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公开(公告)号：CN109313870B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780035180.9
申请日：2017-06-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1345 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L51/50 , G09F9/30
Abstract: 本发明提供可减少连接于信号线的引出线间的寄生电容之差的有源矩阵基板、及具备其的显示装置以及附触摸面板的显示装置。有源矩阵基板包括以相互平行的方式配置在设置于基板上的显示区域的多个信号线(S1～S9)，且包括在显示区域外部与多个信号线(S1～S9)连接的多个引出线(L1～L9)。多个引出线(L1～L9)在显示区域外部，至少分为如下三个层而配置，即，形成于离基板最近的位置的最下配线层，形成于离基板最远的位置的最上配线层，形成于最下配线层与最上配线层之间的中间配线层。在与设置于最下配线层的引出线(L3)连接的信号线(S3)和与设置于最上配线层的引出线(L4)连接的信号线(S4)之间形成电容。
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公开(公告)号：CN112349732A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010782151.2
申请日：2020-08-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 有源矩阵基板包括栅极总线、源极总线、下部绝缘层以及氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层、栅电极、源电极、以及连接氧化物半导体层以及源电极的第一欧姆导电部，下部绝缘层具有使源电极的至少一部分露出的源极用开口部，第一欧姆导电部配置在下部绝缘层上以及源极用开口部内，且在源极用开口部内与源电极的至少一部分直接接触，氧化物半导体层的第一区域与第一欧姆导电部的上表面直接接触。
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公开(公告)号：CN112071860A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010444250.X
申请日：2020-05-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板以及其制造方法。有源矩阵基板包括：基板；多个下部总线以及多个上部总线；下部绝缘层，位于多个下部总线与多个上部总线之间；氧化物半导体TFT，是配置在各像素区域的氧化物半导体TFT，包含配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层；像素电极，配置在各像素区域；多个配线连接部，配置在非显示区域。各配线连接部包含：下部导电层，使用与多个下部总线相同的导电膜而形成；绝缘层，是在下部导电层上延伸设置的，包含下部绝缘层的绝缘层，包含露出下部导电层的一部分的第一开口部；其他导电层，在第一开口部内连接在下部导电层。多个下部总线以及下部导电层包含：包含金属层、和覆盖金属层的上面以及侧面的透明导电层。
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公开(公告)号：CN111755507A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010213981.3
申请日：2020-03-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/44 , H01L21/34
Abstract: 提供有源矩阵基板，其具备氧化物半导体TFT，能降低寄生电容。有源矩阵基板具备源极总线、下部绝缘层、包含氧化物半导体层的氧化物半导体TFT、栅极总线及多个配线连接部，氧化物半导体层在形成于下部绝缘层的源极用开口部内电连接到源极电极或源极总线，各配线连接部包含：下部导电部，其使用第1导电膜形成；下部绝缘层，其在下部导电部上延伸设置；氧化物连接层，其与氧化物半导体层使用相同氧化物膜形成，并在形成于下部绝缘层的下部开口部内电连接到下部导电部；绝缘层，其覆盖氧化物连接层；以及上部导电部，其在形成于绝缘层的上部开口部内电连接到氧化物连接层，氧化物连接层包含电阻率比氧化物半导体层的沟道区域的电阻率低的区域。
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公开(公告)号：CN109496281A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201780046585.2
申请日：2017-07-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041 , G06F3/044 , G09F9/00 , G09F9/30
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有触控面板的显示装置，即使对于大型化以及高清晰化的面板，也能够得到期望的触摸检测性能。本发明的具有触摸面板的显示装置包括有源矩阵基板(1)。有源矩阵基板(1)在基板(40)上包括多个像素电极、多个对向电极(21)以及设置于像素电极与对向电极(21)之间的绝缘膜(46)。另外，有源矩阵基板(1)包括与多个对向电极(21)的任意一个连接的多条信号线(22)、与多个像素电极的每一个连接的多个开关元件以及设置于像素电极与信号线(22)以及开关元件之间的有机系绝缘膜(45)。信号线(22)连接于基板(40)。
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公开(公告)号：CN109313371A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780035306.2
申请日：2017-06-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333 , G06F3/041 , G06F3/044
Abstract: 本发明在于提供可抑制端子部的连接不良的显示装置及其制造方法。显示装置的有源矩阵基板(1)具备:栅极布线；数据布线，其与栅极布线交叉配置；像素电极；对置电极，其在与像素电极之间形成电容；以及信号线，其与对置电极连接，并供给触摸检测用的驱动信号。另外，具备:显示用驱动电路，其用于对栅极布线和数据布线的至少一方供给控制信号；触摸检测用驱动电路，其供给触摸检测用的驱动信号。另外，有源矩阵基板(1)具有将显示用驱动电路与触摸检测用驱动电路连接的多个端子部(Ta)，端子部(Ta)具有共用的层结构。
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公开(公告)号：CN107924652A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047229.8
申请日：2016-08-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368
Abstract: 在配置有密封材料的区域中确保宽的光透过区域。有源矩阵基板具备：第一布线，其形成在第一布线层；第二布线，其形成在与第一布线层不同的第二布线层；第三布线，其形成在与第一布线层及第二布线层不同的第三布线层，供给与第一布线及第二布线中供给的信号不同的信号；第一连接线21a、21b，其连接第一布线或第二布线与第一端子之间；以及第二连接线24c，其连接第三布线与第二端子之间。相邻的两根第一连接线21a、21b的一方的至少一部分形成在第一布线层及第二布线层之中的一方的布线层，另一方的至少一部分形成在另一方的布线层。在为密封区域、且第一连接线21a、21b及第二连接线24c重叠的区域，两根第一连接线21a、21b的至少一部分在俯视时重叠。
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公开(公告)号：CN104040416B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201380005139.9
申请日：2013-01-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134336 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/127 , H01L33/42
Abstract: 半导体装置具备：薄膜晶体管(101)；端子部(102)；包括与漏极电极(11d)的表面接触的第一绝缘层(12)的层间绝缘层(14)；在层间绝缘层(14)之上形成的第一透明导电层(15)；第一电介质层(17)；和第二透明导电层(19a)，端子部(102)具备：下部导电层(3t)；配置在栅极绝缘层(5)上的第二半导体层(7t)；下部透明连接层(15t)；和上部透明连接层(19t)，栅极绝缘层(5)和第二半导体层(7t)具有接触孔(CH2)，栅极绝缘层(5)和第二半导体(7t)的接触孔(CH2)侧的侧面对齐，下部透明连接层(15t)在接触孔(CH2)内与下部导电层(3t)接触，上部透明连接层(19t)在接触孔(CH2)的底面和侧壁与下部透明连接层(15t)接触。
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公开(公告)号：CN103081079A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041864.2
申请日：2011-08-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/04 , G02F1/133345 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L21/82 , H01L27/1225 , H01L27/1255
Abstract: 半导体装置（1000）包括：具有栅极配线（3a）、源极和漏极配线（13as、13ad）以及岛状的氧化物半导体层（7）的薄膜晶体管（103）；和具有由与栅极配线（3a）相同的导电膜形成的第一电极（3b）、由与源极配线（13as）相同的导电膜形成的第二电极（13b）以及位于第一和第二电极之间的介电体层的电容元件（105），栅极绝缘层（5）具有包含与氧化物半导体层（7）接触并且包含氧化物的第一绝缘膜（5A）、和配置于第一绝缘膜的栅极电极一侧并且具有比第一绝缘膜高的介电常数的第二绝缘膜（5B）的叠层结构，介电体层包含第二绝缘膜（5B）而不包含第一绝缘膜（5A）。由此，能够在不使CS电容等电容元件的电容值降低的情况下抑制氧化物半导体层的氧缺损所致的劣化。
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公开(公告)号：CN102792356A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180010176.X
申请日：2011-02-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/768
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/1288
Abstract: 显示装置的制造方法包含：形成按顺序层叠第1导电膜和第2导电膜而成的层叠体的工序；将第2导电膜的一部分除去而形成第1导电膜不与第2导电膜重叠的接触区域，由此从层叠体形成电极部的工序；在形成了电极部的基板上以覆盖电极部的方式形成包括感光性材料的平坦化膜，在接触区域的内侧位置形成贯通平坦化膜的接触孔的工序；以及以覆盖在接触孔的内侧从平坦化膜露出的第1导电膜的方式，在平坦化膜的表面形成像素电极的工序。
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