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公开(公告)号：CN112994647A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110160241.2
申请日：2021-02-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于谐振器技术领域，公开了一种环电极结构的超高频谐振器。该谐振器结构包括压电层和环电极，每个环电极以环状围绕在压电层四周，多个环电极沿着压电材料长度方向分布，且施加正负交替的电压激励。该结构能够在压电层中激发横向电场，从而激发横向剪切模式体声波，实现超高谐振频率下的高有效机电耦合系数，满足射频通信领域高频率大带宽的要求。
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公开(公告)号：CN112968685A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110160231.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种带有沟槽结构的体声波谐振器，具体指一种带有阵列式沟槽结构，高谐振频率的体声波谐振器结构。该谐振器结构包括底电极、压电层、压电层中的沟槽结构和顶电极。该结构能够减小谐振器中压电层的等效厚度，有效地提高谐振器的谐振频率，能满足5G/6G通讯的实际需求。
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公开(公告)号：CN109474252B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811271504.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器及其制备方法。本发明提供的可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底，中部具有向上开口的凹槽；SiC/Diamond薄膜层，形成在衬底上，中部设有与凹槽对应的贯穿口；以及压电震荡堆部，形成在SiC/Diamond薄膜层上，并且位于贯穿口的正上方，从下至上依次包括：底电极、压电层、和顶电极。本发明利用SiC/Diamond薄膜层声波传播速率快、硬度高的特点，可以很好的抑制压电薄膜中产生的横向振动模式的声波，并且可以减小软质衬底引入的机械阻尼，减少声波能量损耗，降低薄膜体声波谐振器的插入损耗，获得高的Q值和机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN110231263B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910433998.7
申请日：2019-05-23
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N15/06
Abstract: 本发明公开了一种具有自清洁功能的PM2.5质量传感器及其制备方法，所述的PM2.5质量传感器包括声表面波器件和纳米柱阵列；声表面波器件由一对低谐振频率叉指电极、一对高谐振频率叉指电极、压电薄膜、基底组成；纳米柱阵列生长在压电薄膜上，位于两对叉指电极的对称中心区域。本发明的具有自清洁功能的PM2.5质量传感器通过纳米柱阵列吸附环境空气中的PM2.5颗粒，使低谐振频率叉指电极输出的电信号频率发生漂移来监测PM2.5的浓度；通过高谐振频率叉指电极来实现传感器的自清洁功能。本发明操作简单，能够方便、精确、经济的实现各种环境下PM2.5颗粒浓度的监测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110880924A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911265024.9
申请日：2019-12-11
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及谐振器技术，具体涉及一种可调谐的薄膜体声波谐振器，包括位于中间区域的谐振器，以及谐振器周围的叉指结构。谐振器周围的叉指结构设置于谐振器对应的一条边或多条边上；叉指结构与谐振器对应边垂直，或与谐振器对应边成一定角度。谐振器周围的叉指结构的末端为直线，或弧线，或直线和弧线的混合结构；叉指结构的宽度、长度、数量、间距可调。该谐振器能够在不改变各层材料厚度的条件下调节薄膜体声波谐振器的谐振频率，实现在一片晶圆上制造不同工作频率的谐振器。
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公开(公告)号：CN110880922A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911127186.6
申请日：2019-11-18
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种二维超高频谐振器，具体指一种可以提高谐振器机电耦合系数的超高频谐振器机构，该种谐振器仅在压电材料上部布置有二维方向分布的正负电极，电极上部有桥状结构，电极间距大于四个波长。此种谐振器结构能够有效的提高谐振器的谐振频率和机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN110868188A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911164874.X
申请日：2019-11-25
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/125
Abstract: 本发明公开了一种基于环形电极的超高频谐振器结构，具体指一种大带宽且可以有效抑制伪模式和其他模态的超高频谐振器结构；包括压电材料、电极和连接线，在压电材料表面沉积形成多圈结构的环形电极，相邻两圈电极间距是大于电极宽度至少一个波长的距离，所述电极间距是波长的倍数关系，电极通过连接线引出。本发明有效提高了谐振器的机电耦合效率，抑制了伪模态和其他阶模态，为实现超高频、大带宽的滤波器等射频器件提供了高性能的基础元件。
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公开(公告)号：CN110635778A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910875873.X
申请日：2019-09-17
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/56
Abstract: 本公开涉及一种单片集成的双工器，该双工器包括在一片晶圆上制造的接收端带通滤波器和发射端带通滤波器，所述接收端带通滤波器和所述发射端带通滤波器包括一个或多个兰姆波谐振器和一个或多个FBAR。兰姆波谐振器的压电层底部的电极以及封闭式空腔结构，提高了整个结构的机械稳定性和机电耦合系数。此外，兰姆波谐振器的压电层部分刻蚀沟槽，提高了兰姆波谐振器的机电耦合系数，增大了双工器的接收端和发射端滤波器的带宽，相同的频段内可以减少双工器的数量，使得移动通讯设备可以更加小型化。此外，通过兰姆波谐振器和FBAR上的负载层，以及对二者压电层厚度的修整，使得二者更容易进行谐振频率匹配，从而更为方便地搭建双工器。
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公开(公告)号：CN110255489A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910468431.3
申请日：2019-05-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于MEMS系统集成制造技术领域，公开了一种三维单片集成传感器系统，包括：集成电路晶圆、传感器层、薄膜封装层；传感器层包括多个传感器，传感器集成在集成电路晶圆上，薄膜封装层位于传感器层之上；集成电路晶圆包括：衬底、电路模块层、第一绝缘层。本发明解决了现有技术中传感器系统体积较大、不易高度集成化、成品率较低的问题，能够满足高度集成化和小型化的传感器系统制作需求。
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