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公开(公告)号：CN113463041A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110746031.1
申请日：2021-07-01
申请人： 安徽工业大学
IPC分类号： C23C14/32
摘要： 本发明公开了一种电弧阴极磁过滤镀膜装置，属于真空镀膜技术领域，包括真空腔室、挡板组件、工件转架、两个电弧阴极组、四个第二真空室、两个第一真空室、第一线圈组、第二线圈组、第三线圈组；所述工件转架、所述挡板组件均设置在所述真空腔室的内部，所述挡板组件与真空腔室活动连接并接地。本发明将过滤系统放大，使等离子体局部横穿真空室的特点，则镀膜的区域就被放大了，同时通过接地的大型挡板，能够有效地阻断等离子体从真空腔室一侧向另一侧的传输，进而阻挡等离子体穿越工件转架区域后直接到达另一端电弧阴极位置，能使大型的工件转架浸入等离子体中，进而完成大面积地均匀沉积。
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公开(公告)号：CN112708852A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011534781.4
申请日：2020-12-22
申请人： 安徽工业大学
摘要： 本发明公开一种原位高能Ar+刻蚀后处理改善AlCrN涂层刀具性能的方法，包括步骤：清洗基材；制备AlCrN功能涂层；将所述AlCrN功能涂层沉积在处理后的所述基材上；原位高能Ar+轰击后处理；对制备好的AlCrN功能涂层进行原位高能Ar+轰击后处理：沉积镀膜结束后，对所述基材进行抽真空，加工温度保持在400℃并通入Ar气；开启清洗Ti靶后开启阳极靶材，所述阳极靶材与所述清洗Ti靶构成正负极牵引电子运动，电子与Ar气碰撞产生Ar+，控制负偏压为‑200V，吸引Ar+对设置有所述AlCrN功能涂层的所述基材表面进行离子轰击，轰击时间为40min；本发明可有效去除AlCrN涂层表面的大小液滴颗粒，同时增加涂层和基体的残余压应力，改善了AlCrN涂层的表面粗糙度和切削性能。
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公开(公告)号：CN118600421A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410672234.4
申请日：2024-05-28
申请人： 安徽工业大学
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/16 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C16/40 , C23C16/455 , G01K7/02 , G01L1/00 , G01L9/00
摘要： 本发明涉及功能薄膜制备技术领域，具体涉及一种薄膜传感器用多层复合绝缘薄膜、制备方法及其应用，该多层复合绝缘薄膜自下而上依次包括金属基体、Cr过渡层、中频磁控溅射Al2O3绝缘层、原子层沉积Al2O3绝缘层、中频磁控溅射Al2O3绝缘层。通过Cr过渡层提高了膜基结合强度，采用磁控溅射与原子层沉积(ALD)技术相复合制备了多层Al2O3薄膜，原子层沉积技术制备的Al2O3薄膜生长致密，填充了磁控溅射沉积的Al2O3薄膜中微孔等组织结构缺陷，从而达到绝缘封孔目的，“三明治”结构Al2O3薄膜有效地阻断了传感层与金属基体之间的电子传导，同时采用合适的刻蚀清洗工艺和金属过渡层，各层薄膜间具有良好的结合强度，可应用于金属表面薄膜传感器制备。
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公开(公告)号：CN117966114A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410131329.5
申请日：2024-01-31
申请人： 安徽工业大学
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明涉及真空镀膜技术领域，具体涉及一种实验用线圈结构磁控溅射源，包括磁控阴极靶、线圈、磁轭、水冷通道、软磁背板，所述线圈、磁轭以及水冷通道均设于所述磁控阴极靶与所述软磁背板之间，所述水冷通道设于所述线圈与所述磁控阴极靶之间，所述线圈激发的磁场能作用于磁控阴极靶的表面，所述磁轭至少设有两个，所述线圈设于相邻两个磁轭之间。这种实验用线圈结构磁控溅射源，解决了目前磁控溅射源通过前后移动永磁结构改变磁场强弱同时会改变磁场方向的问题。
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公开(公告)号：CN117966100A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410131358.1
申请日：2024-01-31
申请人： 安徽工业大学
摘要： 本发明涉及真空镀膜技术领域，具体涉及一种内腔蒸发镀膜装置，包括蒸发舟、待镀膜直管、阳极组件、阴极组件、固定架支柱、固定架导轨、蒸发电源和离子清洗电源，蒸发舟设于待镀膜直管的内腔内，阳极组件一端与所述蒸发舟连接，另一端与蒸发电源正极以及离子清洗电源负极连接，阴极组件一端与所述蒸发舟连接，另一端与蒸发电源负极以及离子清洗电源正极连接，固定架支柱用于支撑阳极组件和阴极组件，固定架支柱沿设于固定架支柱下方的固定架导轨往复运动，蒸发舟在固定架支柱的带动下沿着待镀膜直管的内腔轴线往复运动。解决了现有的电弧离子镀膜、磁控溅射技术和电镀技术中，对比较长的管状零件，内部仍然无法完成膜层均匀沉积，甚至无法完成沉积的问题。
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公开(公告)号：CN115125486B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202210893289.9
申请日：2022-07-27
申请人： 安徽工业大学
摘要： 本发明涉及硬质涂层制备技术领域，具体涉及一种含有多层结构的高强韧纳米复合涂层及其制备方法，使用高功率脉冲磁控溅射技术在金属基体上制备具有多层结构的纳米复合AlTiSiN涂层，由下至上依次包括沉积在金属基体表面的AlTiN粘结层，多层AlTiN/TiSiN支撑层和TiSiN工作层，支撑层中TiSiN涂层Si含量为3～7％，工作层TiSiN中Si含量为8～15％。采用低负偏压AlTiN粘结层改善涂层结合力，采用多层支撑层降低涂层内应力，提高涂层韧性，同时引入多层界面结构，降低涂层缺陷，提高涂层致密度；通过控制氮气流量和占空比调节工作层TiSiN中Si含量，提高纳米复合涂层的硬度和耐磨性，制备的多层结构纳米复合涂层工艺简单，膜层光滑致密，具有较高的硬度和膜基结合力，良好的抗磨损性能。
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公开(公告)号：CN115233164A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210867294.2
申请日：2022-07-22
申请人： 安徽工业大学
摘要： 本发明涉及电弧离子镀技术领域，具体涉及一种金刚石增强复合材料的电弧离子镀方法，包括下列步骤：(1)衬底准备：衬底是作为复合材料依附其上，完成生长的支撑；(2)金刚石颗粒的准备；(3)抽真空；(4)加热；(5)通入工艺气体；(6)膜层沉积；(7)衬底表面布置金刚石颗粒；(8)重复步骤(6)至(7)；(9)热处理，本发明利用电弧离子镀技术制备金刚石增强复合材料的基体，使基体材料种类从金属扩展至氮化物、碳化物等陶瓷材料，提高了金刚石增强复合材料的性能。
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公开(公告)号：CN113265641B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110322329.X
申请日：2021-03-25
申请人： 安徽工业大学
摘要： 本发明涉及碳膜制备技术领域，具体涉及一种基于低温辉光等离子体的疏水减摩自润滑碳膜及其制备方法，对材料进行抛光处理，将材料置于等离子体渗氮炉中，抽真空至10～50Pa，接通电压，电压保持在600～800V，占空比30％～80％；通入碳源气体和氢气/氩气，调节炉内温度和气压，开始制备疏水减摩自润滑的碳膜，保持稳定的温度和气压等参数一段时间，接着试样随炉冷却至室温，取出试样；这种基于低温辉光等离子体的疏水减摩自润滑碳膜及其制备方法，解决了如何在低温下采用低成本制备兼具疏水和减摩自润滑特性的碳膜的问题。
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公开(公告)号：CN113463056B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110746018.6
申请日：2021-07-01
申请人： 安徽工业大学
IPC分类号： C23C14/50
摘要： 本发明公开了一种真空镀膜无遮挡样品翻转装置，属于真空镀膜技术领域，包括上下对称的上部与下部，所述上部与下部均包括样品置物台、样品固定底座、伸缩杆组件、伸缩杆限位筒、伸缩杆驱动组件、旋转座、底座驱动组件、支撑限位组件，所述样品置物台设置在所述样品固定底座上，由所述样品固定底座对其卡紧或放松，所述样品固定底座与所述伸缩杆组件的一端连接，另一端设置在所述伸缩杆限位筒内部，所述伸缩杆限位筒与所述旋转座连接，所述伸缩杆驱动组件驱动所述伸缩杆组件实现伸缩。本发明在样品翻转过程中，并未采用任何夹具的形式，而是通过装置上下两部分互相压紧，然后再完成样品的翻转，不会对样品表面造成任何遮挡。
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公开(公告)号：CN113957380A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111255505.9
申请日：2021-10-27
申请人： 安徽工业大学
摘要： 本发明涉及等离子体渗氮技术领域，具体涉及一种低电流辉光和高电流弧光等离子体组合渗氮方法：对试样抛光至镜面并清洗、烘干后装载入炉内，打开真空泵，抽真空至5.0×10‑2Pa；电阻加热开启，炉温升温至渗氮所需温度400～550℃；通入氩气，加电压700‑800V，电离氩气形成辉光等离子体清洗试样表面，去除材料表面的氧化物等杂质，激活材料表面；接着利用柱弧源产生的弧光等离子体中的电子流电离氩气，进行二次激活，柱弧靶电流为100～200A；通入氮气，柱弧靶电流维持在100～200A，气压维持在1～3Pa，工件接负偏压300‑500V，形成的氮离子进行渗氮，渗氮速率远高于辉光等离子体渗氮，渗氮层表面粗糙度低，表面质量高，力学性能和摩擦磨损性能优于传统辉光等离子体渗氮术。
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