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公开(公告)号：CN100440324C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03827149.4
申请日：2003-09-30
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/7325
摘要： 垂直磁记录介质由基板和在基板上层压的各层构成，即，在基板上顺序层压软磁性内层、种子层、磁通狭缝层、非磁性中间层、记录层、保护膜、以及润滑层，磁通狭缝层13具有大致柱状结构的软磁性粒子，该软磁性粒子具有非磁性部分的边界部，使来自记录磁头的磁通只狭窄到软磁性粒子的部分，从而抑制磁通的扩散。另外，展示了将磁通狭缝层设在记录层上的垂直磁记录介质。
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公开(公告)号：CN101222018A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710199180.0
申请日：2002-11-08
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F10/3268
摘要： 一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜形式的绝缘基质材料，该绝缘基质材料包含处于分散状态的所述导电颗粒并且其厚度小于所述导电颗粒的颗粒直径，该粒状结构层邻接于所述自由层和所述被固定层中的任何一个层。
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公开(公告)号：CN100378803C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510060177.1
申请日：2005-03-31
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/3929 , G11B5/39 , G11B5/3903 , H01L43/08
摘要： 一种磁阻效应元件，其具有垂直平面电流结构，包括：晶体材料的电极层(12)；导电非晶材料的基层(14)，形成在该电极层(12)之上；晶体材料的反铁磁层(18)，形成在该基层(14)之上；铁磁层(20)，形成在该反铁磁层(18)之上，并且具有由该反铁磁层(18)所限定的磁化方向；非磁性中间层(22)，形成在该铁磁层(20)之上；铁磁层(24)，形成在该非磁性中间层(22)之上，并具有随外界磁场改变的磁化方向；以及电极层(28)，形成在该铁磁层(24)之上。
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公开(公告)号：CN1303587C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410083146.3
申请日：2004-09-30
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/8404
摘要： 本发明提供一种垂直磁记录介质，包括衬底、形成在该衬底上的软磁性衬层、形成在该软磁性衬层上的磁通限制层、形成在该磁通限制层上的中间层，以及形成在该中间层上的垂直磁化膜的记录层，其中，该磁通限制层部分由多个软磁部分和形成于相邻磁道区之间的非磁性部分组成，每个软磁部分沿多个磁道区的一个磁道区形成，该中间层由非磁性材料形成，并形成为能够覆盖该软磁部分和该非磁性部分的表面。
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公开(公告)号：CN1299257C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN02828592.1
申请日：2002-03-20
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/313 , G11B5/3903 , G11B2005/3996
摘要： 一种电流垂直于平面结构的磁电阻元件，磁电阻薄膜(43)从一个磁头滑块的介质相对表面(28)向后延伸。一个上电极层(46)叠置在磁电阻薄膜的上边界(43b)上。该上电极层(46)包括一个沿着上边界、从在介质相对表面处露出的顶端向后延伸的低阻区(46a)，以及一个沿着上边界、从低阻区的后端向后延伸的高阻区(46b)。该高阻区的电阻率高于低阻区的电阻率。该高阻区用于限制最靠近介质相对表面的读出电流的通路。允许该读出电流集中在最靠近磁电阻薄膜中的介质相对表面的位置。由于靠近介质相对表面的磁化强度趋于充分转动，该电流垂直于平面(CPP)结构的磁电阻元件保持电阻的充分变化。在该CPP结构的磁电阻元件中可保持足够的灵敏度。
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公开(公告)号：CN1839429A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN03827149.4
申请日：2003-09-30
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/7325
摘要： 垂直磁记录介质由基板和在基板上层压的各层构成，即，在基板上顺序层压软磁性内层、种子层、磁通狭缝层、非磁性中间层、记录层、保护膜、以及润滑层，磁通狭缝层13具有大致柱状结构的软磁性粒子，该软磁性粒子具有非磁性部分的边界部，使来自记录磁头的磁通只狭窄到软磁性粒子的部分，从而抑制磁通的扩散。另外，展示了将磁通狭缝层设在记录层上的垂直磁记录介质。
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公开(公告)号：CN1236424C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN02120075.0
申请日：2002-05-22
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01L43/08
摘要： 磁敏电阻器件包括层合膜和应用该层合膜中叠层方向检测电流的机构，其中，该层合膜包括：其磁化方向基本固定的第一铁磁层；其磁化方向随外磁场自由变化的第二铁磁层，该第二铁磁层包括非磁性金属层和两个或多个在叠层方向由非磁性金属层彼此分开的铁磁金属层；使第一和第二铁磁层彼此分开的非磁性中间层。
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公开(公告)号：CN1227649C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN02116113.5
申请日：2002-04-19
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
摘要： 一种磁性传感器具有这样的结构：其中由导电硬磁性材料所形成的用于控制磁畴的硬层与磁性传感器层至少部分地相互直接接触，并且电流在这样的方向上流动，其中至少电流的主要部分的方向垂直于磁性传感器层的表面。通过改变硬层的电阻率而控制在磁性传感器层和硬层中流动的电流。该磁性传感器被用作为例如磁盘装置这样地磁性记录装置中地磁性读取头。
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公开(公告)号：CN1685398A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823246.4
申请日：2003-03-06
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3906 , G11B5/3932 , G11B2005/0018
摘要： 一种将记录媒体的磁信号作为再生信号进行检测的磁致电阻头，包括：第一磁屏蔽；配置在第一磁屏蔽上的第一电极端子；配置在第一电极端子上的磁致电阻膜；以及将第一方向的偏磁场加在配置在磁致电阻膜的两侧的磁致电阻膜上、控制磁致电阻膜的磁畴的磁畴控制膜。磁致电阻头还包括：配置在该磁致电阻膜上的第二电极端子；以及配置在第二电极端子上的第二磁屏蔽；磁信号再生时，使检测电流横切第一及第二电极端子且沿着与磁致电阻膜的面垂直的方向流，以便磁致电阻膜的与媒体相对的端部的电流磁场的方向成为第一方向。
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公开(公告)号：CN1684150A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200410083146.3
申请日：2004-09-30
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/8404
摘要： 本发明提供一种垂直磁记录介质，包括衬底、形成在该衬底上的软磁性衬层、形成在该软磁性衬层上的磁通限制层、形成在该磁通限制层上的中间层，以及形成在该中间层上的垂直磁化膜的记录层，其中，该磁通限制层部分由多个软磁部分和形成于相邻磁道区之间的非磁性部分组成，每个软磁部分沿多个磁道区的一个磁道区形成，该中间层由非磁性材料形成，并形成为能够覆盖该软磁部分和该非磁性部分的表面。
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