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公开(公告)号：CN109075122A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780023732.4
申请日：2017-05-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/768 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L23/522 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供具有可靠性高的配线连接构造的有源矩阵基板、其制造方法和显示装置。第一金属配线(122)和第二金属配线(125)经由被导体化的IGZO层(124)电连接。此时，因为在第二金属配线(125)与ITO层(109)之间形成有钝化层(107)和有机绝缘膜(108)，所以第二金属配线(125)和ITO层(109)不接触而分离。由此，在第二金属配线(125)的铝层(125a)与ITO层(109)之间不会由于电蚀而发生接触不良，成为可靠性高的配线连接构造。
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公开(公告)号：CN104641285B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201380048277.5
申请日：2013-09-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/13439 , G02F1/13454 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F2001/133388 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 阵列基板(半导体装置)(11b)具备：配置于显示部(AA)的显示部用TFT(显示部用晶体管)(17)；配置于非显示部(NAA)的非显示部用TFT(非显示部用晶体管)(29)；配置于非显示部(NAA)并由第二层间绝缘膜(41)形成的上层侧绝缘部(31)；和配置于非显示部(NAA)并由第一层间绝缘膜(39)形成且层叠于上层侧绝缘部(31)的下层侧的下层侧绝缘部(30)。
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公开(公告)号：CN107851407A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680040399.3
申请日：2016-07-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/133512 , G02F1/134309 , G02F1/136209 , G02F1/1368 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3272 , H01L27/3276 , H05B33/02 , H05B33/10
Abstract: 减少有源矩阵基板的制造工序数目。一种有源矩阵基板，其具有形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板100，其特征在于，具备：遮光膜201，形成于绝缘基板100上的遮光区域，所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒，且被着色；无机膜202，形成于遮光膜201上；透光膜204，形成于绝缘基板100的透光区域，并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒；栅极线111，设置于无机膜202上；栅极绝缘膜101，其设置于栅极线111上；薄膜晶体管300，以矩阵状设置于栅极绝缘膜101上；以及数据线，在遮光膜201上以与栅极线111交叉的方式设置，并与薄膜晶体管300电连接。
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公开(公告)号：CN104641285A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048277.5
申请日：2013-09-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/13439 , G02F1/13454 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F2001/133388 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 阵列基板(半导体装置)(11b)具备：配置于显示部(AA)的显示部用TFT(显示部用晶体管)(17)；配置于非显示部(NAA)的非显示部用TFT(非显示部用晶体管)(29)；配置于非显示部(NAA)并由第二层间绝缘膜(41)形成的上层侧绝缘部(31)；和配置于非显示部(NAA)并由第一层间绝缘膜(39)形成且层叠于上层侧绝缘部(31)的下层侧的下层侧绝缘部(30)。
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公开(公告)号：CN101785086A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880104150.X
申请日：2008-06-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/268 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供显示装置的制造方法和叠层构造体。本发明的显示装置的制造方法包括：准备在背面形成有剥离层的挠性基板的步骤；通过粘接层在挠性基板上形成的剥离层上粘贴支撑基板的步骤；在粘贴有支撑基板的挠性基板的表面形成规定的器件的步骤；和对于形成有器件的挠性基板，通过使剥离层剥离将支撑基板除去的步骤。
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公开(公告)号：CN101277886A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036493.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B65H18/00 , B65H18/08 , B65H2301/4127 , B65H2301/414324 , G02F1/1303 , G02F1/133305 , G02F1/133351
Abstract: 本发明公开了薄膜辊制造方法及制造装置、和薄膜辊。该薄膜辊制造方法为制造卷绕有薄膜基板(1)的薄膜辊(3b)的方法。该薄膜辊制造方法包括：在薄膜基板(1)的两端部及中间部，沿着该薄膜基板(1)的长边方向分别配置带状隔离物(2b、2c)的隔离物配置工序；以及隔着该被配置的各个隔离物(2b、2c)卷绕薄膜基板(1)的卷绕工序。
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公开(公告)号：CN1828885A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006650.2
申请日：2003-03-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L27/28 , G02F1/1368 , H01L27/3244
Abstract: 一种晶体管阵列，包括：导体线、功能线和晶体管。每个导体线包括芯线和包覆在芯线上的导体层。每条功能线包括至少表面导电的芯线、包覆芯线的绝缘层和包覆绝缘层的半导体层。每条功能线和导体线交叉接触。每个晶体管包括第一欧姆接触区，第一欧姆接触区被定义为导体线之一和功能线之一交叉的区域，它和半导体层欧姆接触。每个晶体管还包括与半导体层欧姆接触的第二欧姆接触区，以及定义第一和第二欧姆接触区之间的半导体层上的沟道区。
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公开(公告)号：CN108780621B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201780018517.5
申请日：2017-03-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板、其制造方法和显示装置，在显示面板的制造工序中能够抑制静电放电的发生，并且能够抑制制造成本。在IGZO膜被构成栅极绝缘膜的氧化硅膜和蚀刻阻挡层夹着的状态下，在用于保护TFT的钝化膜形成之后，在200～350℃下进行退火，并且是IGZO膜从导体变化为半导体。其结果是，不仅能够抑制ESD的发生，而且能够不需要从显示面板分离静电放电防止电路，所以能够降低显示装置的制造成本。
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公开(公告)号：CN110121785A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201780080983.6
申请日：2017-12-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/205
Abstract: 半导体装置具备基板(21)和支撑于基板的氧化物半导体TFT(20)，氧化物半导体TFT(20)包括：含有In、Ga以及Zn的氧化物半导体层(27)、栅极电极(23)、形成于栅极电极(23)与氧化物半导体层(27)之间的栅极绝缘层(25)、以及与氧化物半导体层(27)接触的源极电极(28)及漏极电极(29)，氧化物半导体层(27)具有包括第1层(31)、第2层(32)以及配置于第1层与第2层之间的中间过渡层(33)的层叠结构，第1层(31)比第2层(32)靠栅极绝缘层侧配置，第1层(31)和第2层(32)具有不同的组成，中间过渡层(33)具有从第1层侧向第2层侧连续地变化的组成。
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公开(公告)号：CN109698218A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811224781.7
申请日：2018-10-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供能使要求特性不同的多个氧化物半导体TFT适当地混合存在于有机EL显示装置和有源矩阵基板的构成。有机EL显示装置具备基板和设置于各像素的像素电路。像素电路包括包含第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和包含第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT。第1氧化物半导体TFT具有顶栅结构。第2氧化物半导体TFT具有底栅结构。第2氧化物半导体TFT具有屏蔽电极，上述屏蔽电极设置于在第2氧化物半导体层上形成的绝缘层上，与第2氧化物半导体层相对。
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