公开(公告)号：CN102254820A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110136870.8

申请日：2011-05-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 荻野正明 ,  胁本博树 ,  宫崎正行

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/266 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其可以保证晶片的强度，可以提升器件性能。散热层从晶片的正面形成，到达散热层的锥形槽从背面通过利用碱性溶液的各向异性蚀刻形成，槽内散热层形成于槽的侧壁表面。反向阻断IGBT的分离层由散热层和槽内扩散层构成，可以通过形成槽内扩散层将散热层形成得较浅，可以大幅减少热扩散时间。另外，通过将形成槽内扩散层离子注入和形成集电极层的离子注入分开进行，可以针对接通电压和开关损耗间的折衷选择最佳值，同时确保反向阻断IGBT的反向阻断电压。