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公开(公告)号：CN101496082A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780027750.6
申请日：2007-06-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00 , B60R11/02 , G02F1/1345 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/133305 , B60R11/0235 , B60R13/10 , G02F1/13452 , G02F1/13454
Abstract: 本发明提供的显示装置(100)中，绝缘性基板(210)弯曲。基板配线(250)包括与第一驱动元件(260)电连接的第一输入基板配线(252)、和与第一配线(230)和第一驱动元件(260)电连接的第一输出基板配线(254)。第一输出基板配线(254)设置在比第一输入基板配线(252)更靠显示区域一侧。第一驱动元件(260)是具有两个长边(261、262)和两个短边(263、264)的矩形形状，第一驱动元件(260)以长边(261、262)与第一配线(230)的延伸方向平行的方式安装。
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公开(公告)号：CN112051690B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202010493248.1
申请日：2020-06-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G06F3/041 , G06F3/044
Abstract: 一种有源矩阵基板及带触摸传感器的液晶显示装置，有源矩阵基板具备：源极金属层，其包含源极总线；下部绝缘层，其覆盖源极金属层；顶栅型的氧化物半导体TFT，其包含设置在下部绝缘层上的氧化物半导体层；层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体TFT；像素电极，其设置在层间绝缘层上；共用电极，其包含能作为触摸传感器用的电极发挥功能的多个子共用电极；栅极金属层，其包含栅极总线和栅极电极；漏极金属层，其包含漏极电极；以及多个触摸传感器用配线，其分别电连接到多个子共用电极中的任意一个子共用电极，并且包含于漏极金属层。
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公开(公告)号：CN109599362B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201811125993.X
申请日：2018-09-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种薄膜晶体管基板的制造方法和薄膜晶体管基板，提高开口率并且缓和台阶。阵列基板的制造方法具备：第1金属膜形成工序；栅极绝缘膜形成工序；半导体膜形成工序；第2金属膜形成工序；光致抗蚀剂膜形成工序，使用半色调掩模将形成在第2金属膜的上层侧的光致抗蚀剂膜图案化；第1蚀刻工序，将第2金属膜中的与光致抗蚀剂膜不重叠的部分选择性地除去；低电阻化工序，将半导体膜中的与光致抗蚀剂膜不重叠的像素电极构成部选择性地进行低电阻化处理而形成像素电极；第2膜厚部除去工序，将光致抗蚀剂膜的第2膜厚部选择性地除去；以及第2蚀刻工序，将与光致抗蚀剂膜的第1膜厚部不重叠的第2金属膜的电极间部选择性地除去。
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公开(公告)号：CN112051690A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010493248.1
申请日：2020-06-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G06F3/041 , G06F3/044
Abstract: 一种有源矩阵基板及带触摸传感器的液晶显示装置，有源矩阵基板具备：源极金属层，其包含源极总线；下部绝缘层，其覆盖源极金属层；顶栅型的氧化物半导体TFT，其包含设置在下部绝缘层上的氧化物半导体层；层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体TFT；像素电极，其设置在层间绝缘层上；共用电极，其包含能作为触摸传感器用的电极发挥功能的多个子共用电极；栅极金属层，其包含栅极总线和栅极电极；漏极金属层，其包含漏极电极；以及多个触摸传感器用配线，其分别电连接到多个子共用电极中的任意一个子共用电极，并且包含于漏极金属层。
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公开(公告)号：CN111580315A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010092392.4
申请日：2020-02-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12
Abstract: 一种有源矩阵基板和具备其的液晶显示装置，有源矩阵基板(10)具备：开关元件(120)，其连接到设置在基板上的栅极线和数据线；像素电极(130)，其与开关元件(120)连接；相对电极(140)，其在俯视时与像素电极(130)重叠；平坦化膜(154)；以及配线(142)。平坦化膜(154)覆盖开关元件(120)，在俯视时与配线(142)重叠的位置形成有贯通平坦化膜(154)的第1接触孔(CH1)。像素电极(130)和相对电极(140)以覆盖平坦化膜(154)的一部分的方式配置。在第1接触孔(CH1)中，相对电极控制配线(142)与相对电极(140)连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004719B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201580064210.X
申请日：2015-11-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/306 , H01L21/312 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：含有栅极电极(3)、氧化物半导体层(5)、栅极绝缘层(4)以及源极电极(7S)及漏极电极(7D)的薄膜晶体管(101)；以覆盖薄膜晶体管(101)且与薄膜晶体管(101)的通道区域(5c)相接的方式配置的层间绝缘层(11)；配置于层间绝缘层(11)上的透明导电层(19)，源极电极(7S)及漏极电极(7D)各自具有铜层(7a)，进一步具备配置于源极及漏极电极与层间绝缘层(11)之间的铜氧化膜(8)，层间绝缘层(11)隔着铜氧化膜(8)而覆盖漏极电极(7D)，透明导电层(19)于形成在层间绝缘层(11)的接触孔(CH1)内，未隔着铜氧化膜(8)而与漏极电极(7D)的铜层(7a)直接相接。
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公开(公告)号：CN110931503A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910801119.1
申请日：2019-08-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/136 , G02F1/1368
Abstract: 一种元件基板、显示面板以及它们的制造方法，得到可靠性优异的元件基板和显示面板。构成显示面板(10)的元件基板(30)具备：导电膜(31)；绝缘膜(32)，其设置在导电膜(31)的上层，覆盖其侧面和上表面；以及透明电极膜(37)，其设置在绝缘膜(32)的上层，在元件基板(30)中，以包含电极部(55)和覆盖部(56)的方式形成透明电极膜(37)，电极部(55)与导电膜(31)电连接而构成电极，覆盖部(56)与电极部(55)分开设置，与导电膜(31)和电极部(55)电绝缘，并且与导电膜(31)和覆盖导电膜(31)的绝缘膜(32)重叠。
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公开(公告)号：CN110875336A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910800912.X
申请日：2019-08-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
Abstract: 一种有源矩阵基板、显示装置以及有源矩阵基板的制造方法，能够实现具备有机绝缘膜(OIL)、以及被两层配线化的第1源极层(FSL2～FSL4)和第2源极层(SSL1～SSL3)的、成品率高的有源矩阵基板(1)。在有源矩阵基板(1)中，第1源极层(FSL2～FSL4)和第2源极层(SSL1～SSL3)中的、配置为离基板(2)更远的第2源极层(SSL1～SSL3)隔着第2无机绝缘膜(SINOIL)与有机绝缘膜(OIL)接触。
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公开(公告)号：CN110867453A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910682845.6
申请日：2019-07-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
Abstract: 一种半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法，消除随着各接触孔的形成而出现的问题。阵列基板(11B)具备：第1TFT(15)；第1源极侧连接部(19)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1源极区域(15B)；第1漏极侧连接部(20)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1漏极区域(15C)；第2TFT(24)，其由第1TFT(15)驱动；第2源极侧连接部(28)，其包括第1金属膜(39)的一部分，连接到第2源极区域(24B)；以及第2漏极侧连接部(29)，其包括第1金属膜(39)或第2透明电极膜(48)的一部分，连接到第2漏极区域(24C)。
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公开(公告)号：CN110521003A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880021738.2
申请日：2018-03-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L27/32 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/50
Abstract: 有源矩阵基板的氧化物半导体TFT(201)具有：氧化物半导体层(107)；上部栅极电极(112)，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；以及源极电极(113)和漏极电极(114)，氧化物半导体层(107)在从基板的法线方向观看时包含：第1部分(p1)，其与上部栅极电极重叠；以及第2部分(p2)，其位于第1部分与源极接触区域或漏极接触区域之间，栅极绝缘层未覆盖第2部分，上部栅极电极(112)具有包含与栅极绝缘层接触的合金层(112L)和配置在合金层上的金属层(112U)的层叠结构，金属层由第1金属元素M形成，合金层由包含第1金属元素M的合金形成，第1金属元素M是Cu、Mo或Cr。
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