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公开(公告)号：CN117457549A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311791426.9
申请日：2023-12-25
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种用于晶闸管管芯生产的表面腐蚀设备，包括腐蚀装置和输送架:腐蚀装置的底座的顶部上设置有支架，底座内升降设置有腐蚀液框，输送架贯穿支架，输送架上等间距设置有管芯安装盘，管芯安装盘通过夹具安装有多个管芯本体；还包括清洗烘干件，清洗烘干件位于支架的底部，清洗烘干件的清洗管位于支架底部，清洗管和电加热板之间通过连接板连接，连接板与第三气缸的输出端连接，第三气缸安装在支架上，本发明实现对管芯本体进行自动化工作，且循环有序的进行生产，从而大大提高了对管芯本体进行表面腐蚀的整体效率；对腐蚀后的管芯，实现了冲洗与干燥一体化处理。
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公开(公告)号：CN117316825A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311383910.8
申请日：2023-10-24
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
摘要： 本发明公开了一种半导体芯片封装装置及其工作方法，涉及二极管生产设备技术领域，半导体芯片封装装置包括工作台以及布置在工作台间的输送机构，输送机构表面间隔布置多组承载槽，承载槽用于对待封装二极管进行承载储存，输送机构用于对布置在承载槽内的二极管进行输送；还包括：点胶组件，所述点胶组件包括储胶筒以及与储胶筒连接的输胶机构，以及封装组件，二极管经过点胶后通过输送组件输送至芯片定位机构正下方，推动机构推动布置在芯片定位机构内的芯片与二极管贴合，进而实现对二级管与芯片的封装处理，在对二级管与芯片封装前，预先对二级管顶部进行点胶处理，使得二级管与芯片封装稳定性更高，贴合更加稳定。
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公开(公告)号：CN116169181A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211207376.0
申请日：2022-09-30
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/866 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种低漏电低压TVS器件，包括P型半导体衬底P0，所述P型半导体衬底P0上下两侧局部区域开设有N型扩散区N11和N12，位于P型半导体衬底P0上下两侧还开设有N型扩散区N21和N22，N型扩散区N21位于N型扩散区N11的两侧，N型扩散区N22位于N型扩散区N12的两侧，N型扩散区N11和N12的结深比N型扩散区N21和N22的结深深，本发明基于两个并联的PN结，较大面积的PN结击穿电压较高，漏电流较低，决定整个器件击穿电压的PN结面积较小，因而整个器件的漏电流大大降低，同时由于焊接区域的PN结结深较深，抵抗焊接应力的能力得以大大提升。
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公开(公告)号：CN114141883B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111505411.2
申请日：2021-12-10
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种快恢复二极管芯片，包括N型单晶衬底，位于衬底内的P型低掺杂区，位于衬底内的P型高掺杂区，位于衬底上表面的钝化层，以及位于衬底上表面的金属层；N型单晶衬底的下表面设置有沟槽，N型单晶衬底位于沟槽的侧面设置有N型高掺杂区，以及在N型高掺杂区的下侧设置有金属层。通过选用N型单晶衬底，能大大降低快恢复二极管芯片的成本，同时通过在晶圆的背面形成沟槽，能将晶圆薄化，降低高阻层厚度，保证快恢复二极管芯片的正向压降，因而能提高产品的性价比。晶圆外围非沟槽区作为薄晶圆的支撑区，避免了薄片操作过程中发生破碎。
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公开(公告)号：CN115008103A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210725774.5
申请日：2022-06-23
申请人： 富芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种有效提高精确度的可编程过压保护芯片针脚焊接装置，涉及蓝牙芯片焊接技术领域，包括框架底座，所述框架底座顶部固定连接有两个悬梁支架，悬梁支架中部设置有用于为芯片点焊用点焊枪，框架底座中部开设有矩形槽，矩形槽内设置有精确定位机构，精确定位机构一端两侧设置有限位件。本发明通过精确定位结构的设置，该蓝牙芯片阵脚焊接装置在使用时可以通过精确定位机构对蓝牙芯片进行有效的限位，并在焊接过程中在不变动点焊枪的情况下，使得点焊枪能够精确的与蓝牙芯片上的每个位置相接触，且不用担心误触和点位错误的情况，有效的提高了蓝牙芯片在针脚焊接过程中的精准性。
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公开(公告)号：CN114985199A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210587895.8
申请日：2022-05-26
申请人： 富芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种高压超快恢复二极管生产用涂胶装置，机台通过两侧的导向腔滑动连接有二极管安装部，二极管安装部上设置有多个同步转动的装夹部，装夹部用于二极管的装夹，其中，机台的台面一端架设有用于二极管涂胶的涂胶部，机台的台面另一端架设有用于二极管涂胶后烘干的烘干部，二极管安装部在涂胶部和烘干部之间能够滑动切换，使二极管随二极管安装部在进入涂胶部和烘干部时，二极管均能够实现回转涂胶和回转烘干，回转涂胶能够使二极管外周面上的涂胶更加均匀，提高二极管的涂胶质量，回转烘干能够使涂胶后的二极管受热均匀，提高二极管表面的烘干质量，从而有效提高二极管的涂胶质量。
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公开(公告)号：CN114927962A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210524451.X
申请日：2022-05-13
申请人： 富芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种大功率半导体过压保护器件，涉及过压保护器件技术领域。包括箱体和箱门，所述箱体顶部设置有进气装置，箱体一侧底部设置有出气装置，箱体一侧内壁固定有安装座，安装座顶端放置有保护器放置装置，箱体侧壁设置有推动装置，推动装置包括横向滑块和竖向连接块，保护器放置装置包括放置框，竖向连接块与放置框背面相固定。本发明设置有安装座、保护器放置装置和推动装置，进行安装时，启动电机，电机转动时带动传动杆转动，进而带动横向滑块在横向固定板上滑动，从而通过竖向固定板将安装座向箱门侧推出，将过压保护器放置在放置框内后，转动螺杆从而将过压保护器与放置框进行固定。
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公开(公告)号：CN114512354B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210389901.9
申请日：2022-04-14
申请人： 富芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种层叠型电子元器件制造装置及使用方法，成膜基体和层叠支撑体之间设置有中间剥离辊，所述成膜基体通过底部设置的成膜形成部涂布陶瓷浆料连续形成陶瓷片材，所述陶瓷片材经中间剥离辊剥离绕卷在层叠支撑体形成层叠结构体，将层叠支撑体设置在渐变式导向部上，渐变式导向部受弹性构件的作用，使层叠支撑体在陶瓷片材绕卷过程中随着层叠结构体层数的增加，层叠支撑体能够向远离成膜基体的一侧移动，并使层叠支撑体与中间剥离辊始终保持相抵，有效防止层叠结构体绕卷层数发生松散，提高层叠型电子元器件制造质量，同时，在成膜基体涂布陶瓷浆料前，通过回转式刷洗部进行刷洗，能够有效提高陶瓷片材的质量。
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公开(公告)号：CN114171581A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111478416.0
申请日：2021-12-06
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861
摘要： 本发明公开了一种优化的TVS结构器件，N型半导体衬底的P基区形成三次叠加扩散的基区，P基区的P1基区与N型半导体衬底形成目标电压，P基区的P2基区和P3基区在P1基区上两层扩散形成电压调制区，通过在N型半导体衬底上设置三次叠加扩散的P基区，使P1基区与N型半导体衬底形成目标电压后，通过两次高浓度的杂质掺杂，即P2基区和P3基区两层扩散，使P基区总体具有更高的杂质浓度梯度，当PN结发生雪崩击穿时，P2基区和P3基区的区域内高浓度载流子会快速漂移至PN结的空间电荷区，并参与雪崩效应，提高PN结雪崩击穿面积的扩展速度，有效使PN结在更短的时间内进入完全雪崩击穿状态，从而更快速地泄放浪涌能量。
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公开(公告)号：CN114141883A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111505411.2
申请日：2021-12-10
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种快恢复二极管芯片，包括N型单晶衬底，位于衬底内的P型低掺杂区，位于衬底内的P型高掺杂区，位于衬底上表面的钝化层，以及位于衬底上表面的金属层；N型单晶衬底的下表面设置有沟槽，N型单晶衬底位于沟槽的侧面设置有N型高掺杂区，以及在N型高掺杂区的下侧设置有金属层。通过选用N型单晶衬底，能大大降低快恢复二极管芯片的成本，同时通过在晶圆的背面形成沟槽，能将晶圆薄化，降低高阻层厚度，保证快恢复二极管芯片的正向压降，因而能提高产品的性价比。晶圆外围非沟槽区作为薄晶圆的支撑区，避免了薄片操作过程中发生破碎。
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