321

Abstract: 本发明提供与现有技术相比通用性高且能够使观察对象物质的状态可视化的摄像装置。摄像装置(1)具有滤光片部(111)、受光部(112)和图像处理部(13)。滤光片部(111)具有光谱透射特性不同的多个滤光片，使与观察对象物质的吸光光谱或荧光光谱对应的特定的波段的光透过。受光部(112)接受由滤光片部(111)透射的光，将接受的光由光电转换元件(112a)转换为电信号而输出。图像处理部(13)将从受光部(112)输出的电信号转换为可见光波段的信号输出向显示装置(2)。

公开(公告)号：CN109387894A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810786625.3

申请日：2018-07-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 玉井幸夫 ,  中野贵司 ,  山崎信夫 ,  本田大辅

IPC: G02B5/20 ,  H04N5/225

Abstract: 抑制随着小型化的滤波器的特性的下降。周期性结构滤波器(2)中,多种种类的滤波器(22)中的至少一种滤波器以在与滤波器的表面的法线方向正交的方向上,光学参数或形状具有规定的空间规律而变化的方式构成,任意单元(21)、及与该任意单元相邻的至少一个单元的每一个所包含的相同种类滤波器之中的至少一种滤波器以相邻的方式配置。

公开(公告)号：CN109075178A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780024488.3

申请日：2017-03-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 本田大辅 ,  中野贵司 ,  川端优 ,  泷本贵博 ,  夏秋和弘 ,  內田雅代 ,  内桥正明

IPC: H01L27/14 ,  G02B5/30 ,  H04N5/369

Abstract: 实现一种具备使偏振特性提高的狭缝型的偏振滤光器的拍摄装置。拍摄装置(100)的偏振部(10)具备隔着电介质层(14)的第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)，在第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的各偏振片层中，形成有沿规定的方向周期性地排列的多个狭缝(13)。第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的形成材料及控制受光部(11)的动作的布线层的形成材料分别为选自Al、Si、Cu、Au、Ag、Pt、W、Ti、Sn、In、Ga、Zn或包含这些元素中的至少一个的化合物或合金的材料。

公开(公告)号：CN108738372A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201780007334.3

申请日：2017-10-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山崎信夫 ,  中野贵司 ,  玉井幸夫 ,  本田大辅

IPC: H04N5/369 ,  G01N21/21 ,  G06T1/00 ,  G06T7/00 ,  H04N5/225 ,  H04N5/33 ,  H04N5/359

Abstract: 本发明提出的拍摄装置减少红外光图像中包含的映入像的影响。拍摄部(20)具备：拍摄元件(21)，包含红外光图像拍摄区域(21a)以及可见光图像拍摄区域(21b)；以及偏振滤光器(25)，包含主轴方向相互不同的多个偏振元件(25a～25d)的多个偏振单元与构成红外光图像拍摄区域的多个像素对应地二维排列。

公开(公告)号：CN105518875A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480046696.X

申请日：2014-07-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘 ,  内田雅代 ,  泷本贵博 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司 ,  名仓满

IPC: H01L31/10 ,  G02B5/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/02162 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14645 ,  H01L31/02164

Abstract: 本发明提供能够防止本来不透射的波长的光的异常透射、能够使光谱波形的半值宽度减小的光电转换装置及其制造方法。在基板(100)上形成第一光电转换元件(101)，在该第一光电转换元件(101)之上隔着绝缘膜(1、2、3)形成具有周期性或非周期性地配置的多个开口(41)的第一金属膜(31)。设置覆盖上述第一金属膜(31)的多个开口(41)的一部分的第二金属膜(32)。

公开(公告)号：CN104568865A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410539344.X

申请日：2014-10-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 名仓满 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司 ,  泷本贵博 ,  夏秋和弘 ,  内田雅代

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明提供荧光检测装置和清扫机。本发明提供一种能够简便地搬运到各种场所和环境，并能够容易地对检测对象物质发出的特定波长的荧光进行检测的技术。荧光检测装置在能够携带的箱体中具备：照射部，该照射部向被摄体照射规定的波段的激发光；滤光片部，该滤光片部具有使被摄体相对于激发光发出的特定波长的荧光透过的荧光滤光片；受光部，该受光部接收透过荧光滤光片的荧光；和提示部，该提示部向用户提示基于受光部的受光结果的信息。

公开(公告)号：CN103325939A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310093687.3

申请日：2013-03-22

Applicant: 夏普株式会社 ,  尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 玉井幸夫 ,  中野贵司 ,  粟屋信义 ,  相泽一雄 ,  浅野勇 ,  日向野直也 ,  川越刚

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C16/06

CPC classification number: H01L45/126 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及可变电阻元件以及非易失性半导体存储装置。本发明实现一种动作裕度宽的高集成存储器。在第一电极（14）和第二电极（12）之间夹持包含金属氧化物的可变电阻体（13）而构成的可变电阻元件（1）中，在这样的金属氧化物中具有流过两电极（12、14）间的电流的电流密度局部高的电流路径，在两电极（12、14）中至少电阻率更高的一个特定电极的电阻率为100μΩcm以上的情况下，将这样的特定电极与可变电阻体（13）接触的接触区域的短边方向或短轴方向的尺寸（R）相对于特定电极的膜厚（d）设定为1.4倍以上。由此，降低起因于电极的加工偏差而在电极部分产生的寄生电阻的偏差，抑制起因于寄生电阻的偏差而产生的可变电阻元件的电阻变化特性的偏差。

公开(公告)号：CN1776912A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510125483.9

申请日：2005-11-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大西哲也 ,  新村尚之 ,  山崎信夫 ,  涩谷隆广 ,  中野贵司 ,  田尻雅之 ,  大西茂夫

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 交叉点结构的半导体存储装置具备在同一方向上延伸的多个上部电极(2)和在与上述上部电极(2)的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极(1)，在上述上部电极(2)与上述下部电极(1)之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极(2)延伸的方式形成于上述上部电极(2)各自的上述下部电极(1)一侧。