-
公开(公告)号：CN101436596B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810176079.8
申请日：2008-11-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/552
CPC classification number: H01L27/12 , B82Y10/00 , H01L27/11526 , H01L27/11573 , H01L29/78633
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、显示装置和移动装置。本发明的半导体装置包括：绝缘基板，形成在绝缘基板以上并具有存储保持部分的非易失性存储器，以及覆盖存储保持部分的上侧、下侧或者两侧的至少一个遮光体，其中遮光体中至少一个以遮光体的突起度为0.1或更大的方式安装，遮光体的突起度通过(从存储保持部分突起的遮光体的长度)/(遮光体和存储保持部分之间的距离)来定义。
-
公开(公告)号：CN111758210B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201980014063.3
申请日：2019-01-25
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 盐见竹史
Abstract: 整流电路具备HEMT、与HEMT反向并联连接的二极管以及栅极驱动电路。栅极驱动电路包含栅极驱动电源、互补地接通的两个晶体管、包含HEMT的输入电容的第一电容器、被设置在用于对HEMT的输入电容充电的路径上的第二电容器、与第一电容器并联连接的第一电阻以及与第二电容器并联连接的第二电阻，在HEMT断开时，被控制为将HEMT的栅极电压低于源极电压。由此，提供一种使用HEMT构成的、减少了开关损失的整流电路。
-
公开(公告)号：CN110313122B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201880010788.0
申请日：2018-01-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/28
Abstract: 电源装置(4)包括：具有初级绕组和多个次级绕组的变压器(TR4)；与初级绕组连接的初级侧电路(10)；以及分别与多个次级绕组连接的多个次级侧电路(20、25)。次级侧电路(20)进行向初级侧电路(10)或次级侧电路(25)传输电能的电能再生动作。次级侧电路(20)包含对从变压器(TR4)的初级侧传输的电能进行整流的MOSFET(Q5、Q6)和蓄积整流后的电能的电容器(C1)，并进行使电容器(C1)放电而使电流流入变压器(TR4)的次级绕组的放电动作。由此能够提供稳定地输出多个电压并具有高电能转换效率的电源装置。
-
-
公开(公告)号：CN111327203A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911278415.4
申请日：2019-12-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 盐见竹史
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明可以有效地降低半桥电路中的瞬态电流。在半桥电路(1)中，当第一晶体管元件(TTR1)导通时，初级绕组电流从电源(TV1)流向初级绕组(PW1)。之后，当第一晶体管元件(TTR1)截止时，(i)第一整流元件电流从次级绕组(SW1)流向第一整流元件(FR1)，或者，(ii)第二整流元件电流从第三级绕组(TW1)流向第二整流元件(SR1)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110301088A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201880011506.9
申请日：2018-01-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/28
Abstract: 电源装置(1)具有与变压器(TR1)的初级绕组连接的初级侧电路(10)以及与变压器(TR1)的次级绕组连接的次级侧电路(20)。初级侧电路(10)包含MOSFET：(Q1～Q4)，次级侧电路(20)包含整流从变压器(TR1)的初级侧传输的电能的MOSFET：(Q5、Q6)和蓄积被整流的电能的电容器(C1)。在将MOSFET：(Q1～Q4)从截止状态切换为导通状态之前，以MOSFET：(Q1～Q4)的源-漏极间电压降低的方式，次级侧电路(20)进行使电容器(C1)放电并使电流流过变压器(TR1)的次级绕组的放电的动作。由此，提供一种即使在低输出时也具有高的功率转换效率的电源装置。
-
公开(公告)号：CN106664082A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580035608.0
申请日：2015-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H03K17/16 , H02M3/155 , H03K17/10 , H03K17/695
Abstract: 将高耐压的常导通型晶体管(T1)与低耐压的常截止型晶体管(T2)串联连接，并设置与晶体管(T2)反向并联的二极管(D1、D2)。将晶体管(T1)的栅极端子连接到晶体管(T2)的源极端子，并设置对晶体管(T2)的栅极端子输出控制信号的栅极驱动电路(11)。使二极管(D2)的正向电压低于二极管(D1)的正向电压，使经由二极管(D2)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分大于经由二极管(D1)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分。由此，提供包括串联连接的晶体管且削减了变为截止时的瞬态电流的开关电路。
-
公开(公告)号：CN102971873B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201180034607.6
申请日：2011-06-14
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C25D13/00 , H01L21/479 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2224/08238 , H01L2224/75655 , H01L2224/75723 , H01L2224/7598 , H01L2224/80143 , H01L2224/95101 , H01L2224/95145 , H01L2224/97 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 该微小物体的配置方法是，在基板准备工序中，准备由第一电极（111）和第二电极（112）对置的部位规定有配置微小物体（120）的位置的基板（110），在流体导入工序中，将流体（121）导入到基板（110）上。流体（121）包含多个微小物体（120）。微小物体（120）是拥有由电介质制造的表侧层（130）和由半导体制造的背侧层（131）作为取向构造的二极管元件。而且，在微小物体配置工序，通过在第一电极（111）与第二电极（112）之间施加交流电压，从而利用感应电泳将微小物体（120）配置成在由第一电极（111）与第二电极（112）对置的部位（A）预先确定的位置而且将表侧层（130）配置成朝上。
-
-
公开(公告)号：CN113394976A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110215043.1
申请日：2021-02-25
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 盐见竹史
IPC: H02M3/158
Abstract: 辅助电源电路(1)从负极连接于开关节点的辅助电源(AV1)接受电力，并且向负极连接于高电位节点的电容器(AV2)供给电力，辅助电源电路(1)包括：开关元件(HS1)，连接于所述高电位节点与所述开关节点之间；以及二极管(SD1)，其阳极与辅助电源(AV1)的正极连接，并且阴极与电容器(AV2)的正极连接，开关节点的电压交替地切换为(i)与所述高电位节点的电压大致相同电压的第一电压和(ii)比所述第一电压低的第二电压。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.024 seconds)
